利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

41 条记录 (耗时 0.033 秒)

    Apparatus and methods for reducing tool-induced shift during overlay metrology
    12.
    发明授权
    Apparatus and methods for reducing tool-induced shift during overlay metrology 有权
    在重叠计量时减少工具引起的移位的装置和方法

    公开(公告)号：US07433039B1

    公开(公告)日：2008-10-07

    申请号：US10913188

    申请日：2004-08-06

    申请人： Vladimir Levinski ,  Ilan Sela

    发明人： Vladimir Levinski ,  Ilan Sela

    IPC分类号： G01B11/00

    CPC分类号： G03F7/70633 ,  G03F7/70616

    摘要： Disclosed are apparatus and methods for determining a minimum tool-induced shift (TIS) during an overlay metrology procedure. In a specific embodiment, a method of determining overlay or misalignment error on a target is disclosed. For a predefined number of positions of a target within a field of view (FOV) of a metrology tool, the following operations are performed: (i) determining a tool-induced shift (TIS) parameter value for each predefined position of the target within the FOV based on at least one overlay measurement obtained from the target at the each position (for example, based on overlay measurements at 0 and 180 degrees of wafer orientation) and (ii) determining a minimum TIS parameter value and its corresponding FOV position from the plurality of determined TIS parameters values at the predefined positions of the target within the FOV. The FOV position that corresponds to the minimum TIS is then defined as an appropriate position for the actual overlay measurement and the value of minimum TIS is used for overlay correction.

    摘要翻译： 公开了用于在覆盖计量过程期间确定最小工具引起的移动（TIS）的装置和方法。 在具体实施例中，公开了一种确定目标上的重叠或未对准误差的方法。 对于计量工具的视场（FOV）中的目标的预定数量的位置，执行以下操作：（i）确定目标的每个预定义位置的工具引起的移动（TIS）参数值， 基于从每个位置处的目标获得的至少一个覆盖测量的FOV（例如，基于在0和180度晶片取向的覆盖测量），以及（ii）确定最小TIS参数值及其对应的FOV位置 在FOV内的目标的预定义位置处的多个确定的TIS参数值。 然后将对应于最小TIS的FOV位置定义为实际覆盖测量的适当位置，并且将最小TIS的值用于覆盖校正。

    Use of overlay diagnostics for enhanced automatic process control
    14.
    发明授权
    Use of overlay diagnostics for enhanced automatic process control 有权
    使用覆盖诊断功能进行增强的自动过程控制

    公开(公告)号：US07111256B2

    公开(公告)日：2006-09-19

    申请号：US10438963

    申请日：2003-05-14

    申请人： Joel L. Seligson ,  Mark Ghinovker ,  John Robinson ,  Pavel Izikson ,  Michael E. Adel ,  Boris Simkin ,  David Tulipman ,  Vladimir Levinski

    发明人： Joel L. Seligson ,  Mark Ghinovker ,  John Robinson ,  Pavel Izikson ,  Michael E. Adel ,  Boris Simkin ,  David Tulipman ,  Vladimir Levinski

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G03F7/705 ,  G03F7/70516 ,  G03F7/70633

    摘要： Disclosed are methods and apparatus for analyzing the quality of overlay targets. In one embodiment, a method of extracting data from an overlay target is disclosed. Initially, image information or one or more intensity signals of the overlay target are provided. An overlay error is obtained from the overlay target by analyzing the image information or the intensity signal(s) of the overlay target. A systematic error metric is also obtained from the overlay target by analyzing the image information or the intensity signal(s) of the overlay target. For example, the systematic error may indicate an asymmetry metric for one or more portions of the overlay target. A noise metric is further obtained from the overlay target by applying a statistical model to the image information or the intensity signal(s) of the overlay target. Noise metric characterizes noise, such as a grainy background, associated with the overlay target. In other embodiments, an overlay and/or stepper analysis procedure is then performed based on the systematic error metric and/or the noise metric, as well as the overlay data.

    摘要翻译： 公开了分析覆盖目标质量的方法和装置。 在一个实施例中，公开了一种从覆盖目标提取数据的方法。 首先，提供覆盖目标的图像信息或一个或多个强度信号。 通过分析覆盖目标的图像信息或强度信号，从覆盖目标获得重叠错误。 通过分析覆盖目标的图像信息或强度信号也可以从覆盖目标获得系统误差度量。 例如，系统误差可以指示覆盖目标的一个或多个部分的不对称度量。 通过将统计模型应用于覆盖目标的图像信息或强度信号，从覆盖目标进一步获得噪声度量。 噪声度量表示与覆盖目标相关联的噪声，例如粒状背景。 在其他实施例中，然后基于系统误差度量和/或噪声度量以及覆盖数据来执行覆盖和/或步进分析程序。

    Angle-resolved antisymmetric scatterometry
    16.
    发明授权
    Angle-resolved antisymmetric scatterometry 有权
    角分辨反对称散射法

    公开(公告)号：US08848186B2

    公开(公告)日：2014-09-30

    申请号：US13386524

    申请日：2010-07-21

    申请人： Daniel Kandel ,  Vladimir Levinski ,  Noam Sapiens

    发明人： Daniel Kandel ,  Vladimir Levinski ,  Noam Sapiens

    IPC分类号： G01B11/00 ,  G01J4/00 ,  G03F7/20 ,  G01B11/24 ,  G01N21/956

    CPC分类号： G01N21/95607 ,  G01B11/14 ,  G01B11/24 ,  G01B2210/56 ,  G03F7/70633

    摘要： A method for determining an overlay offset may include, but is not limited to: obtaining a first anti-symmetric differential signal (ΔS1) associated with a first scatterometry cell; obtaining a second anti-symmetric differential signal (ΔS2) associated with a second scatterometry cell and computing an overlay offset from the first anti-symmetric differential (ΔS1) signal associated with the first scatterometry cell and the second anti-symmetric differential signal (ΔS2) associated with the second scatterometry cell.

    摘要翻译： 用于确定覆盖偏移的方法可以包括但不限于：获得与第一散射测量单元相关联的第一反对称差分信号（＆Dgr; S1）; 获得与第二散射测量单元相关联的第二反对称差分信号（＆Dgr; S2），并计算与第一散射测量单元和第二反对称差分相关联的第一反对称差分（＆Dgr; S1）信号的叠加偏移 与第二散射测量单元相关联的信号（＆Dgr; S2）。

    OVERLAY METROLOGY BY PUPIL PHASE ANALYSIS
    17.
    发明申请
    OVERLAY METROLOGY BY PUPIL PHASE ANALYSIS 有权
    通过相位分析的覆盖度量

    公开(公告)号：US20130044331A1

    公开(公告)日：2013-02-21

    申请号：US13209778

    申请日：2011-08-15

    申请人： Amnon Manassen ,  Daniel Kandel ,  Moshe Baruch ,  Vladimir Levinski ,  Noam Sapiens ,  Joel Seligson ,  Andy Hill ,  Ohad Bachar ,  Daria Negri ,  Ofer Zaharan

    发明人： Amnon Manassen ,  Daniel Kandel ,  Moshe Baruch ,  Vladimir Levinski ,  Noam Sapiens ,  Joel Seligson ,  Andy Hill ,  Ohad Bachar ,  Daria Negri ,  Ofer Zaharan

    IPC分类号： G01B11/14 ,  G01B11/26

    CPC分类号： G03F7/70633

    摘要： The present invention may include measuring a first phase distribution across a pupil plane of a portion of illumination reflected from a first overlay target of a semiconductor wafer, wherein the first overlay target is fabricated to have a first intentional overlay, measuring a second phase distribution across the pupil plane of a portion of illumination reflected from a second overlay target, wherein the second overlay target is fabricated to have a second intentional overlay in a direction opposite to and having the same magnitude as the first intentional overlay, determining a first phase tilt associated with a sum of the first and second phase distributions, determining a second phase tilt associated with a difference between the first and second phase distributions, calibrating a set of phase tilt data, and determining a test overlay value associated with the first and second overlay target.

    摘要翻译： 本发明可以包括测量跨越从半导体晶片的第一覆盖目标反射的照明部分的光瞳平面的第一相分布，其中第一覆盖目标被制造为具有第一有意覆盖，测量第二相位分布 从第二覆盖目标反射的照明部分的光瞳平面，其中第二覆盖目标被制造为具有与第一有意重叠相反并具有相同幅度的方向的第二有意覆盖，确定相关联的第一相位倾斜 具有第一和第二相位分布的总和，确定与第一和第二相位分布之间的差相关联的第二相位倾斜，校准一组相位倾斜数据，以及确定与第一和第二覆盖目标相关联的测试覆盖值 。

    Overlay metrology target
    18.
    发明授权
    Overlay metrology target 有权
    覆盖度量目标

    公开(公告)号：US08345243B2

    公开(公告)日：2013-01-01

    申请号：US12717430

    申请日：2010-03-04

    申请人： Mark Ghinovker ,  Vladimir Levinski

    发明人： Mark Ghinovker ,  Vladimir Levinski

    IPC分类号： G01B11/00 ,  H01L21/76 ,  H01L23/544 ,  G06K9/00

    CPC分类号： G03F7/70633

    摘要： In one embodiment, a metrology target for determining a relative shift between two or more successive layers of a substrate may comprise; an first structure on a first layer of a substrate and an second structure on a successive layer to the first layer of the substrate arranged to determine relative shifts in alignment in both the x and y directions of the substrate by analyzing the first structure and second structure overlay.

    摘要翻译： 在一个实施例中，用于确定衬底的两个或更多个连续层之间的相对位移的度量目标可以包括： 衬底的第一层上的第一结构和位于衬底的第一层的连续层上的第二结构，布置成通过分析第一结构和第二结构来确定衬底的x和y方向上的对准位移 覆盖。