公开(公告)号：US20050223991A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：US10817755

申请日：2004-04-02

申请人： Steven Walther ,  Rajesh Dorai ,  Harold Persing ,  Jay Scheuer ,  Bon-Woong Koo ,  Bjorn Pedersen ,  Chris Leavitt ,  Timothy Miller

发明人： Steven Walther ,  Rajesh Dorai ,  Harold Persing ,  Jay Scheuer ,  Bon-Woong Koo ,  Bjorn Pedersen ,  Chris Leavitt ,  Timothy Miller

IPC分类号： H01J37/244 ,  H01J37/32 ,  C23C14/48

CPC分类号： H01J37/32963 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01J2237/24405

摘要： A Faraday dose and uniformity monitor can include a magnetically suppressed annular Faraday cup surrounding a target wafer. A narrow aperture can reduce discharges within Faraday cup opening. The annular Faraday cup can have a continuous cross section to eliminate discharges due to breaks. A plurality of annular Faraday cups at different radii can independently measure current density to monitor changes in plasma uniformity. The magnetic suppression field can be configured to have a very rapid decrease in field strength with distance to minimize plasma and implant perturbations and can include both radial and azimuthal components, or primarily azimuthal components. The azimuthal field component can be generated by multiple vertically oriented magnets of alternating polarity, or by the use of a magnetic field coil. In addition, dose electronics can provide integration of pulsed current at high voltage, and can convert the integrated charge to a series of light pulses coupled optically to a dose controller.

摘要翻译： 法拉第剂量和均匀性监测器可以包括围绕目标晶片的磁抑制环形法拉第杯。 狭窄的孔径可以减少法拉第杯开口内的排放。 环形法拉第杯可以具有连续的横截面，以消除由于断裂引起的排放。 多个不同半径的环形法拉第杯可以独立地测量电流密度以监测等离子体均匀性的变化。 磁场抑制场可以被配置为具有随着距离的场强非常快速的降低，以使等离子体和植入物扰动最小化，并且可以包括径向和方位角分量，或者主要包括方位角分量。 方位角分量可以由交替极性的多个垂直取向的磁体或通过使用磁场线圈来产生。 此外，剂量电子学可以提供高电压脉冲电流的集成，并且可以将积分电荷转换成光耦合到剂量控制器的一系列光脉冲。

公开(公告)号：US08692468B2

公开(公告)日：2014-04-08

申请号：US13251819

申请日：2011-10-03

申请人： Kamal Hadidi ,  Rajesh Dorai

发明人： Kamal Hadidi ,  Rajesh Dorai

IPC分类号： H01J7/24

CPC分类号： H01J37/08 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422

摘要： A RF source and method are disclosed which inductively create a plasma within an enclosure without an electric field or with a significantly decreased creation of an electric field. A ferrite material with an insulated wire wrapped around its body is used to efficiently channel the magnetic field through the legs of the ferrite. This magnetic field, which flows between the legs of the ferrite can then be used to create and maintain a plasma. In one embodiment, these legs rest on a dielectric window, such that the magnetic field passes into the chamber. In another embodiment, the legs of the ferrite extend into the processing chamber, thereby further extending the magnetic field into the chamber. This ferrite can be used in conjunction with a PLAD chamber, or an ion source for a traditional beam line ion implantation system.

摘要翻译： 公开了RF源和方法，其在外壳内感应地产生等离子体而没有电场或显着减少电场的产生。 使用缠绕在其本体上的具有绝缘线的铁氧体材料来有效地将磁场通过铁氧体的腿引导。 然后，可以使用在铁氧体的腿部之间流动的磁场来产生和维持等离子体。 在一个实施例中，这些腿搁置在电介质窗口上，使得磁场进入腔室。 在另一个实施例中，铁氧体的腿延伸到处理室中，从而进一步将磁场延伸到腔室中。 该铁氧体可以与PLAD室或用于传统束线离子注入系统的离子源结合使用。

公开(公告)号：US20130082599A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：US13251819

申请日：2011-10-03

申请人： Kamal Hadidi ,  Rajesh Dorai

发明人： Kamal Hadidi ,  Rajesh Dorai

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01J27/02

CPC分类号： H01J37/08 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422

摘要： A RF source and method are disclosed which inductively create a plasma within an enclosure without an electric field or with a significantly decreased creation of an electric field. A ferrite material with an insulated wire wrapped around its body is used to efficiently channel the magnetic field through the legs of the ferrite. This magnetic field, which flows between the legs of the ferrite can then be used to create and maintain a plasma. In one embodiment, these legs rest on a dielectric window, such that the magnetic field passes into the chamber. In another embodiment, the legs of the ferrite extend into the processing chamber, thereby further extending the magnetic field into the chamber. This ferrite can be used in conjunction with a PLAD chamber, or an ion source for a traditional beam line ion implantation system.

摘要翻译： 公开了RF源和方法，其在外壳内感应地产生等离子体而没有电场或显着减少电场的产生。 使用缠绕在其本体上的具有绝缘线的铁氧体材料来有效地将磁场通过铁氧体的腿引导。 然后，可以使用在铁氧体的腿部之间流动的磁场来产生和维持等离子体。 在一个实施例中，这些腿搁置在电介质窗口上，使得磁场进入腔室。 在另一个实施例中，铁氧体的腿延伸到处理室中，从而进一步将磁场延伸到腔室中。 该铁氧体可以与PLAD室或用于传统束线离子注入系统的离子源结合使用。

公开(公告)号：US20110000896A1

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：US12496080

申请日：2009-07-01

申请人： Kamal Hadidi ,  Rajesh Dorai ,  Bernard G. Lindsay ,  Vikram Singh ,  George D. Papasouliotis

发明人： Kamal Hadidi ,  Rajesh Dorai ,  Bernard G. Lindsay ,  Vikram Singh ,  George D. Papasouliotis

IPC分类号： H05H1/34 ,  H01L21/465

CPC分类号： C23C14/48 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32935

摘要： A method is disclosed for adjusting the composition of plasmas used in plasma doping, plasma deposition and plasma etching techniques. The disclosed method enables the plasma composition to be controlled by modifying the energy distribution of the electrons present in the plasma. Energetic electrons are produced in the plasma by accelerating electrons in the plasma using very fast voltage pulses. The pulses are long enough to influence the electrons, but too fast to affect the ions significantly. Collisions between the energetic electrons and the constituents of the plasma result in changes in the plasma composition. The plasma composition can then be optimized to meet the requirements of the specific process being used. This can entail changing the ratio of ion species in the plasma, changing the ratio of ionization to dissociation, or changing the excited state population of the plasma.

摘要翻译： 公开了一种用于调节用于等离子体掺杂，等离子体沉积和等离子体蚀刻技术的等离子体的组成的方法。 所公开的方法使得能够通过修改存在于等离子体中的电子的能量分布来控制等离子体组成。 通过使用非常快的电压脉冲加速等离子体中的电子，在等离子体中产生能量电子。 脉冲长度足以影响电子，但是太快而不能显着影响离子。 能量电子与等离子体成分之间的碰撞导致等离子体组成的变化。 然后可以优化等离子体组成以满足所使用的具体方法的要求。 这可能需要改变等离子体中的离子种类的比例，改变离子化与解离的比例，或改变等离子体的激发态群体。

公开(公告)号：US07667208B2

公开(公告)日：2010-02-23

申请号：US11550140

申请日：2006-10-17

申请人： Rajesh Dorai

发明人： Rajesh Dorai

IPC分类号： H01J37/244 ,  H01J37/252

CPC分类号： H01J37/3266 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/0045

摘要： A technique for confining secondary electrons on a wafer is disclosed. In one particular exemplary embodiment, the technique may be realized as an apparatus and method for confining secondary electrons in plasma-based ion implantation. The apparatus and method may comprise a magnetic field portion of a magnetic field configuration placed under a target wafer for generating a magnetic field above the target wafer for confining secondary electrons on the target wafer. The apparatus and method may also comprise a magnetic field above the target wafer that is substantially parallel to an upper surface of the target wafer. The apparatus and method may additionally comprise a magnetic field portion comprising at least one of a plurality of coils, one or more current-carrying wires, and a plurality of magnets.

摘要翻译： 公开了一种限制二次电子在晶片上的技术。 在一个特定的示例性实施例中，该技术可以被实现为用于限制基于等离子体的离子注入中的二次电子的装置和方法。 该装置和方法可以包括放置在目标晶片之下的磁场结构的磁场部分，用于在目标晶片上产生用于限制目标晶片上的二次电子的磁场。 该装置和方法还可以包括基本上平行于目标晶片的上表面的目标晶片上方的磁场。 该装置和方法可以另外包括磁场部分，其包括多个线圈，一个或多个载流导线和多个磁体中的至少一个。

公开(公告)号：US07655922B2

公开(公告)日：2010-02-02

申请号：US11568000

申请日：2006-12-07

申请人： Donna L. Smatlak ,  Gordon C. Angel ,  Rajesh Dorai

发明人： Donna L. Smatlak ,  Gordon C. Angel ,  Rajesh Dorai

IPC分类号： H01J37/317

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/026 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/152 ,  H01J2237/31701

摘要： Techniques for confining electrons in an ion implanter are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for confining electrons in an ion implanter. The apparatus may comprise a first array of magnets and a second array of magnets positioned along at least a portion of a beam path, the first array being on a first side of the beam path and the second array being on a second side of the beam path, the first side opposing the second side. At least one magnet in the first array may have a pole facing an opposite pole of a corresponding magnet in the second array.

摘要翻译： 公开了将电子限制在离子注入机中的技术。 在一个特定的示例性实施例中，技术可以被实现为用于将电子限制在离子注入机中的装置。 该装置可以包括第一磁体阵列和沿着光束路径的至少一部分定位的第二磁体阵列，第一阵列位于光束路径的第一侧上，第二阵列位于光束的第二侧上 路径，第一面反对第二面。 第一阵列中的至少一个磁体可以具有面对第二阵列中相应磁体的相对极的极。

公开(公告)号：US20080135775A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US11568000

申请日：2006-12-07

申请人： Donna L. Smatlak ,  Gordon C. Angel ,  Rajesh Dorai

发明人： Donna L. Smatlak ,  Gordon C. Angel ,  Rajesh Dorai

IPC分类号： H01J1/50

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/026 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/152 ,  H01J2237/31701

摘要： Techniques for confining electrons in an ion implanter are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for confining electrons in an ion implanter. The apparatus may comprise a first array of magnets and a second array of magnets positioned along at least a portion of a beam path, the first array being on a first side of the beam path and the second array being on a second side of the beam path, the first side opposing the second side. At least one magnet in the first array may have a pole facing an opposite pole of a corresponding magnet in the second array.

摘要翻译： 公开了将电子限制在离子注入机中的技术。 在一个特定的示例性实施例中，技术可以被实现为用于将电子限制在离子注入机中的装置。 该装置可以包括第一磁体阵列和沿着光束路径的至少一部分定位的第二磁体阵列，第一阵列位于光束路径的第一侧上，第二阵列位于光束的第二侧上 路径，第一面反对第二面。 第一阵列中的至少一个磁体可以具有面对第二阵列中相应磁体的相对极的极。

公开(公告)号：US08664561B2

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：US12496080

申请日：2009-07-01

申请人： Kamal Hadidi ,  Rajesh Dorai ,  Bernard G. Lindsay ,  Vikram Singh ,  George D. Papasouliotis

发明人： Kamal Hadidi ,  Rajesh Dorai ,  Bernard G. Lindsay ,  Vikram Singh ,  George D. Papasouliotis

IPC分类号： B23K10/00

CPC分类号： C23C14/48 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32935

摘要： A method is disclosed for adjusting the composition of plasmas used in plasma doping, plasma deposition and plasma etching techniques. The disclosed method enables the plasma composition to be controlled by modifying the energy distribution of the electrons present in the plasma. Energetic electrons are produced in the plasma by accelerating electrons in the plasma using very fast voltage pulses. The pulses are long enough to influence the electrons, but too fast to affect the ions significantly. Collisions between the energetic electrons and the constituents of the plasma result in changes in the plasma composition. The plasma composition can then be optimized to meet the requirements of the specific process being used. This can entail changing the ratio of ion species in the plasma, changing the ratio of ionization to dissociation, or changing the excited state population of the plasma.

摘要翻译： 公开了一种用于调节用于等离子体掺杂，等离子体沉积和等离子体蚀刻技术的等离子体的组成的方法。 所公开的方法使得能够通过修改存在于等离子体中的电子的能量分布来控制等离子体组成。 通过使用非常快的电压脉冲加速等离子体中的电子，在等离子体中产生能量电子。 脉冲长度足以影响电子，但是太快而不能显着影响离子。 能量电子与等离子体成分之间的碰撞导致等离子体组成的变化。 然后可以优化等离子体组成以满足所使用的具体方法的要求。 这可能需要改变等离子体中的离子种类的比例，改变离子化与解离的比例，或改变等离子体的激发态群体。

公开(公告)号：US07812321B2

公开(公告)日：2010-10-12

申请号：US12137225

申请日：2008-06-11

申请人： Peter Kurunczi ,  Rajesh Dorai ,  Costel Biloiu ,  Wilhelm Platow

发明人： Peter Kurunczi ,  Rajesh Dorai ,  Costel Biloiu ,  Wilhelm Platow

IPC分类号： H01J27/00 ,  H01J27/24 ,  H01T23/00

CPC分类号： H01J37/08 ,  H01J27/08 ,  H01J27/16 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/0827 ,  H01J2237/304

摘要： Techniques for providing a multimode ion source are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for ion implantation comprising an ion source that operates in multiple modes such that a first mode is an arc-discharge mode and a second mode is an RF mode.

摘要翻译： 公开了提供多模离子源的技术。 在一个特定示例性实施例中，可以将技术实现为用于离子注入的装置，其包括以多种模式操作的离子源，使得第一模式是电弧放电模式，而第二模式是RF模式。

公开(公告)号：US20080317968A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12200178

申请日：2008-08-28

申请人： Vikram SINGH ,  James Steve Buff ,  Rajesh Dorai

发明人： Vikram SINGH ,  James Steve Buff ,  Rajesh Dorai

IPC分类号： C23C14/00

CPC分类号： H01J37/32412 ,  C23C14/48 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32752

摘要： A plasma doping apparatus includes a chamber and a plasma source that generates ions in the chamber from a dopant gas. A grating is positioned in the chamber. A platen for supporting a target is positioned in the chamber. At least one of the grating and the target are oriented so that dopant ions extracted from the grating impact the target at a non-normal angle of incidence.

摘要翻译： 等离子体掺杂装置包括腔室和等离子体源，其在腔室中从掺杂气体产生离子。 光栅位于腔室中。 用于支撑靶的压板位于腔室中。 光栅和靶中的至少一个被定向成使得从光栅提取的掺杂离子以非正常的入射角撞击靶。