公开(公告)号：US06706640B1

公开(公告)日：2004-03-16

申请号：US10292355

申请日：2002-11-12

申请人： Ming-Huan Tsai ,  Ju-Wang Hsu ,  Peng-Fu Hsu ,  Hun-Jan Tao

发明人： Ming-Huan Tsai ,  Ju-Wang Hsu ,  Peng-Fu Hsu ,  Hun-Jan Tao

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802

摘要： A plasma etch method for etching a dielectric layer and an etch stop layer to reach a metal silicide layer formed thereunder employs for etching the etch stop layer an etchant gas composition comprising a fluorine containing gas and a nitrogen containing gas, preferably with a carrier gas such as argon or helium, but without an oxygen containing gas or a carbon and oxygen containing gas. The plasma etch method is selective for the etch stop layer with respect to the metal silicide layer, thus maintaining the physical and electrical integrity of the metal silicide layer.

摘要翻译： 用于蚀刻介电层和蚀刻停止层以达到其下形成的金属硅化物层的等离子体蚀刻方法用于蚀刻蚀刻停止层包括含氟气体和含氮气体的蚀刻剂气体组合物，优选地使用载气如 作为氩或氦，但不含含氧气体或含碳和氧的气体。 等离子体蚀刻方法对于蚀刻停止层相对于金属硅化物层是选择性的，从而保持金属硅化物层的物理和电气完整性。

公开(公告)号：US07732878B2

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：US11583634

申请日：2006-10-18

申请人： Liang-Gi Yao ,  Shiang-Bau Wang ,  Huan-Just Lin ,  Peng-Fu Hsu ,  Jin Ying ,  Hun-Jan Tao

发明人： Liang-Gi Yao ,  Shiang-Bau Wang ,  Huan-Just Lin ,  Peng-Fu Hsu ,  Jin Ying ,  Hun-Jan Tao

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823835 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

摘要： A semiconductor structure includes a substrate, a gate stack on the substrate, a source/drain region adjacent the gate stack, a source/drain silicide region on the source/drain region, a protection layer on the source/drain silicide region, wherein a region over the gate stack is substantially free from the protection layer, and a contact etch stop layer (CESL) having a stress over the protection layer and extending over the gate stack.

摘要翻译： 半导体结构包括衬底，衬底上的栅极堆叠，与栅极堆叠相邻的源极/漏极区域，源极/漏极区域上的源极/漏极硅化物区域，源极/漏极硅化物区域上的保护层，其中 栅极叠层上的区域基本上没有保护层，以及在保护层上方并且在栅极堆叠上延伸的接触蚀刻停止层（CESL）。

公开(公告)号：US20080050879A1

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：US11466656

申请日：2006-08-23

申请人： Cheng-Lung Hung ,  Peng-Fu Hsu ,  Jin Ying ,  Hun-Jan Tao

发明人： Cheng-Lung Hung ,  Peng-Fu Hsu ,  Jin Ying ,  Hun-Jan Tao

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

摘要： A method of forming a metal-containing gate includes forming a high-k dielectric layer over a substrate. A process using an oxygen-containing solution is provided to process the high-k dielectric layer. A metal-containing layer is formed over the high-k dielectric layer. The high-k dielectric layer and metal-containing layer are patterned, thereby defining a gate structure.

摘要翻译： 形成含金属栅极的方法包括在衬底上形成高k电介质层。 提供使用含氧溶液的方法来处理高k电介质层。 在高k电介质层上形成含金属层。 图案化高k电介质层和含金属层，由此限定栅极结构。

公开(公告)号：US20080001237A1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：US11478476

申请日：2006-06-29

申请人： Vincent S. Chang ,  Peng-Fu Hsu ,  Fong-Yu Yen ,  Yong-Tian Hou ,  Jin Ying ,  Hun-Jan Tao

发明人： Vincent S. Chang ,  Peng-Fu Hsu ,  Fong-Yu Yen ,  Yong-Tian Hou ,  Jin Ying ,  Hun-Jan Tao

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7833

摘要： Disclosed is a semiconductor device having a substrate, an interfacial layer formed on said substrate, a nitrogen-containing high dielectric constant (high-k) layer formed on said interfacial layer, and a metal electrode on said nitrogen-containing high-k layer. Also disclosed is a method of forming a transistor including forming on a substrate an interfacial layer comprising silicon and oxygen, depositing on the interfacial layer a high-k dielectric material, nitriding the high-k dielectric material, depositing a metal layer on the high-k dielectric material, and patterning the metal layer, the high-k dielectric material, and the interfacial layer to form a gate stack.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件，其具有基板，在所述基板上形成的界面层，在所述界面层上形成的含氮高介电常数（高k）层和所述含氮高k层上的金属电极。 还公开了一种形成晶体管的方法，包括在衬底上形成包含硅和氧的界面层，在界面层上沉积高k电介质材料，氮化高k电介质材料，在高介电材料上沉积金属层， k电介质材料，并且图案化金属层，高k电介质材料和界面层以形成栅极堆叠。

公开(公告)号：US07531399B2

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US11532308

申请日：2006-09-15

申请人： Fong-Yu Yen ,  Cheng-Lung Hung ,  Peng-Fu Hsu ,  Vencent S. Chang ,  Yong-Tian Hou ,  Jin Ying ,  Hun-Jan Tao

发明人： Fong-Yu Yen ,  Cheng-Lung Hung ,  Peng-Fu Hsu ,  Vencent S. Chang ,  Yong-Tian Hou ,  Jin Ying ,  Hun-Jan Tao

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/518

摘要： A semiconductor device is disclosed that includes: a substrate; a first high-k dielectric layer; a second high-k dielectric layer formed of a different high-k material; and a metal gate. In another form, a method of forming a semiconductor device is disclosed that includes: providing a substrate; forming a first high-k dielectric layer above the substrate; forming a second dielectric layer of a different high-k material above the first dielectric layer; and forming a gate structure above the second dielectric layer. In yet another form, a method of forming a semiconductor device is disclosed that includes: providing a substrate; forming an interfacial layer above the substrate; forming a first high-k dielectric layer above the interfacial layer; performing a nitridation technique; performing an anneal; forming a second high-k dielectric layer of a different high-k material above the first dielectric layer; and forming a metal gate structure above the second dielectric layer.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件，包括：衬底; 第一高k电介质层; 由不同的高k材料形成的第二高k电介质层; 和金属门。 在另一种形式中，公开了一种形成半导体器件的方法，包括：提供衬底; 在所述衬底上形成第一高k电介质层; 在所述第一介电层上形成不同高k材料的第二电介质层; 以及在所述第二电介质层上形成栅极结构。 在另一种形式中，公开了一种形成半导体器件的方法，其包括：提供衬底; 在基底上形成界面层; 在界面层上形成第一高k电介质层; 进行氮化技术; 进行退火; 在所述第一介电层上形成不同高k材料的第二高k电介质层; 以及在所述第二电介质层上方形成金属栅极结构。

公开(公告)号：US07378713B2

公开(公告)日：2008-05-27

申请号：US11552704

申请日：2006-10-25

申请人： Peng-Fu Hsu ,  Fong-Yu Yen ,  Yi-Shien Mor ,  Huan-Just Lin ,  Ying Jin ,  Hun-Jan Tao

发明人： Peng-Fu Hsu ,  Fong-Yu Yen ,  Yi-Shien Mor ,  Huan-Just Lin ,  Ying Jin ,  Hun-Jan Tao

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7833

摘要： Semiconductor devices with dual-metal gate structures and fabrication methods thereof. A semiconductor substrate with a first doped region and a second doped region separated by an insulation layer is provided. A first metal gate stack is formed on the first doped region, and a second metal gate stack is formed on the second doped region. A sealing layer is disposed on sidewalls of the first gate stack and the second gate stack. The first metal gate stack comprises an interfacial layer, a high-k dielectric layer on the interfacial layer, a first metal layer on the high-k dielectric layer, a metal insertion layer on the first metal layer, a second metal layer on the metal insertion layer, and a polysilicon layer on the second metal layer. The second metal gate stack comprises an interfacial layer, a high-k dielectric layer on the interfacial layer, a second metal layer on the high-k dielectric layer, and a polysilicon layer on the second metal layer.

摘要翻译： 具有双金属栅极结构的半导体器件及其制造方法。 提供了具有由绝缘层分隔开的第一掺杂区域和第二掺杂区域的半导体衬底。 在第一掺杂区上形成第一金属栅叠层，在第二掺杂区上形成第二金属栅叠层。 密封层设置在第一栅极堆叠和第二栅极叠层的侧壁上。 第一金属栅叠层包括界面层，界面层上的高k电介质层，高k电介质层上的第一金属层，第一金属层上的金属插入层，金属上的第二金属层 插入层和第二金属层上的多晶硅层。 第二金属栅堆叠包括界面层，界面层上的高k电介质层，高k电介质层上的第二金属层和第二金属层上的多晶硅层。

公开(公告)号：US20080093675A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11583634

申请日：2006-10-18

申请人： Liang-Gi Yao ,  Shiang-Bau Wang ,  Huan-Just Lin ,  Peng-Fu Hsu ,  Jin Ying ,  Hun-Jan Tao

发明人： Liang-Gi Yao ,  Shiang-Bau Wang ,  Huan-Just Lin ,  Peng-Fu Hsu ,  Jin Ying ,  Hun-Jan Tao

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L21/823835 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

摘要： A semiconductor structure includes a substrate, a gate stack on the substrate, a source/drain region adjacent the gate stack, a source/drain silicide region on the source/drain region, a protection layer on the source/drain silicide region, wherein a region over the gate stack is substantially free from the protection layer, and a contact etch stop layer (CESL) having a stress over the protection layer and extending over the gate stack.

摘要翻译： 半导体结构包括衬底，衬底上的栅极堆叠，与栅极堆叠相邻的源极/漏极区域，源极/漏极区域上的源极/漏极硅化物区域，源极/漏极硅化物区域上的保护层，其中 栅极叠层上的区域基本上没有保护层，以及在保护层上方并且在栅极堆叠上延伸的接触蚀刻停止层（CESL）。

公开(公告)号：US06864193B2

公开(公告)日：2005-03-08

申请号：US10379769

申请日：2003-03-05

申请人： Chun-Li Chou ,  Hun-Jan Tao ,  Peng-Fu Hsu

发明人： Chun-Li Chou ,  Hun-Jan Tao ,  Peng-Fu Hsu

IPC分类号： C11D7/26 ,  C11D7/50 ,  C11D11/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/02063 ,  C11D7/261 ,  C11D7/263 ,  C11D7/265 ,  C11D7/267 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/906

摘要： A composition and method for fabricating a semiconductor wafer containing copper is disclosed, which method includes plasma etching a dielectric layer from the surface of the wafer, plasma ashing a resist from the surface of the wafer, and cleaning the wafer surface by contacting same with a cleaning formulation, which includes the following components and their percentage by weight ranges shown: (a) from about 0.01 to 80% by weight organic solvent, (b) from about 0.01 to 30% by weight copper chelating agent, (c) from about 0.01 to 10% by weight copper inhibitor, and (d) from about 0.01 to 70% by weight water.

摘要翻译： 公开了一种用于制造含有铜的半导体晶片的组合物和方法，该方法包括从晶片的表面等离子体蚀刻介电层，等离子体从晶片的表面灰化抗蚀剂，以及通过使晶片表面与 清洁制剂，其包括以下组分及其重量百分比范围：（a）约0.01至80重量％的有机溶剂，（b）约0.01至30重量％的铜螯合剂，（c）约 0.01〜10重量％的铜抑制剂，（d）约0.01〜70重量％的水。

公开(公告)号：US08384159B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US12426477

申请日：2009-04-20

申请人： Fong-Yu Yen ,  Cheng-Lung Hung ,  Peng-Fu Hsu ,  Vencent S. Chang ,  Yong-Tian Hou ,  Jin Ying ,  Hun-Jan Tao

发明人： Fong-Yu Yen ,  Cheng-Lung Hung ,  Peng-Fu Hsu ,  Vencent S. Chang ,  Yong-Tian Hou ,  Jin Ying ,  Hun-Jan Tao

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/518

摘要： A semiconductor device is disclosed that includes: a substrate; a first dielectric layer formed over the substrate and formed of a first high-k material, the first high-k material selected from the group consisting of HfO2, HfSiO, HfSiON, HfTaO, HfTiO, HfTiTaO, HfAlON, and HfZrO; a second dielectric layer formed over the first dielectric layer and formed of a second high-k material, the second high-k material being different than the first high-k material and selected from the group consisting of HfO2, HfSiO, HfSiON, HfTaO, HfTiO, HfTiTaO, HfAlON, and HfZrO; and a metal gate formed over the second dielectric layer. The first dielectric layer includes ions selected from the group consisting of N, O, and Si.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件，包括：衬底; 形成在所述衬底上并由第一高k材料形成的第一介电层，所述第一高k材料选自HfO 2，HfSiO，HfSiON，HfTaO，HfTiO，HfTiTaO，HfAlON和HfZrO; 形成在所述第一介电层上并由第二高k材料形成的第二介电层，所述第二高k材料不同于所述第一高k材料并选自HfO 2，HfSiO，HfSiON，HfTaO， HfTiO，HfTiTaO，HfAlON和HfZrO; 以及形成在第二介电层上的金属栅极。 第一电介质层包括选自N，O和Si的离子。

公开(公告)号：US07939396B2

公开(公告)日：2011-05-10

申请号：US11450204

申请日：2006-06-09

申请人： Peng-Fu Hsu ,  Jin Ying ,  Hun-Jan Tao

发明人： Peng-Fu Hsu ,  Jin Ying ,  Hun-Jan Tao

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/02312 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665

摘要： A method of forming a semiconductor structure includes providing a semiconductor substrate, performing a hydrogen annealing to the semiconductor substrate, forming a base oxide layer after the step of hydrogen annealing, and forming a high-k dielectric layer on the base oxide layer.

摘要翻译： 形成半导体结构的方法包括提供半导体衬底，对半导体衬底进行氢退火，在氢退火步骤之后形成基底氧化物层，以及在基底氧化物层上形成高k电介质层。