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    Semiconductor circuitry to process analog signals using weighted- sum operations
    11.
    发明授权
    Semiconductor circuitry to process analog signals using weighted- sum operations 失效
    半导体电路，用加权和运算处理模拟信号

    公开(公告)号：US5939925A

    公开(公告)日：1999-08-17

    申请号：US930508

    申请日：1997-11-07

    申请人： Tadashi Shibata ,  Tadahiro Ohmi ,  Ning Mei Yu ,  Tsutomu Nakai

    发明人： Tadashi Shibata ,  Tadahiro Ohmi ,  Ning Mei Yu ,  Tsutomu Nakai

    IPC分类号： G06F17/16 ,  G06J1/00 ,  G06K9/64 ,  G06G7/12

    CPC分类号： G06K9/64 ,  G06F17/16 ,  G06J1/00

    摘要： A semiconductor operational circuit conducts real-time analog vector operations to permit the determination of the center of gravity of an image of a moving object. The circuit employs a first processing stage utilizing CMOS source follower circuits to perform weighted linear sum operations on the analog signals. A second processing stage utilizes comparator circuitry to perform comparison operations involving data from the weighted-sum and non-weighted-sum operations. A third processing stage utilizes exclusive OR gates to provide digital data outputs based on the comparison operation results.

    摘要翻译： PCT No.PCT / JP96 / 00883 Sec。 371日期：1997年11月7日 102（e）日期1997年11月7日PCT 1996年4月1日PCT PCT。 出版物WO96 / 30827 日期1996年10月3日半导体运算电路进行实时模拟矢量运算，以确定移动物体的图像的重心。 电路采用利用CMOS源极跟随器电路的第一处理级，对模拟信号执行加权线性和运算。 第二处理阶段利用比较器电路执行涉及来自加权和和非加权和运算的数据的比较运算。 第三处理级利用异或门来提供基于比较运算结果的数字数据输出。

    Method of forming a monocrystalline film having a closed loop step portion on the substrate
    13.
    发明授权
    Method of forming a monocrystalline film having a closed loop step portion on the substrate 失效
    在基板上形成具有闭环台阶部分的单晶膜的方法

    公开(公告)号：US5362672A

    公开(公告)日：1994-11-08

    申请号：US465175

    申请日：1990-02-01

    申请人： Tadahiro Ohmi ,  Tadashi Shibata ,  Masaru Umeda

    发明人： Tadahiro Ohmi ,  Tadashi Shibata ,  Masaru Umeda

    IPC分类号： C23C14/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

    CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/84 ,  Y10S148/158

    摘要： A method of manufacturing a semiconductor device, and particularly a method of forming a monocrystalline film on a substrate. The method includes the step of forming a conductor layer having a step portion on the surface of a substrate. The step portion includes a lateral face which surrounds the lower surface of the step portion to form a closed loop. After the conductor layer has been formed on the surface of the substrate, a monocrystalline film is formed directly on the substrate. Specifically, the film is formed on the lower surface of the step portion, while a DC potential is applied to the conductor layer.

    摘要翻译： PCT No.PCT / JP89 / 00599 Sec。 371日期1990年2月1日 102（e）1990年2月1日PCT PCT。1989年6月15日PCT公布。 公开号WO89 / 12908 日期：1989年12月28日。一种制造半导体器件的方法，特别是在衬底上形成单晶膜的方法。 该方法包括在衬底的表面上形成具有台阶部分的导体层的步骤。 台阶部分包括侧面，该侧面围绕台阶部分的下表面以形成闭环。 在衬底表面上形成导体层之后，直接在衬底上形成单晶膜。 具体地，在台阶部的下表面上形成膜，同时对导体层施加DC电位。

    Neuron circuit
    14.
    发明授权
    Neuron circuit 失效
    神经元电路

    公开(公告)号：US5258657A

    公开(公告)日：1993-11-02

    申请号：US777352

    申请日：1992-01-06

    申请人： Tadashi Shibata ,  Tadahiro Ohmi

    发明人： Tadashi Shibata ,  Tadahiro Ohmi

    IPC分类号： G06G7/60 ,  G06F15/18 ,  G06N3/063 ,  G06N99/00 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/115 ,  H01L29/66 ,  H01L29/788 ,  H03K19/08 ,  H03K19/23

    CPC分类号： G06N3/0635 ,  H01L27/115 ,  H01L29/7881 ,  H01L2924/0002

    摘要： A semiconductor device of this invention comprises on a substrate a first semiconductor region of one conductive type, first source and drain regions of the opposite conductive type formed in said semiconductor region, a first gate electrode formed in a region separating said source and drain regions, the first gate electrode being electrically floating through an insulating film, and at least two second gate electrodes connected to said first gate electrode by capacitive coupling, wherein an inversion layer is formed under said first gate electrode and said first source and drain regions are electrically connected together only when a predetermined threshold value is exceeded by the absolute value of a value obtained by linearly summing up the weighted voltages applied to said second gate electrodes.

    Semiconductor arithmetic circuit
    15.
    发明授权
    Semiconductor arithmetic circuit 失效
    半导体运算电路

    公开(公告)号：US06606119B1

    公开(公告)日：2003-08-12

    申请号：US09039126

    申请日：1998-03-13

    申请人： Tadashi Shibata ,  Tadahiro Ohmi

    发明人： Tadashi Shibata ,  Tadahiro Ohmi

    IPC分类号： H04N5208

    CPC分类号： H04N5/357 ,  H04N5/142

    摘要： The present invention has as an object thereof to provide a semiconductor arithmetic circuit which is capable of conducting edge accentuation processing, edge detection processing, and noise removal by means of averaging processing of an image, using extremely simple circuitry. A semiconductor arithmetic circuit is provided with an amplifier circuit in which an input terminal is connected to the gate electrode of at least one MOS type transistor, a first signal input terminal, which is connected with the input terminal via a first switching element, and a plurality of second signal input terminals, which are connected with the input terminal via a capacity element; wherein a mechanism is provided for opening the first switching element in a state in which a first signal voltage is applied to the input terminal and a predetermined second input signal voltage group is applied to the second signal input terminals, and for thereafter applying a predetermined third input signal voltage group to the second signal input terminals, and wherein the amplifier circuit comprises a source follower circuit or a voltage follower circuit.

    摘要翻译： 本发明的目的是提供一种半导体运算电路，其能够通过使用非常简单的电路的图像的平均处理来进行边缘突出处理，边缘检测处理和噪声去除。 半导体运算电路设置有放大电路，其中输入端连接到至少一个MOS型晶体管的栅电极，经由第一开关元件与输入端连接的第一信号输入端和 多个第二信号输入端，经由电容元件与输入端连接; 其特征在于，提供一种机构，用于在将第一信号电压施加到输入端子并且将预定的第二输入信号电压组施加到第二信号输入端子的状态下打开第一开关元件，然后施加预定的第三 输入信号电压组到第二信号输入端，并且其中放大器电路包括源极跟随器电路或电压跟随器电路。

    Semiconductor integrated circuit
    16.
    发明授权
    Semiconductor integrated circuit 失效
    半导体集成电路

    公开(公告)号：US5937399A

    公开(公告)日：1999-08-10

    申请号：US663248

    申请日：1996-06-11

    申请人： Tadahiro Ohmi ,  Tadashi Shibata ,  Koji Kotani

    发明人： Tadahiro Ohmi ,  Tadashi Shibata ,  Koji Kotani

    IPC分类号： G06F15/18 ,  G06N3/063 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

    CPC分类号： G06N3/0635

    摘要： A semiconductor integrated circuit includes one or more neuron MOS transistors on a substrate. The MOS transistor comprises a semiconductor region of one conductivity type, source and drain regions of opposite conductivity type disposed in this region, floating gate disposed on an insulating film between the source and drain regions, and a plurality of input coupling electrodes making capacitive coupling with the floating gate through the insulating film, wherein the floating gate is connected to at least one switching device.

    摘要翻译： PCT No.PCT / JP94 / 02001 Sec。 371日期：1996年6月11日 102（e）日期1996年6月11日PCT 1994年11月29日PCT公布。 第WO95 / 15581号公报 日期：1995年6月8日半导体集成电路在衬底上包括一个或多个神经元MOS晶体管。 MOS晶体管包括一个导电类型的半导体区域，设置在该区域中的具有相反导电类型的源极和漏极区域，浮置栅极设置在源极和漏极区域之间的绝缘膜上，以及多个输入耦合电极， 所述浮栅通过所述绝缘膜，其中所述浮动栅极连接到至少一个开关装置。

    Non-volatile semiconductor memory device
    17.
    发明授权
    Non-volatile semiconductor memory device 失效
    非易失性半导体存储器件

    公开(公告)号：US5745416A

    公开(公告)日：1998-04-28

    申请号：US581740

    申请日：1995-12-29

    申请人： Tadashi Shibata ,  Tadahiro Ohmi ,  Yuichiro Yamashita

    发明人： Tadashi Shibata ,  Tadahiro Ohmi ,  Yuichiro Yamashita

    IPC分类号： G11C17/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  G11C16/04 ,  G11C27/00 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  G11C11/34

    CPC分类号： G11C16/045 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5635 ,  G11C16/0441 ,  G11C16/0458 ,  G11C27/005 ,  G11C2211/5612 ,  G11C2211/5613

    摘要： A non-volatile semiconductor memory which is capable of high speed and highly accurate analog data writing. The memory includes a first MOS type transistor having a first floating gate which is electrically isolated. A first electrode is capacitively coupled with the first floating gate. A second electrode is connected via a tunnel junction with the first floating gate. A third electrode is capacitively coupled with the second electrode. A second MOS type transistor interconnects the first and second electrodes. A means is provided for applying a predetermined potential difference between the first and third electrodes to thereby cause a tunnel current to flow in the tunnel junction and to store an electric charge in the first floating gate to thereby cause the second MOS type transistor to conduct when the electric charge has reached a predetermined value.

    摘要翻译： 一种能够进行高速和高精度模拟数据写入的非易失性半导体存储器。 存储器包括具有电隔离的第一浮动栅极的第一MOS型晶体管。 第一电极与第一浮栅电容耦合。 第二电极经由与第一浮动栅极的隧道结连接。 第三电极与第二电极电容耦合。 第二MOS型晶体管互连第一和第二电极。 提供了一种用于在第一和第三电极之间施加预定电位差从而使隧道电流在隧道结中流动并在第一浮栅中存储电荷从而使第二MOS型晶体管导通的装置， 电荷已经达到预定值。

    Semiconductor neural circuit device
    19.
    发明授权
    Semiconductor neural circuit device 失效
    半导体神经电路器件

    公开(公告)号：US5706403A

    公开(公告)日：1998-01-06

    申请号：US424267

    申请日：1995-04-24

    申请人： Tadashi Shibata ,  Tadahiro Ohmi

    发明人： Tadashi Shibata ,  Tadahiro Ohmi

    IPC分类号： G06F15/18 ,  G06G7/60 ,  G06N3/063 ,  G06N99/00 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

    CPC分类号： G06N3/0635

    摘要： A semiconductor neural circuit device having a very simple circuit and a self-teaching function, by which a neural network is allowed to learn. The device comprises synapse circuits which output weighted values, and neuron circuits which execute linear addition of the output signals from the synapse circuits, and output the signal voltages of high and low levels with respect to a given threshold value V.sub.TH. In the case of learning of increasing the total value Z, only when V.sub.TH -.epsilon.

    摘要翻译： PCT No.PCT / JP93 / 01573 Sec。 371日期1995年04月24日 102（e）1995年4月24日PCT PCT 1993年10月29日PCT公布。 WO94 / 10648 PCT公开 日期1994年5月11日一种具有非常简单的电路和自我教学功能的半导体神经电路器件，通过该功能允许神经网络学习。 该装置包括输出加权值的突触电路和执行来自突触电路的输出信号的线性相加的神经元电路，并且相对于给定的阈值VTH输出高电平和低电平的信号电压。 在学习增加总值Z的情况下，只有当相对于两个正参数ε和α的VTH-ε

    Piping system for supplying ultra-pure water
    20.
    发明授权
    Piping system for supplying ultra-pure water 失效
    用于供应超纯水的管道系统

    公开(公告)号：US5160429A

    公开(公告)日：1992-11-03

    申请号：US635590

    申请日：1990-12-31

    申请人： Tadahiro Ohmi ,  Michiya Kawakami ,  Tadashi Shibata ,  Masaru Umeda

    发明人： Tadahiro Ohmi ,  Michiya Kawakami ,  Tadashi Shibata ,  Masaru Umeda

    IPC分类号： B01D61/22 ,  C02F1/00 ,  C02F1/32 ,  C02F1/44 ,  H01L21/304

    CPC分类号： B01D61/22 ,  C02F1/006 ,  C02F1/32 ,  C02F1/444 ,  Y10S210/90

    摘要： The present invention offers a piping system for supplying ultra-pure water, which comprises a circulation tank to store primary pure water from a primary pure water producing unit, a pump for sending the primary pure water from said circulation tank, an outward pipe, one end of which is connected to a final purifying unit to purify primary pure water from said pump to ultra-pure water, a plurality of connection pipes, each end of which is connected to the other end of said outward pipe, a branching pipe connected between the middle of said connection pipe and the ultra-pure water using unit and having a branching valve to adjust the water quantity, and a return pipe connected between the other end of said connection pipe and said circulation tank, characterized in that means for controlling the output of said pump is provided to keep the water pressure at constant level by detecting the water pressure in said outward pipe, thereby supplying a constant quantity of ultra-pure water to the ultra-pure water using unit at all times, and that ultra-pure water of ultra-high purity can be stably supplied by preventing counterflow from the return pipe to the ultra-pure water using unit.

    摘要翻译： PCT No.PCT / JP90 / 00648 Sec。 371 1990年12月31日第 102（e）1990年12月31日PCT PCT 1989年6月29日PCT公布。 出版物WO90 / 00155 日本1990年1月11日。本发明提供了一种用于提供超纯水的管道系统，其包括循环罐，用于储存来自初级纯水生产单元的初级纯水，用于将来自所述循环的初级纯水 罐，一个向外的管，其一端连接到最终净化单元，以将来自所述泵的初级纯水纯化成超纯水;多个连接管，其每个端部连接到所述外部的另一端 管，连接在所述连接管的中间和超纯水使用单元之间并具有分流阀以调节水量的分支管;以及连接在所述连接管的另一端和所述循环罐之间的回流管， 其特征在于，提供用于控制所述泵的输出的装置，用于通过检测所述外管中的水压来将水压保持在恒定水平，从而提供恒定量的ul 将超纯水用于超纯水使用单位，通过防止从返回管逆流到超纯水使用单元，可以稳定地提供超纯净的超纯水。