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    Utilization of Organic Buffer Layer to Fabricate High Performance Carbon Nanoelectronic Devices
    11.
    发明申请
    Utilization of Organic Buffer Layer to Fabricate High Performance Carbon Nanoelectronic Devices 有权
    利用有机缓冲层制造高性能碳纳米电子器件

    公开(公告)号：US20110101308A1

    公开(公告)日：2011-05-05

    申请号：US12611421

    申请日：2009-11-03

    申请人： Phaedon Avouris ,  Damon B. Farmer ,  Fengnian Xia

    发明人： Phaedon Avouris ,  Damon B. Farmer ,  Fengnian Xia

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78684

    摘要： A fabrication process for a nanoelectronic device and a device are provided. Channel material is deposited on a substrate to form a channel. A source metal contact and a drain metal contact are deposited on the channel material, and the source metal contact and the drain metal contact are on opposing ends of the channel material. A polyhydroxystyrene derivative is deposited on the channel material. A top gate oxide is deposited on the polymer layer. A top gate metal is deposited on the top gate oxide.

    摘要翻译： 提供了一种用于纳米电子器件和器件的制造工艺。 通道材料沉积在基底上以形成通道。 源极金属触点和漏极金属触点沉积在沟道材料上，源极金属触点和漏极金属触点位于沟道材料的相对端上。 多羟基苯乙烯衍生物沉积在通道材料上。 顶栅氧化物沉积在聚合物层上。 顶栅极金属沉积在顶栅氧化物上。

    METHOD AND APPARATUS FOR OPTICAL MODULATION
    13.
    发明申请
    METHOD AND APPARATUS FOR OPTICAL MODULATION 有权
    光学调制方法与装置

    公开(公告)号：US20110111564A1

    公开(公告)日：2011-05-12

    申请号：US13005246

    申请日：2011-01-12

    申请人： YURII A VLASOV ,  Fengnian Xia

    发明人： YURII A VLASOV ,  Fengnian Xia

    IPC分类号： H01L21/3205

    CPC分类号： H01L33/0054 ,  G02F1/0018 ,  G02F1/0081 ,  G02F1/0102 ,  G02F1/011 ,  G02F1/01708 ,  G02F1/025 ,  G02F2202/103 ,  G02F2202/104 ,  G02F2202/105

    摘要： The present invention is a method and an apparatus for optical modulation, for example for use in optical communications links. In one embodiment, an apparatus for optical modulation includes a first silicon layer having one or more trenches formed therein, a dielectric layer lining the first silicon layer, and a second silicon layer disposed on the dielectric layer and filling the trenches.

    摘要翻译： 本发明是用于光调制的方法和装置，例如用于光通信链路。 在一个实施例中，一种用于光学调制的装置包括其中形成有一个或多个沟槽的第一硅层，衬在第一硅层的电介质层，以及设置在电介质层上并填充沟槽的第二硅层。

    Polarization insensitive semiconductor optical amplifier
    15.
    发明授权
    Polarization insensitive semiconductor optical amplifier 失效
    极化不敏感的半导体光放大器

    公开(公告)号：US07373048B2

    公开(公告)日：2008-05-13

    申请号：US11062095

    申请日：2005-02-18

    申请人： Fengnian Xia ,  Stephen Forrest

    发明人： Fengnian Xia ,  Stephen Forrest

    IPC分类号： G02B6/26 ,  G02B6/42 ,  G02B6/10 ,  H01S3/00 ,  H01S3/30 ,  H04B10/12

    CPC分类号： B82Y20/00 ,  G02B6/1228 ,  G02B6/305 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/305 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34373 ,  H01S5/5009

    摘要： A polarization insensitive semiconductor optical amplifier (SOA) is provided. The SOA includes an active waveguide, a passive waveguide, and a taper coupler for coupling optical energy from the passive waveguide into the active waveguide, wherein the taper coupler has width W varying relative to position along a main axis z of propagation of the SOA in proportion to the minimum value of 1/CTE 01(z) 1/CTM 01(z), where CTE 01(z) represents the coefficient of energy coupling between a fundamental mode and a first order mode for the transverse electric polarization as a function of the position z, and CTM 01(z) represents the coefficient of energy coupling between a fundamental mode and a first order mode for the transverse magnetic polarization as a function of the position z.

    摘要翻译： 提供了偏振不敏感半导体光放大器（SOA）。 SOA包括有源波导，无源波导和锥形耦合器，用于将来自无源波导的光能耦合到有源波导中，其中锥形耦合器具有相对于沿着SOA的传播主轴线z的位置而变化的宽度W （z）1 / C TM 01（z）的最小值的比例，其中C TE 01（z） ）表示作为位置z的函数的横向电极化的基模和一阶模式之间的能量耦合系数，并且C 1（z）表示 作为位置z的函数的横向磁极化的基本模式和一阶模式。

    Photonic integrated devices having reduced absorption loss
    16.
    发明申请
    Photonic integrated devices having reduced absorption loss 有权
    具有降低吸收损耗的光子集成器件

    公开(公告)号：US20070077017A1

    公开(公告)日：2007-04-05

    申请号：US11241003

    申请日：2005-09-30

    申请人： Vinod Menon ,  Milind Gokhale ,  Stephen Forrest ,  Yu Huang ,  Fengnian Xia

    发明人： Vinod Menon ,  Milind Gokhale ,  Stephen Forrest ,  Yu Huang ,  Fengnian Xia

    IPC分类号： G02B6/10 ,  G02B6/26 ,  H01S3/00 ,  H01S3/30 ,  G02B6/42

    CPC分类号： H01S5/1082 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1228 ,  H01S5/065 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/162 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/34306

    摘要： An asymmetric twin waveguide (ATG) structure with quantum-well intermixing in the taper region of the active waveguide is disclosed. The structure comprises a first waveguide, a second waveguide, and a taper formed in the second waveguide. The taper has an intermixed area formed therein comprising a plurality of quantum wells intermixed with a plurality of barriers. The quantum wells and barriers may be intermixed using plasma-enhanced intermixing such as, for example, Argon plasma enhanced intermixing. Quantum-well intermixing reduces absorption loss normally encountered in the movement of light between waveguides.

    摘要翻译： 公开了在有源波导的锥形区域中具有量子阱混合的不对称双波导（ATG）结构。 该结构包括第一波导，第二波导和形成在第二波导中的锥形。 该锥形件具有形成在其中的混合区域，其包括与多个屏障混合的多个量子阱。 量子阱和屏障可以使用等离子体增强混合（例如，氩等离子体增强混合）混合。 量子阱混合减少了在波导之间光的移动中通常遇到的吸收损耗。

    AVALANCHE IMPACT IONIZATION AMPLIFICATION DEVICES
    17.
    发明申请
    AVALANCHE IMPACT IONIZATION AMPLIFICATION DEVICES 有权
    AVALANCHE影响离子放大器件

    公开(公告)号：US20110024608A1

    公开(公告)日：2011-02-03

    申请号：US12533521

    申请日：2009-07-31

    申请人： Solomon Assefa ,  Yurii A. Vlasov ,  Fengnian Xia

    发明人： Solomon Assefa ,  Yurii A. Vlasov ,  Fengnian Xia

    IPC分类号： H03F3/08 ,  H01L31/08

    CPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/03529 ,  Y02E10/50

    摘要： A semiconductor photodetector may provide charge carrier avalanche multiplication at high field regions of a semiconductor material layer. A semiconductor current amplifier may provide current amplification by impact ionization near a high field region. A plurality of metal electrodes are formed on a surface of a semiconductor material layer and electrically biased to produce a non-uniform high electric field in which the high electric field strength accelerates avalanche electron-hole pair generation, which is employed as an effective avalanche multiplication photodetection mechanism or as an avalanche impact ionization current amplification mechanism.

    摘要翻译： 半导体光电探测器可以在半导体材料层的高场区域提供电荷载体雪崩倍增。 半导体电流放大器可以通过在高场区域附近的冲击电离提供电流放大。 多个金属电极形成在半导体材料层的表面上并被电偏置以产生不均匀的高电场，其中高电场强度加速雪崩电子 - 空穴对产生，其被用作有效的雪崩倍增 光电检测机制或雪崩冲击电离电流放大机制。

    Optoelectronic Device with Germanium Photodetector
    18.
    发明申请
    Optoelectronic Device with Germanium Photodetector 有权
    具有锗光电检测器的光电器件

    公开(公告)号：US20100213561A1

    公开(公告)日：2010-08-26

    申请号：US12775084

    申请日：2010-05-06

    申请人： Solomon Assefa ,  Stephen Walter Bedell ,  Yurii A. Vlasov ,  Fengnian Xia

    发明人： Solomon Assefa ,  Stephen Walter Bedell ,  Yurii A. Vlasov ,  Fengnian Xia

    IPC分类号： H01L31/0232

    CPC分类号： H01L31/1808 ,  G02B6/12004 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1812 ,  Y02E10/50

    摘要： An optoelectronic device comprises a photodetector feature, an interfacial layer disposed above at least a portion of the photodetector feature, and a vertical contact disposed on at least a portion of the interfacial layer. The photodetector feature comprises germanium and is operative to convert a light signal into an electrical signal. The interfacial layer comprises nickel. Finally, the vertical contact is operative to transmit the electrical signal from the photodetector feature.

    摘要翻译： 光电子器件包括光电检测器特征，设置在光电检测器特征的至少一部分上方的界面层，以及设置在界面层的至少一部分上的垂直接触。 光电检测器特征包括锗并且可操作以将光信号转换成电信号。 界面层包括镍。 最后，垂直接触可操作地从光电检测器特征传输电信号。

    Waveguide photodetector
    19.
    发明申请
    Waveguide photodetector 有权
    波导光电探测器

    公开(公告)号：US20070189688A1

    公开(公告)日：2007-08-16

    申请号：US11354715

    申请日：2006-02-15

    申请人： Gabriel Dehlinger ,  Sharee McNab ,  Yurii Vlasov ,  Fengnian Xia

    发明人： Gabriel Dehlinger ,  Sharee McNab ,  Yurii Vlasov ,  Fengnian Xia

    IPC分类号： G02B6/10 ,  G02B6/26

    CPC分类号： G02B6/12004 ,  H01L31/02327

    摘要： The present invention is a waveguide photodetector. In one embodiment, the waveguide photodetector includes a waveguide layer where light is guided or is confined and a detection layer formed on the waveguide layer where guided light is detected. Each of the waveguide layer and the detection layer allows for the guiding of no more than a single mode of light for a given polarization. In another embodiment, the waveguide photodetector includes a waveguide layer where light is guided or is confined, a detection layer formed on the waveguide layer where guided light is detected, a first electrical contact coupled to the detection layer, and a second electrical contact coupled to the detection layer. The first electrical contact and the second electrical contact are disposed in a spaced-apart, substantially parallel manner relative to each other.

    摘要翻译： 本发明是一种波导光电探测器。 在一个实施例中，波导光电检测器包括其中光被引导或被限制的波导层，以及形成在波导层上的检测引导光的检测层。 波导层和检测层中的每一个允许对于给定的偏振而引导不超过单一模式的光。 在另一个实施例中，波导光电检测器包括其中光被引导或被限制的波导层，形成在波导层上的检测层，其中被检测导光，耦合到检测层的第一电触点和耦合到 检测层。 第一电触头和第二电触头相对于彼此以间隔开的大致平行的方式设置。