公开(公告)号：US07220658B2

公开(公告)日：2007-05-22

申请号：US10537644

申请日：2003-07-15

申请人： Benjamin A Haskell ,  Michael D. Craven ,  Paul T. Fini ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Benjamin A Haskell ,  Michael D. Craven ,  Paul T. Fini ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar a-plane gallium nitride (GaN) films by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) results in significantly reduced defect density.

摘要翻译： 通过氢化物气相外延（HVPE）的非极性a面平面氮化镓（GaN）膜的横向外延生长（LEO）导致显着降低的缺陷密度。

公开(公告)号：US07982208B2

公开(公告)日：2011-07-19

申请号：US11472033

申请日：2006-06-21

申请人： Michael D. Craven ,  Stacia Keller ,  Steven P. Denbaars ,  Tal Margalith ,  James Stephen Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

发明人： Michael D. Craven ,  Stacia Keller ,  Steven P. Denbaars ,  Tal Margalith ,  James Stephen Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： A method for forming non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices. Non-polar (11 20) a-plane GaN layers are grown on an r-plane (1 102) sapphire substrate using MOCVD. These non-polar (11 20) a-plane GaN layers comprise templates for producing non-polar (Al, B, In, Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices.

摘要翻译： 一种形成非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的方法。 使用MOCVD在非平面（1120）蓝宝石衬底上生长非极性（11 20）a面GaN层。 这些非极性（11 20）a面GaN层包括用于产生非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的模板。

公开(公告)号：US20120205623A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13457032

申请日：2012-04-26

申请人： Michael D. Craven ,  Stacia Keller ,  Steven P. DenBaars ,  Tal Margalith ,  James Stephen Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

发明人： Michael D. Craven ,  Stacia Keller ,  Steven P. DenBaars ,  Tal Margalith ,  James Stephen Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L29/201

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： A method for forming non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices. Non-polar (11 20) a-plane GaN layers are grown on an r-plane (11 02) sapphire substrate using MOCVD. These non-polar (11 20) a-plane GaN layers comprise templates for producing non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices.

摘要翻译： 一种形成非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的方法。 使用MOCVD在非平面（1120）蓝宝石衬底上生长非极性（11 20）a面GaN层。 这些非极性（11 20）a面GaN层包括用于产生非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的模板。

公开(公告)号：US20110204329A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US13099834

申请日：2011-05-03

申请人： Michael D. Craven ,  Stacia Keller ,  Steven P. DenBaars ,  Tal Margalith ,  James Stephen Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

发明人： Michael D. Craven ,  Stacia Keller ,  Steven P. DenBaars ,  Tal Margalith ,  James Stephen Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

IPC分类号： H01L29/15

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： A method for forming non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices. Non-polar (11 20) a-plane GaN layers are grown on an r-plane (1 102) sapphire substrate using MOCVD. These non-polar (11 20) a-plane GaN layers comprise templates for producing non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices.

摘要翻译： 一种形成非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的方法。 使用MOCVD在非平面（1120）蓝宝石衬底上生长非极性（11 20）a面GaN层。 这些非极性（11 20）a面GaN层包括用于产生非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的模板。

公开(公告)号：US07091514B2

公开(公告)日：2006-08-15

申请号：US10413690

申请日：2003-04-15

申请人： Michael D. Craven ,  Stacia Keller ,  Steven P. Denbaars ,  Tal Margalith ,  James Stephen Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

发明人： Michael D. Craven ,  Stacia Keller ,  Steven P. Denbaars ,  Tal Margalith ,  James Stephen Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

IPC分类号： H01L31/072

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： A method for forming non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices. Non-polar (11{overscore (2)}0) a-plane GaN layers are grown on an r-plane (1{overscore (1)}02) sapphire substrate using MOCVD. These non-polar (11{overscore (2)}0) a-plane GaN layers comprise templates for producing non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices.

摘要翻译： 一种形成非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的方法。 非极性（11（超（20））a面GaN层使用MOCVD在r平面（1（超芯（10 2））蓝宝石衬底上生长，这些非极性（11（超核（2O） 平面GaN层包括用于产生非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的模板。

公开(公告)号：US06900070B2

公开(公告)日：2005-05-31

申请号：US10413913

申请日：2003-04-15

申请人： Michael D. Craven ,  Steven P. Denbaars ,  James Stephen Speck

发明人： Michael D. Craven ,  Steven P. Denbaars ,  James Stephen Speck

IPC分类号： C23C16/04 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/10 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40 ,  C30B29/60 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343 ,  H01L21/00

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Lateral epitaxial overgrowth of non-polar (11{overscore (2)}0) a-plane GaN seed layers reduces threading dislocations in the GaN films. First, a thin patterned dielectric mask is applied to the seed layer. Second, a selective epitaxial regrowth is performed to achieve a lateral overgrowth based on the patterned mask. Upon regrowth, the GaN films initially grow vertically through openings in the dielectric mask before laterally overgrowing the mask in directions perpendicular to the vertical growth direction. Threading dislocations are reduced in the overgrown regions by (1) the mask blocking the propagation of dislocations vertically into the growing film and (2) the bending of dislocations through the transition from vertical to lateral growth.

摘要翻译： 非极性（11（超（20））a面GaN种子层的横向外延生长减少了GaN膜中的穿透位错首先，将薄的图案化介电掩模施加到种子层;其次，进行选择性外延再生长 为了实现基于图案化掩模的横向过度生长，在再生长时，GaN膜最初垂直于介电掩模中的开口生长，然后在垂直于垂直生长方向的方向上横向过度生长掩模之前，穿越位错通过（ 1）掩模阻止位错的垂直传播到生长膜中，和（2）通过从垂直向侧向生长的过渡的位错的弯曲。

公开(公告)号：US20090240319A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12052269

申请日：2008-03-20

申请人： Michael D. Craven

发明人： Michael D. Craven

IPC分类号： A61F2/06

CPC分类号： A61F2/915 ,  A61F2/91 ,  A61F2002/91516 ,  A61F2002/91525 ,  A61F2002/91541 ,  A61F2002/91575 ,  A61F2220/005 ,  A61F2220/0058 ,  A61F2230/0054

摘要： A stent made up of at least two connected bands, each band having a pattern of undulations formed from long, short and mid-sized segments connected together by turns. In particular, the pattern includes a repeating series having five segments: a long segment, a short segment, a mid-sized segment, a mid-sized segment, a short segment (LSMMS). When adjacent bands are connected together to form the stent body, the LSMMS segment configuration forms a series of consecutive tapered gaps between the consecutive unconnected close ended turns of adjacent bands which provide greater flexibility for the stent. The series of consecutive tapered gaps allow the stent to flex with little or no interference with adjacent bands when the stent is tracked around a small radius bend in a vessel. In addition, the length of the longest rigid element of the stent is decreased to further improve flexibility. A rigid element is formed by the lengths of the segments on both sides of a connection between adjacent bands. By decreasing the length of this rigid element, the length which must be tracked around the bends of a vessel is shortened and thus the stent is easier to advance.

摘要翻译： 由至少两个连接的带构成的支架，每个带具有由长，短和中等尺寸的片段形成的波纹图案，其由匝连接在一起。 特别地，该图案包括具有五个段的重复序列：长段，短段，中等段，中等段，短段（LSMMS）。 当相邻带连接在一起以形成支架体时，LSMMS段构型在相邻带的连续未连接的近端匝之间形成一系列连续的锥形间隙，这为支架提供了更大的灵活性。 一系列连续的锥形间隙允许支架在邻近带的几乎或不干涉下弯曲，当支架围绕容器中的小半径弯曲进行跟踪时。 此外，支架的最长刚性元件的长度减小以进一步提高柔韧性。 刚性元件由相邻带之间的连接的两侧上的段的长度形成。 通过减小该刚性元件的长度，必须围绕容器弯曲部追踪的长度被缩短，因此支架更容易前进。

公开(公告)号：US09039834B2

公开(公告)日：2015-05-26

申请号：US13151491

申请日：2011-06-02

申请人： Michael D. Craven ,  James Stephen Speck

发明人： Michael D. Craven ,  James Stephen Speck

IPC分类号： C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/10 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Non-polar (11 20) a-plane gallium nitride (GaN) films with planar surfaces are grown on (1 102) r-plane sapphire substrates by employing a low temperature nucleation layer as a buffer layer prior to a high temperature growth of the non-polar (11 20) a-plane GaN thin films.

摘要翻译： 在（1022）r面蓝宝石衬底上生长具有平面表面的非极性（1120）a面氮化镓（GaN）膜，在高温成长之前采用低温成核层作为缓冲层 非极性（11 20）a面GaN薄膜。

公开(公告)号：US20110229639A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US13151491

申请日：2011-06-02

申请人： Michael D. Craven ,  James Stephen Speck

发明人： Michael D. Craven ,  James Stephen Speck

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Non-polar (11 20) a-plane gallium nitride (GaN) films with planar surfaces are grown on (1 102) r-plane sapphire substrates by employing a low temperature nucleation layer as a buffer layer prior to a high temperature growth of the non-polar (11 20) a-plane GaN thin films.

摘要翻译： 在（1022）r面蓝宝石衬底上生长具有平面表面的非极性（1120）a面氮化镓（GaN）膜，在高温成长之前采用低温成核层作为缓冲层 非极性（11 20）a面GaN薄膜。