公开(公告)号：US07271112B1

公开(公告)日：2007-09-18

申请号：US11026284

申请日：2004-12-30

申请人： George D. Papasouliotis ,  Raihan M. Tarafdar ,  Adrianne K. Tipton ,  Ron Rulkens ,  Dennis M. Hausmann ,  Jeff Tobin

发明人： George D. Papasouliotis ,  Raihan M. Tarafdar ,  Adrianne K. Tipton ,  Ron Rulkens ,  Dennis M. Hausmann ,  Jeff Tobin

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/3141 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31612

摘要： Methods of forming conformal films with increased density are described. The methods may be used to improve gap fill in semiconductor device manufacturing by eliminating seams and voids. The methods involve operating at high reactant partial pressure. Additionally, film properties may be further enhanced by optimizing the temperature of the substrate during exposure to the metal-containing and/or silicon-containing precursor gases commonly used in conformal film deposition techniques such as ALD and PDL.

摘要翻译： 描述了形成密度增加的保形膜的方法。 该方法可用于通过消除接缝和空隙来改善半导体器件制造中的间隙填充。 该方法涉及在高反应物分压下操作。 此外，通过在通常用于保形膜沉积技术（例如ALD和PDL）中的含金属和/或含硅前体气体曝光期间优化衬底的温度，可以进一步提高膜性能。

公开(公告)号：US08728956B2

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US13084399

申请日：2011-04-11

申请人： Adrien LaVoie ,  Shankar Swaminathan ,  Hu Kang ,  Ramesh Chandrasekharan ,  Tom Dorsh ,  Dennis M. Hausmann ,  Jon Henri ,  Thomas Jewell ,  Ming Li ,  Bryan Schlief ,  Antonio Xavier ,  Thomas W. Mountsier ,  Bart J. van Schravendijk ,  Easwar Srinivasan ,  Mandyam Sriram

发明人： Adrien LaVoie ,  Shankar Swaminathan ,  Hu Kang ,  Ramesh Chandrasekharan ,  Tom Dorsh ,  Dennis M. Hausmann ,  Jon Henri ,  Thomas Jewell ,  Ming Li ,  Bryan Schlief ,  Antonio Xavier ,  Thomas W. Mountsier ,  Bart J. van Schravendijk ,  Easwar Srinivasan ,  Mandyam Sriram

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/76898

摘要： Methods of depositing a film on a substrate surface include surface mediated reactions in which a film is grown over one or more cycles of reactant adsorption and reaction. In one aspect, the method is characterized by the following operations: (a) exposing the substrate surface to a first reactant in vapor phase under conditions allowing the first reactant to adsorb onto the substrate surface; (b) exposing the substrate surface to a second reactant in vapor phase while the first reactant is adsorbed on the substrate surface; and (c) exposing the substrate surface to plasma to drive a reaction between the first and second reactants adsorbed on the substrate surface to form the film.

摘要翻译： 在基材表面上沉积膜的方法包括表面介导的反应，其中膜在反应物吸附和反应的一个或多个循环上生长。 在一个方面，该方法的特征在于以下操作：（a）在允许第一反应物吸附到基底表面上的条件下，将气相底物表面暴露于第一反应物; （b）当所述第一反应物吸附在所述基材表面上时，将所述基材表面暴露于气相中的第二反应物; 和（c）将衬底表面暴露于等离子体以驱动吸附在衬底表面上的第一和第二反应物之间的反应以形成膜。

公开(公告)号：US20110256726A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US13084399

申请日：2011-04-11

申请人： Adrien LaVoie ,  Shankar Swaminathan ,  Hu Kang ,  Ramesh Chandrasekharan ,  Tom Dorsh ,  Dennis M. Hausmann ,  Jon Henri ,  Thomas Jewell ,  Ming Li ,  Bryan Schlief ,  Antonio Xavier ,  Thomas W. Mountsier ,  Bart J. van Schravendijk ,  Easwar Srinivasan ,  Mandyam Sriram

发明人： Adrien LaVoie ,  Shankar Swaminathan ,  Hu Kang ,  Ramesh Chandrasekharan ,  Tom Dorsh ,  Dennis M. Hausmann ,  Jon Henri ,  Thomas Jewell ,  Ming Li ,  Bryan Schlief ,  Antonio Xavier ,  Thomas W. Mountsier ,  Bart J. van Schravendijk ,  Easwar Srinivasan ,  Mandyam Sriram

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/31 ,  H01L21/306 ,  C23F1/02 ,  B05C5/00 ,  B32B38/08

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/76898

摘要： Methods of depositing a film on a substrate surface include surface mediated reactions in which a film is grown over one or more cycles of reactant adsorption and reaction. In one aspect, the method is characterized by the following operations: (a) exposing the substrate surface to a first reactant in vapor phase under conditions allowing the first reactant to adsorb onto the substrate surface; (b) exposing the substrate surface to a second reactant in vapor phase while the first reactant is adsorbed on the substrate surface; and (c) exposing the substrate surface to plasma to drive a reaction between the first and second reactants adsorbed on the substrate surface to form the film.

摘要翻译： 在基材表面上沉积膜的方法包括表面介导的反应，其中膜在反应物吸附和反应的一个或多个循环上生长。 在一个方面，该方法的特征在于以下操作：（a）在允许第一反应物吸附到基底表面上的条件下，将气相底物表面暴露于第一反应物; （b）当所述第一反应物吸附在所述基材表面上时，将所述基材表面暴露于气相中的第二反应物; 和（c）将衬底表面暴露于等离子体以驱动吸附在衬底表面上的第一和第二反应物之间的反应以形成膜。

公开(公告)号：US07491653B1

公开(公告)日：2009-02-17

申请号：US11318268

申请日：2005-12-23

申请人： George D. Papasouliotis ,  Seon-Mee Cho ,  Ron Rulkens ,  Mihai Buretea ,  Dennis M. Hausmann ,  Michael Barnes

发明人： George D. Papasouliotis ,  Seon-Mee Cho ,  Ron Rulkens ,  Mihai Buretea ,  Dennis M. Hausmann ,  Michael Barnes

IPC分类号： H01L21/469 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/31612 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76837

摘要： A metal- and metalloid-free nanolaminate dielectric film can be formed according to a pulsed layer deposition (PDL) process. A metal- and metalloid-free compound is used to catalyze the reaction of silica deposition by surface reaction of alkoxysilanols. Films can be grown at rates faster than 30 nm per exposure cycle. The invention can be used for the deposition of both doped (e.g., PSG) and undoped silicon oxide films. The films deposited are conformal, hence the method can accomplish void free gap-fill in high aspect ratio gaps encountered in advanced technology nodes (e.g., the 45 nm technology node and beyond), and can be used in other applications requiring conformal dielectric deposition.

摘要翻译： 可以根据脉冲层沉积（PDL）工艺形成不含金属和非准金属的纳米酸盐电介质膜。 使用金属和非准金属化合物催化二氧化硅沉积与烷氧基硅烷醇表面反应的反应。 膜可以以每个曝光周期快30nm的速度生长。 本发明可用于沉积掺杂（例如PSG）和未掺杂的氧化硅膜。 沉积的膜是共形的，因此该方法可以在高级技术节点（例如，45nm技术节点及其以外）中遇到的高纵横比间隙中实现无空隙间隙填充，并可用于需要保形电介质沉积的其它应用中。

公开(公告)号：US08637411B2

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：US13242084

申请日：2011-09-23

申请人： Shankar Swaminathan ,  Jon Henri ,  Dennis M. Hausmann ,  Pramod Subramonium ,  Mandyam Sriram ,  Vishwanathan Rangarajan ,  Kirthi K. Kattige ,  Bart J. van Schravendijk ,  Andrew J. McKerrow

发明人： Shankar Swaminathan ,  Jon Henri ,  Dennis M. Hausmann ,  Pramod Subramonium ,  Mandyam Sriram ,  Vishwanathan Rangarajan ,  Kirthi K. Kattige ,  Bart J. van Schravendijk ,  Andrew J. McKerrow

IPC分类号： H01L21/469 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/02123 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3365 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898

摘要： Methods of depositing a film on a substrate surface include surface mediated reactions in which a film is grown over one or more cycles of reactant adsorption and reaction. In one aspect, the method is characterized by intermittent delivery of dopant species to the film between the cycles of adsorption and reaction.

摘要翻译： 在基材表面上沉积膜的方法包括表面介导的反应，其中膜在反应物吸附和反应的一个或多个循环上生长。 在一个方面，该方法的特征在于在吸附和反应循环之间将杂质物质间歇地递送到膜。

公开(公告)号：US20120028454A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13242084

申请日：2011-09-23

申请人： Shankar Swaminathan ,  Jon Henri ,  Dennis M. Hausmann ,  Pramod Subramonium ,  Mandyam Sriram ,  Vishwanathan Rangarajan ,  Kirthi K. Kattige ,  Bart J. van Schravendijk ,  Andrew J. McKerrow

发明人： Shankar Swaminathan ,  Jon Henri ,  Dennis M. Hausmann ,  Pramod Subramonium ,  Mandyam Sriram ,  Vishwanathan Rangarajan ,  Kirthi K. Kattige ,  Bart J. van Schravendijk ,  Andrew J. McKerrow

IPC分类号： H01L21/225 ,  C23C16/52 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

CPC分类号： H01L21/02123 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3365 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898

摘要： Methods of depositing a film on a substrate surface include surface mediated reactions in which a film is grown over one or more cycles of reactant adsorption and reaction. In one aspect, the method is characterized by intermittent delivery of dopant species to the film between the cycles of adsorption and reaction.

公开(公告)号：US20110256734A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US13084305

申请日：2011-04-11

申请人： Dennis M. Hausmann ,  Jon Henri ,  Mandyam Sriram ,  Bart J. van Schravendijk

发明人： Dennis M. Hausmann ,  Jon Henri ,  Mandyam Sriram ,  Bart J. van Schravendijk

IPC分类号： H01L21/318

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/76898

摘要： Described are methods of making SiN materials on substrates, particularly SiN thin films on semiconductor substrates. Improved SiN films made by the methods are also included.

摘要翻译： 描述了在衬底上制造SiN材料的方法，特别是在半导体衬底上的SiN薄膜。 还包括通过这些方法制备的改进的SiN膜。