公开(公告)号：US08334564B2

公开(公告)日：2012-12-18

申请号：US12984253

申请日：2011-01-04

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Thorsten Meyer ,  Wolfgang Klein ,  Frank Pfirsch

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Thorsten Meyer ,  Wolfgang Klein ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L27/04 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/732 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/861

摘要： A field plate trench transistor having a semiconductor body. In one embodiment the semiconductor has a trench structure and an electrode structure embedded in the trench structure. The electrode structure being electrically insulated from the semiconductor body by an insulation structure and having a gate electrode structure and a field electrode structure. The field plate trench transistor has a voltage divider configured such that the field electrode structure is set to a potential lying between source and drain potentials.

摘要翻译： 具有半导体本体的场板沟槽晶体管。 在一个实施例中，半导体具有沟槽结构和嵌入沟槽结构中的电极结构。 电极结构通过绝缘结构与半导体本体电绝缘并具有栅电极结构和场电极结构。 场板沟槽晶体管具有分压器，其被配置为使得场电极结构被设置为位于源极和漏极之间的电位。

公开(公告)号：US20110215858A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：US12718381

申请日：2010-03-05

申请人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Frank Pfirsch ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Frank Pfirsch ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H03K17/0412 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/739 ,  H03K17/0412

摘要： Disclosed is a method for controlling the recombination rate in the base region of a bipolar semiconductor component, and a bipolar semiconductor component.

摘要翻译： 公开了一种用于控制双极半导体部件和双极型半导体部件的基极区域中的复合率的方法。

公开(公告)号：US07696600B2

公开(公告)日：2010-04-13

申请号：US11713226

申请日：2007-03-02

申请人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Frank Pfirsch ,  Elmar Falck ,  Josef Lutz

发明人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Frank Pfirsch ,  Elmar Falck ,  Josef Lutz

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/72

CPC分类号： H01L29/0834 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/861

摘要： A semiconductor device in the form of an IGBT has a front side contact, a rear side contact, and a semiconductor volume disposed between the front side contact and the rear side contact. The semiconductor volume includes a field stop layer for spatially delimiting an electric field that can be formed in the semiconductor volume. The semiconductor volume further includes a plurality of semiconductor zones, the plurality of semiconductor zones spaced apart from each other and each inversely doped with respect to adjacent areas. The plurality of semiconductor zones are located within the field stop layer.

摘要翻译： IGBT形式的半导体器件具有前侧触点，后侧触点和设置在前侧触点和后侧触点之间的半导体体。 半导体体积包括用于空间地限定可以形成在半导体体积中的电场的场停止层。 半导体体积还包括多个半导体区域，多个半导体区域彼此间隔开并且相对于相邻区域反向掺杂。 多个半导体区域位于场停止层内。

公开(公告)号：US07541260B2

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：US11677430

申请日：2007-02-21

申请人： Frank Pfirsch ,  Walter Rieger

发明人： Frank Pfirsch ,  Walter Rieger

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L29/66727

摘要： A semiconductor structure is formed comprising a plurality of columns doped with alternating dopants. The columns are separated by trenches, and the dopant is diffused in the doped columns. The trenches are filled with semiconductor material. Other embodiments may be described and claimed.

摘要翻译： 形成包括掺杂有交替掺杂剂的多个列的半导体结构。 这些列由沟槽分开，并且掺杂剂在掺杂柱中扩散。 沟槽填充有半导体材料。 可以描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US20090130806A1

公开(公告)日：2009-05-21

申请号：US12350776

申请日：2009-01-08

申请人： Stefan Sedlmaier ,  Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack ,  Armin Willmeroth ,  Frank Pfirsch

发明人： Stefan Sedlmaier ,  Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack ,  Armin Willmeroth ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L21/2205 ,  H01L21/2252 ,  H01L21/2255 ,  H01L23/291 ,  H01L23/298 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1604 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor component with charge compensation structure has a semiconductor body having a drift path between two electrodes. The drift path has drift zones of a first conduction type, which provide a current path between the electrodes in the drift path, while charge compensation zones of a complementary conduction type constrict the current path of the drift path. For this purpose, the drift path has two alternately arranged, epitaxially grown diffusion zone types, the first drift zone type having monocrystalline semiconductor material on a monocrystalline substrate, and a second drift zone type having monocrystalline semiconductor material in a trench structure, with complementarily doped walls, the complementarily doped walls forming the charge compensation zones.

摘要翻译： 具有电荷补偿结构的半导体部件具有在两个电极之间具有漂移路径的半导体本体。 漂移路径具有第一导电类型的漂移区域，其在漂移路径中的电极之间提供电流路径，而互补导电类型的电荷补偿区域限制漂移路径的电流路径。 为此，漂移路径具有两个交替布置的外延生长的扩散区类型，第一漂移区类型在单晶衬底上具有单晶半导体材料，以及在沟槽结构中具有单晶半导体材料的第二漂移区类型，具有互补掺杂 壁，形成电荷补偿区的互补掺杂壁。

公开(公告)号：US20090085103A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：US11864238

申请日：2007-09-28

申请人： Frank Hille ,  Carsten Schaeffer ,  Frank Pfirsch ,  Holger Ruething

发明人： Frank Hille ,  Carsten Schaeffer ,  Frank Pfirsch ,  Holger Ruething

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7813

摘要： A semiconductor device and production method is disclosed. In one embodiment, the semiconductor device includes a first electrode and a second electrode, located on surfaces of a semiconductor body, and an insulated gate electrode. The semiconductor body has a contact groove for the first electrode in an intermediate oxide layer. Highly doped zones of a first conduction type are located in edge regions of the source connection zone. Below the highly doped zones of the first conduction type, there are highly doped zones of a body zone with a complementary conduction type. In a central region of the source connection zone, the body zone has a net charge carrier concentration with a complementary conduction type which is lower than the charge carrier concentration in the edge regions of the source connection zone.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件和制造方法。 在一个实施例中，半导体器件包括位于半导体本体表面上的第一电极和第二电极以及绝缘栅电极。 半导体本体具有用于中间氧化物层中的第一电极的接触槽。 第一导电类型的高掺杂区域位于源极连接区域的边缘区域。 在第一导电类型的高掺杂区之下，存在具有互补导电类型的体区的高掺杂区。 在源极连接区域的中心区域，体区具有互补导电类型的净电荷载流子浓度，该互补导电类型低于源极连接区域的边缘区域中的载流子浓度。

公开(公告)号：US20090032851A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US12170470

申请日：2008-07-10

申请人： Frank Pfirsch ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Frank Pfirsch ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0623 ,  H01L21/221 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611

摘要： In a method for producing a semiconductor body, impurities which act as recombination centers in the semiconductor body and form a recombination zone are introduced into the semiconductor body during the process of producing the semiconductor body. In a semiconductor component, comprising a semiconductor body having a front surface and an opposite rear surface, and also a recombination zone formed by impurities between the front and rear surfaces, wherein the impurities act as recombination centres, the surface state density at the front and rear surfaces of the semiconductor body is just as high as the surface state density at a front and rear surface of an identical semiconductor body without a recombination zone.

摘要翻译： 在制造半导体体的方法中，在制造半导体体的过程中，在半导体本体中作为复合中心并形成复合区的杂质被引入半导体本体。 在半导体元件中，包括具有前表面和相对后表面的半导体本体，以及由前表面和后表面之间的杂质形成的复合区，其中杂质作为复合中心，前面的表面状态密度和 半导体本体的后表面与没有复合区的同一半导体主体的前表面和后表面的表面状态密度一样高。

公开(公告)号：US20090026532A1

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：US11829311

申请日：2007-07-27

申请人： Oliver Schilling ,  Frank Pfirsch

发明人： Oliver Schilling ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/788

摘要： A power semiconductor device includes a semiconductor body. The semiconductor body includes a body region of a first conductivity type for forming therein a conductive channel of a second conductivity type; a gate electrode arranged next to the body region; and a floating electrode arranged between the gate electrode and the body region.

摘要翻译： 功率半导体器件包括半导体本体。 半导体本体包括第一导电类型的体区，用于在其中形成具有第二导电类型的导电沟道; 布置在身体区域旁边的栅电极; 以及布置在栅极电极和主体区域之间的浮动电极。

公开(公告)号：US06963088B2

公开(公告)日：2005-11-08

申请号：US10797246

申请日：2004-03-10

申请人： Uwe Kellner-Werdehausen ,  Franz-Josef Niedernostheide ,  Hans-Joachim Schulze ,  Frank Pfirsch

发明人： Uwe Kellner-Werdehausen ,  Franz-Josef Niedernostheide ,  Hans-Joachim Schulze ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/74 ,  H01L29/8605

CPC分类号： H01L29/7408 ,  H01L29/8605

摘要： A semiconductor component is arranged in a semiconductor body and has at least one integrated radially symmetrical lateral resistance having a location-dependent sheet resistance, the radial dependence of which is preferably configured such that the differential resistance dR is radially constant or the power dissipated in the resistance is radially constant.

摘要翻译： 半导体部件布置在半导体本体中并且具有至少一个具有位置相关薄片电阻的集成的径向对称横向电阻，其径向相关性优选地构造成使得差动电阻dR是径向恒定的或在 电阻是径向恒定的。

公开(公告)号：US20050194635A1

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：US11027293

申请日：2004-12-30

申请人： Frank Pfirsch

发明人： Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L27/04 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78 ,  H03K17/08 ,  H03K17/082

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/7803 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/0822 ,  H03K2017/0806 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor component (10) is proposed in which a control resistance element (NTC) is provided in electrical contact between a control region (G) for setting operating properties and a first input/output region (S), the control resistance element (NTC) having an operating temperature range in which the nonreactive resistance falls monotonically as the operating temperature increases.

摘要翻译： 提出了一种半导体元件（10），其中在用于设置操作属性的控制区域（G）和第一输入/输出区域（S）之间电连接控制电阻元件（NTC），控制电阻元件（NTC） ）具有工作温度范围，其中非反应电阻随着工作温度的升高而单调下降。