公开(公告)号：US06706542B1

公开(公告)日：2004-03-16

申请号：US09645913

申请日：2000-08-25

申请人： Michael Geva ,  Yuliya Anatolyevna Akulova ,  Abdallah Ougazzaden

发明人： Michael Geva ,  Yuliya Anatolyevna Akulova ,  Abdallah Ougazzaden

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01S5/227 ,  H01L21/2205 ,  H01L33/02 ,  H01L33/305 ,  H01S5/2209 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/2227 ,  H01S5/2272 ,  H01S5/3072

摘要： The present invention relates to a multi-layer dopant barrier and its method of fabrication for use in semiconductor structures. In an illustrative embodiment, the multi-layer dopant barrier is disposed between a first doped layer and a second doped layer. The multi-layer dopant barrier further includes a first dopant blocking layer adjacent the first doped layer and a second dopant blocking layer adjacent the second doped layer. A technique for fabricating the multi layer dopant barrier is disclosed. A first dopant blocking layer is formed at a first temperature, and a second dopant blocking layer is formed at a second temperature over the first barrier layer.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于半导体结构的多层掺杂剂阻挡层及其制造方法。 在说明性实施例中，多层掺杂剂阻挡层设置在第一掺杂层和第二掺杂层之间。 多层掺杂剂阻挡层还包括与第一掺杂层相邻的第一掺杂剂阻挡层和与第二掺杂层相邻的第二掺杂剂阻挡层。 公开了一种用于制造多层掺杂剂阻挡层的技术。 在第一温度下形成第一掺杂剂阻挡层，并且在第一阻挡层上的第二温度下形成第二掺杂剂阻挡层。

公开(公告)号：US06556605B1

公开(公告)日：2003-04-29

申请号：US09515102

申请日：2000-02-29

申请人： Gleb E. Shtengel ,  Utpal Kumar Chakrabarti ,  Charles William Lentz ,  Charles H. Joyner ,  Abdallah Ougazzaden

发明人： Gleb E. Shtengel ,  Utpal Kumar Chakrabarti ,  Charles William Lentz ,  Charles H. Joyner ,  Abdallah Ougazzaden

IPC分类号： H01S500

CPC分类号： H01S5/227 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3072

摘要： A mesa stripe buried heterostructure semiconductor laser with no intediffusion of atoms between doped regions and a method of its formation are disclosed. A double dielectric mask is used to form the mesa stripe. The first mask is then partially etched and a Si-doped InP layer is selectively grown. The first and second mask are subsequently etched away and an InP(Zn) clad layer, along with a Zn-doped InGaAs contact layer, are formed. This way, the resulting structure has no contact between the InP(Zn) clad layer and the InP(Fe) layer, and the dopant atoms interdiffusion is suppressed.

摘要翻译： 公开了在掺杂区域之间没有原子扩散的台面条状掩埋异质结构半导体激光器及其形成方法。 使用双电介质掩模形成台面条纹。 然后部分蚀刻第一掩模，并且选择性地生长Si掺杂的InP层。 随后蚀刻第一和第二掩模，并形成InP（Zn）覆盖层以及Zn掺杂的InGaAs接触层。 这样，所得结构在InP（Zn）包覆层和InP（Fe）层之间没有接触，并且抑制了掺杂剂原子相互扩散。

公开(公告)号：US5680411A

公开(公告)日：1997-10-21

申请号：US735490

申请日：1996-10-23

申请人： Abderrahim Ramdane ,  Fabrice Devaux ,  Abdallah Ougazzaden

发明人： Abderrahim Ramdane ,  Fabrice Devaux ,  Abdallah Ougazzaden

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01S5/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/12 ,  H01S3/19

CPC分类号： H01S5/0265 ,  H01S5/12

摘要： An integrated monolithic laser-modulator component having a multiple quantum well structure. This component includes an InP substrate, a laser (L) formed from a stack of semiconductor layers epitaxied on the substrate, including an active and absorbent layer and a periodic Bragg grating fixing the emission wavelength of the laser to a value slightly above an optimum wavelength of the laser gain peak. An electrooptical modulator (M) is formed from the same stack of semiconductor layers, with the exception of the Bragg grating, the active layer of the laser and the absorbing layer of the modulator being formed by the same epitaxied structure having several constrained or unconstrained quantum wells, the modulator functioning according to a confined Stark effect. The semiconductor layers of the laser and those of the modulator are electrically controlled.

摘要翻译： 具有多量子阱结构的集成单片激光调制器部件。 该组件包括InP衬底，由衬底上叠加的半导体层堆叠形成的激光（L），包括有源和吸收层以及周期性布拉格光栅，将激光器的发射波长固定在略高于最佳波长的值 的激光增益峰值。 电光调制器（M）由相同的半导体层堆叠形成，除了布拉格光栅之外，激光器的有源层和调制器的吸收层由具有几个约束或非约束量子的相同的外延结构形成 井，调节器根据限制的斯塔克效应起作用。 激光器的半导体层和调制器的半导体层是电控制的。

公开(公告)号：US06895134B2

公开(公告)日：2005-05-17

申请号：US10007289

申请日：2001-11-10

申请人： Kenneth Gerard Glogovsky ,  Charles William Lentz ,  Abdallah Ougazzaden ,  Claude Lewis Reynolds, Jr.

发明人： Kenneth Gerard Glogovsky ,  Charles William Lentz ,  Abdallah Ougazzaden ,  Claude Lewis Reynolds, Jr.

IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/132 ,  G02B6/42 ,  H01S5/026 ,  H01S5/20 ,  H01S5/50 ,  H01L21/00 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01S5/0265 ,  G02B6/132 ,  G02B6/42 ,  G02B2006/12128 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/209 ,  H01S5/5045

摘要： The invention is an optoelectronic device and method of fabrication where at least two optical devices are formed on a single semiconductor substrate, with each optical device including an active region such as a multi-quantum well region. The active devices are spatially separated and optically coupled by a passive waveguide formed over the substrate which provides butt joints with the active regions. The butt joints can be optimized independently from the active regions thus improving yield.

摘要翻译： 本发明是一种光电子器件及其制造方法，其中在单个半导体衬底上形成至少两个光学器件，每个光学器件包括诸如多量子阱区域的有源区域。 有源器件在空间上分离并通过形成在衬底上的无源波导光学耦合，其提供与有源区域的对接点。 对接接头可以独立于活性区域进行优化，从而提高产量。

公开(公告)号：US06819695B1

公开(公告)日：2004-11-16

申请号：US09540471

申请日：2000-03-31

申请人： Yuliya Anatolyevna Akulova ,  Michael Geva ,  Abdallah Ougazzaden

发明人： Yuliya Anatolyevna Akulova ,  Michael Geva ,  Abdallah Ougazzaden

IPC分类号： H01S500

CPC分类号： H01S5/227 ,  H01L21/2205 ,  H01L33/02 ,  H01L33/305 ,  H01S5/2209 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/2227 ,  H01S5/2272 ,  H01S5/3072

摘要： A multi-layer dopant diffusion barrier is disclosed that effectively prevents dopant diffusion but does not contribute to parasitic pn junctions or parasitic capacitance. A multi-layer dopant diffusion barrier layer prevents dopant diffusion.

摘要翻译： 公开了一种多层掺杂剂扩散阻挡层，其有效地防止掺杂剂扩散，但不会对寄生pn结或寄生电容有贡献。 多层掺杂剂扩散阻挡层防止掺杂剂扩散。

公开(公告)号：US06771869B2

公开(公告)日：2004-08-03

申请号：US10125169

申请日：2002-04-18

申请人： Yuliya A. Akulova ,  Kenneth G. Glogovsky ,  Mark S. Hybertsen ,  Charles W. Lentz ,  Abdallah Ougazzaden

发明人： Yuliya A. Akulova ,  Kenneth G. Glogovsky ,  Mark S. Hybertsen ,  Charles W. Lentz ,  Abdallah Ougazzaden

IPC分类号： G02B626

CPC分类号： G02B6/132 ,  G02B6/4204 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/2059 ,  H01S2301/176

摘要： The present invention provides an optoelectronic device, a method of manufacture thereof, and an optical communication system including the same. The optoelectronic device may include, in one particular embodiment, an active device located over a substrate and a passive device located proximate the active device and over the substrate. The optoelectronic device may further include a doped cladding layer located over the active and passive devices and a barrier layer located over the doped cladding layer and the passive device.

摘要翻译： 本发明提供一种光电子器件及其制造方法以及包括该光电器件的光通信系统。 在一个具体实施例中，光电子器件可以包括位于衬底上的有源器件和位于有源器件附近以及衬底附近的无源器件。 光电子器件还可以包括位于有源和无源器件之上的掺杂覆层，以及位于掺杂覆层和无源器件上的势垒层。

公开(公告)号：US06664605B1

公开(公告)日：2003-12-16

申请号：US09539882

申请日：2000-03-31

申请人： Yuliya A. Akulova ,  Sung-nee G. Chu ,  Michael Geva ,  Mark S. Hybertsen ,  Charles W. Lentz ,  Abdallah Ougazzaden

发明人： Yuliya A. Akulova ,  Sung-nee G. Chu ,  Michael Geva ,  Mark S. Hybertsen ,  Charles W. Lentz ,  Abdallah Ougazzaden

IPC分类号： H01L310232

CPC分类号： H01S5/227 ,  G02F1/025 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2213 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/50

摘要： A method for decreasing the diffusion of dopant atoms in the active region, as well as the interdiffuision of different types of dopant atoms among adjacent doped regions, of optoelectronic devices is disclosed. The method of the present invention employs a plurality of InAlAs and/or InGaAlAs layers to avoid the direct contact between the dopant atoms and the active region, and between the dopant atoms in adjacent blocking structures of optoelectronic devices. A semi-insulating buried ridge structure, as well as a ridge structure, in which the interdiffusion of different types of dopant atoms is suppressed are also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种用于减少有源区中的掺杂剂原子的扩散以及相邻掺杂区中不同类型的掺杂剂原子在光电器件中的相互扩散的方法。 本发明的方法采用多个InAlAs和/或InGaAlAs层以避免掺杂剂原子与有源区之间以及光电子器件的相邻阻挡结构中的掺杂剂原子之间的直接接触。 还公开了抑制不同类型的掺杂剂原子的相互扩散的半绝缘掩埋隆起结构以及脊结构。

公开(公告)号：US06607933B2

公开(公告)日：2003-08-19

申请号：US09923661

申请日：2001-08-07

申请人： Yuliya Anatolyevna Akulova ,  Mindaugas Fernand Dautartas ,  Marlin Wilbert Focht ,  Kenneth Gerard Glogovsky ,  Abdallah Ougazzaden ,  Justin Larry Peticolas

发明人： Yuliya Anatolyevna Akulova ,  Mindaugas Fernand Dautartas ,  Marlin Wilbert Focht ,  Kenneth Gerard Glogovsky ,  Abdallah Ougazzaden ,  Justin Larry Peticolas

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： G02B6/305 ,  H01S5/005 ,  H01S5/1014

摘要： A beam expander for providing coupling between a semiconductor optical device and an optical fiber comprises a double layer structure that may be integrated with the optical device. The first, underlying layer of the expander comprises a relatively high refractive index material (e.g., 3.34), thus providing improved coupling efficiency between the optical device and the fiber. The second, covering layer of the expander comprises a relatively low refractive index material (e.g., 3.28), for providing the large mode size desired at the fiber input. The parameters of each layer can be adjusted independently, allowing for the two criteria (coupling efficiency and mode size) to be separately optimized.

摘要翻译： 用于在半导体光学器件和光纤之间提供耦合的光束扩展器包括可与光学器件集成的双层结构。 膨胀器的第一底层包括相对高的折射率材料（例如3.34），从而在光学装置和光纤之间提供改善的耦合效率。 扩展器的第二覆盖层包括相对较低的折射率材料（例如3.28），用于提供在光纤输入端所需的大模式尺寸。 每个层的参数可以独立调整，允许分别优化两个标准（耦合效率和模式大小）。