公开(公告)号：US09257612B2

公开(公告)日：2016-02-09

申请号：US13704600

申请日：2011-05-26

申请人： Lutz Höppel ,  Norwin Von Malm

发明人： Lutz Höppel ,  Norwin Von Malm

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L33/46 ,  H01L33/38 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L33/20

CPC分类号： H01L33/46 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/861 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/186 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

摘要： A method for producing an optoelectronic semiconductor chip is specified, comprising the following steps: providing an n-conducting layer (2), arranging a p-conducting layer (4) on the n-conducting layer (2), arranging a metal layer sequence (5) on the p-conducting layer (4), arranging a mask (6) at that side of the metal layer sequence (5) which is remote from the p-conducting layer (4), in places removing the metal layer sequence (5) and uncovering the p-conducting layer (4) using the mask (6), and in places neutralizing or removing the uncovered regions (4a) of the p-conducting layer (4) as far as the n-conducting layer (2) using the mask (6), wherein the metal layer sequence (5) comprises at least one mirror layer (51) and a barrier layer (52), and the mirror layer (51) of the metal layer sequence (5) faces the p-conducting layer (4).

摘要翻译： 规定了光电子半导体芯片的制造方法，包括以下步骤：在n导电层（2）上设置n导电层（2），配置p导电层（4），配置金属层序列 （5）在p导电层（4）上，在远离导电层（4）的金属层序列（5）的该侧布置掩模（6），去除金属层序列 （5），并且使用掩模（6）露出p导电层（4），并且在中和或去除p导电层（4）的未覆盖区域（4a）的地方，直到n导电层（ 2）使用掩模（6），其中金属层序列（5）包括至少一个镜层（51）和阻挡层（52），并且金属层序列（5）的镜层（51）面向 p导电层（4）。

公开(公告)号：US20120098016A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US13318800

申请日：2010-06-10

申请人： Lutz Höppel ,  Norwin von Malm

发明人： Lutz Höppel ,  Norwin von Malm

IPC分类号： H01L33/60 ,  H01L33/52

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L24/05 ,  H01L33/405 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic semiconductor component includes a carrier and at least one semiconductor layer sequence. The semiconductor layer sequence includes at least one active layer. The semiconductor layer sequence is furthermore mounted on the carrier. The semiconductor component furthermore includes a metal mirror located between the carrier and the semiconductor layer sequence. The carrier and the semiconductor layer sequence project laterally beyond the metal mirror. The metal mirror is laterally surrounded by a radiation-transmissive encapsulation layer.

摘要翻译： 光电子半导体部件包括载体和至少一个半导体层序列。 半导体层序列包括至少一个有源层。 此外，半导体层序列安装在载体上。 半导体部件还包括位于载体和半导体层序列之间的金属反射镜。 载体和半导体层序列横向突出超过金属镜。 金属镜被辐射透射封装层横向包围。

公开(公告)号：US09179507B2

公开(公告)日：2015-11-03

申请号：US13821551

申请日：2011-07-25

申请人： Siegfried Herrmann ,  Norwin Von Malm ,  Lutz Höppel

发明人： Siegfried Herrmann ,  Norwin Von Malm ,  Lutz Höppel

IPC分类号： H05B37/00 ,  H05B33/08 ,  H01L41/04 ,  H01L41/107 ,  F21L13/06

CPC分类号： H05B33/08 ,  F21L13/06 ,  H01L41/044 ,  H01L41/107 ,  H05B33/0809

摘要： What is specified is: a lighting apparatus, with a piezoelectric transformer (1), which has a mounting face (10), on which at least two output-side connection points (11) are arranged, and at least one substrateless light-emitting diode (2), which is designed to generate electromagnetic radiation, wherein the at least one substrateless light-emitting diode (2) is fitted at least indirectly to the mounting face (10) and fastened mechanically to the mounting face (10), and the at least one substrateless light-emitting diode (2) is electrically conductively connected to at least two of the output-side connection points (11).

摘要翻译： 具体实施方式是：具有压电变压器（1）的照明装置，其具有安装面（10），至少两个输出侧连接点（11）配置在所述安装面上，以及至少一个无基板发光 被设计成产生电磁辐射的二极管（2），其中所述至少一个无基板发光二极管（2）至少间接地装配到所述安装面（10）并机械地紧固到所述安装面（10），以及 所述至少一个无衬底发光二极管（2）与所述输出侧连接点（11）中的至少两个导电地连接。

公开(公告)号：US20140145227A1

公开(公告)日：2014-05-29

申请号：US13819873

申请日：2011-08-17

申请人： Lutz Höppel ,  Norwin von Malm ,  Matthias Sabathil

发明人： Lutz Höppel ,  Norwin von Malm ,  Matthias Sabathil

IPC分类号： H01L33/22

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/0079

摘要： A light-emitting diode chip includes a semiconductor body including a radiation-generating active region, at least two contact locations electrically contacting the active region, a carrier and a connecting medium arranged between the carrier and the semiconductor body, wherein the semiconductor body includes roughening on outer surfaces facing the carrier, the semiconductor body mechanically connects to the carrier by the connecting medium, the connecting medium locally directly contacts the semiconductor body and the carrier, and the at least two contact locations are arranged on the upper side of the semiconductor body facing away from the carrier.

摘要翻译： 发光二极管芯片包括半导体本体，其包括辐射产生有源区，至少两个电接触有源区的接触位置，载体和布置在载体和半导体本体之间的连接介质，其中半导体主体包括粗糙化 在面向载体的外表面上，半导体主体通过连接介质机械连接到载体，连接介质局部直接接触半导体本体和载体，并且至少两个接触位置被布置在半导体本体的上侧 面向远离运营商。

公开(公告)号：US20130229793A1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：US13821551

申请日：2011-07-25

申请人： Siegfried Herrmann ,  Norwin Von Malm ,  Lutz Höppel

发明人： Siegfried Herrmann ,  Norwin Von Malm ,  Lutz Höppel

IPC分类号： H05B33/08 ,  F21L13/06

CPC分类号： H05B33/08 ,  F21L13/06 ,  H01L41/044 ,  H01L41/107 ,  H05B33/0809

摘要： What is specified is: a lighting apparatus, with a piezoelectric transformer (1), which has a mounting face (10), on which at least two output-side connection points (11) are arranged, and at least one substrateless light-emitting diode (2), which is designed to generate electromagnetic radiation, wherein the at least one substrateless light-emitting diode (2) is fitted at least indirectly to the mounting face (10) and fastened mechanically to the mounting face (10), and the at least one substrateless light-emitting diode (2) is electrically conductively connected to at least two of the output-side connection points (11).

摘要翻译： 具体实施方式是：具有压电变压器（1）的照明装置，其具有安装面（10），至少两个输出侧连接点（11）配置在所述安装面上，以及至少一个无基板发光 被设计成产生电磁辐射的二极管（2），其中所述至少一个无基板发光二极管（2）至少间接地装配到所述安装面（10）并机械地紧固到所述安装面（10），以及 所述至少一个无衬底发光二极管（2）与所述输出侧连接点（11）中的至少两个导电地连接。

公开(公告)号：US09601663B2

公开(公告)日：2017-03-21

申请号：US13819873

申请日：2011-08-17

申请人： Lutz Höppel ,  Norwin von Malm ,  Matthias Sabathil

发明人： Lutz Höppel ,  Norwin von Malm ,  Matthias Sabathil

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/22

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/0079

摘要： A light-emitting diode chip includes a semiconductor body including a radiation-generating active region, at least two contact locations electrically contacting the active region, a carrier and a connecting medium arranged between the carrier and the semiconductor body, wherein the semiconductor body includes roughening on outer surfaces facing the carrier, the semiconductor body mechanically connects to the carrier by the connecting medium, the connecting medium locally directly contacts the semiconductor body and the carrier, and the at least two contact locations are arranged on the upper side of the semiconductor body facing away from the carrier.

公开(公告)号：US08698178B2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：US13318800

申请日：2010-06-10

申请人： Lutz Höppel ,  Norwin von Malm

发明人： Lutz Höppel ,  Norwin von Malm

IPC分类号： H01L33/52

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L24/05 ,  H01L33/405 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic semiconductor component includes a carrier and at least one semiconductor layer sequence. The semiconductor layer sequence includes at least one active layer. The semiconductor layer sequence is furthermore mounted on the carrier. The semiconductor component furthermore includes a metal mirror located between the carrier and the semiconductor layer sequence. The carrier and the semiconductor layer sequence project laterally beyond the metal mirror. The metal mirror is laterally surrounded by a radiation-transmissive encapsulation layer.

摘要翻译： 光电子半导体部件包括载体和至少一个半导体层序列。 半导体层序列包括至少一个有源层。 此外，半导体层序列安装在载体上。 半导体部件还包括位于载体和半导体层序列之间的金属反射镜。 载体和半导体层序列横向突出超过金属镜。 金属镜被辐射透射封装层横向包围。

公开(公告)号：US20130140598A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13704600

申请日：2011-05-26

申请人： Lutz Höppel ,  Norwin Von Malm

发明人： Lutz Höppel ,  Norwin Von Malm

IPC分类号： H01L33/46 ,  H01L31/0232

CPC分类号： H01L33/46 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/861 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/186 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

摘要： A method for producing an optoelectronic semiconductor chip is specified, comprising the following steps: providing an n-conducting layer (2), arranging a p-conducting layer (4) on the n-conducting layer (2), arranging a metal layer sequence (5) on the p-conducting layer (4),arranging a mask (6) at that side of the metal layer sequence (5) which is remote from the p-conducting layer (4),in places removing the metal layer sequence (5) and uncovering the p-conducting layer (4) using the mask (6), and in places neutralizing or removing the uncovered regions (4a) of the p-conducting layer (4) as far as the n-conducting layer (2) using the mask (6), wherein the metal layer sequence (5) comprises at least one mirror layer (51) and a barrier layer (52), and the mirror layer (51) of the metal layer sequence (5) faces the p-conducting layer (4).

摘要翻译： 规定了光电子半导体芯片的制造方法，包括以下步骤：在n导电层（2）上设置n导电层（2），配置p导电层（4），配置金属层序列 （5）在p导电层（4）上，在远离导电层（4）的金属层序列（5）的该侧布置掩模（6），去除金属层序列 （5），并且使用掩模（6）露出p导电层（4），并且在中和或去除p导电层（4）的未覆盖区域（4a）的地方，直到n导电层（ 2）使用掩模（6），其中金属层序列（5）包括至少一个镜层（51）和阻挡层（52），并且金属层序列（5）的镜层（51）面向 p导电层（4）。

公开(公告)号：US20130187183A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：US13813934

申请日：2011-07-25

申请人： Lutz Höppel ,  Karl Engl

发明人： Lutz Höppel ,  Karl Engl

IPC分类号： H01L33/52 ,  H01L33/60

CPC分类号： H01L33/52 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0016

摘要： A light-emitting diode chip is specified, comprising an n-conducting region (1), a p-conducting region (2), an active region (3) between the n-conducting region (1) and the p-conducting region (2), a mirror layer (4) at that side of the p-conducting region (2) which is remote from the active region (3), an encapsulation layer (5) at that side of the mirror layer (4) which is remote from the p-conducting region (2), and a contact layer (6) at a side of the encapsulation layer (5) which is remote from the mirror layer (4), wherein the encapsulation layer (5) extends along a bottom area (43) of the mirror layer (4) which is remote from the p-conducting region (2) and a side area (42) of the mirror layer (4) which runs transversely with respect to the bottom area (43), and the contact layer (6) is freely accessible in places from its side facing the n-conducting region (1).

摘要翻译： 规定了发光二极管芯片，其包括n导电区域（1），p导电区域（2），n导电区域（1）和p导电区域（1）之间的有源区域（3） 2），远离有源区域（3）的p导电区域（2）的该侧的镜面层（4），在镜面层（4）的该侧的封装层（5） 远离导电区域（2）的接触层（6），以及远离镜子层（4）的封装层（5）侧的接触层（6），其中封装层（5）沿着底部 远离导电区域（2）的镜层（4）的区域（43）和相对于底部区域（43）横向延伸的镜层（4）的侧面区域（42） 并且接触层（6）从面向n导电区域（1）的一侧可以自由地接近。

公开(公告)号：US08860063B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13813934

申请日：2011-07-25

申请人： Lutz Höppel ,  Karl Engl

发明人： Lutz Höppel ,  Karl Engl

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/60 ,  H01L33/52 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L33/22 ,  H01L33/40

CPC分类号： H01L33/52 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0016

摘要： A light-emitting diode chip is specified, comprising an n-conducting region (1), a p-conducting region (2), an active region (3) between the n-conducting region (1) and the p-conducting region (2), a mirror layer (4) at that side of the p-conducting region (2) which is remote from the active region (3), an encapsulation layer (5) at that side of the mirror layer (4) which is remote from the p-conducting region (2), and a contact layer (6) at a side of the encapsulation layer (5) which is remote from the mirror layer (4), wherein the encapsulation layer (5) extends along a bottom area (43) of the mirror layer (4) which is remote from the p-conducting region (2) and a side area (42) of the mirror layer (4) which runs transversely with respect to the bottom area (43), and the contact layer (6) is freely accessible in places from its side facing the n-conducting region (1).

摘要翻译： 规定了发光二极管芯片，其包括n导电区域（1），p导电区域（2），n导电区域（1）和p导电区域（1）之间的有源区域（3） 2），远离有源区域（3）的p导电区域（2）的该侧的镜面层（4），在镜面层（4）的该侧的封装层（5） 远离导电区域（2）的接触层（6），以及远离镜子层（4）的封装层（5）侧的接触层（6），其中封装层（5）沿着底部 远离导电区域（2）的镜层（4）的区域（43）和相对于底部区域（43）横向延伸的镜层（4）的侧面区域（42） 并且接触层（6）从面向n导电区域（1）的一侧可以自由地接近。