公开(公告)号：US07557395B2

公开(公告)日：2009-07-07

申请号：US10766465

申请日：2004-01-27

申请人： Ling Ma ,  Adam Amali ,  Siddharth Kiyawat ,  Ashita Mirchandani ,  Donald He ,  Naresh Thapar ,  Ritu Sodhi ,  Kyle Spring ,  Daniel Kinzer

发明人： Ling Ma ,  Adam Amali ,  Siddharth Kiyawat ,  Ashita Mirchandani ,  Donald He ,  Naresh Thapar ,  Ritu Sodhi ,  Kyle Spring ,  Daniel Kinzer

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H02M3/1588 ,  Y02B70/1466 ,  Y10S257/901

摘要： A trench power semiconductor device including a recessed termination structure.

摘要翻译： 一种沟槽功率半导体器件，包括凹入的端接结构。

公开(公告)号：US07212381B2

公开(公告)日：2007-05-01

申请号：US10641282

申请日：2003-08-14

申请人： Youping Mei ,  Jun Mou ,  Dale E. Egbert ,  Ling Ma

发明人： Youping Mei ,  Jun Mou ,  Dale E. Egbert ,  Ling Ma

IPC分类号： G11B5/56 ,  G11B5/60

CPC分类号： G11B5/3136 ,  G11B5/102 ,  G11B5/40 ,  G11B5/455 ,  G11B5/607 ,  Y10T29/49021 ,  Y10T29/49025 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49041 ,  Y10T29/49798

摘要： A method and apparatus are provided for adjusting recession of an element, such as a pole tip, in a transducer structure formed in a plurality of thin film layers on an edge of a slider. A pre-stressed structure is formed as part of the plurality of thin film layers on the edge of the slider. The pre-stressed structure has a level of material stress. The recession is measured relative to a bearing surface of the slider, and then the level of material stress is adjusted as a function of the measured to effect a corresponding change in the recession.

摘要翻译： 提供一种方法和装置，用于调节在滑块的边缘上形成在多个薄膜层中的换能器结构中的元件（例如极尖）的凹陷。 在滑块的边缘上形成预应力结构作为多个薄膜层的一部分。 预应力结构具有材料应力水平。 相对于滑块的支承表面测量凹陷，然后根据所测量的材料应力的水平来调节以实现经济衰退的相应变化。

公开(公告)号：US20070063316A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：US11524178

申请日：2006-09-20

申请人： Ling Ma

发明人： Ling Ma

IPC分类号： H01L29/40

CPC分类号： H01L29/7809 ,  H01L21/76898 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/13091

摘要： A semiconductor die and method of making it are provided. The die includes a first via extending through the entire thickness of the die and a first via electrode disposed inside the via electrically connecting an electrode at a top surface of the die with another electrode disposed at a bottom surface of the die.

摘要翻译： 提供半导体管芯及其制造方法。 芯片包括延伸穿过芯片的整个厚度的第一通孔和布置在通孔内部的第一通孔电极，电极将模具的顶表面处的电极与设置在管芯的底表面处的另一个电极连接。

公开(公告)号：US20070040215A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：US11504751

申请日：2006-08-14

申请人： Ling Ma ,  Adam Amali ,  Russell Turner

发明人： Ling Ma ,  Adam Amali ,  Russell Turner

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811

摘要： A power semiconductor device which includes a plurality of gate trenches and a perimeter trench intersecting the gate trenches.

摘要翻译： 一种功率半导体器件，其包括多个栅极沟槽和与栅极沟槽相交的周边沟槽。

公开(公告)号：US08564051B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US11098255

申请日：2005-04-04

申请人： Ling Ma

发明人： Ling Ma

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7811

摘要： A power semiconductor device that includes a buried source electrode disposed at the bottom of a trench below a respective gate electrode, and a source connector including a finger electrically connecting the buried source to the source contact of the device, and a process for fabricating the device.

摘要翻译： 一种功率半导体器件，包括设置在相应栅电极下方的沟槽底部的掩埋源极，以及源极连接器，其包括将掩埋源电连接到器件的源极接触的手指，以及用于制造器件的工艺 。

公开(公告)号：US07124497B1

公开(公告)日：2006-10-24

申请号：US10643059

申请日：2003-08-18

申请人： Moshe Olim ,  Stefan Weissner ,  Ling Ma ,  Clarence Matson ,  Sarah R. Marotz ,  James Wagner ,  Zine-Eddine Boutaghou ,  Peter R. Goglia

发明人： Moshe Olim ,  Stefan Weissner ,  Ling Ma ,  Clarence Matson ,  Sarah R. Marotz ,  James Wagner ,  Zine-Eddine Boutaghou ,  Peter R. Goglia

IPC分类号： G11B5/127

CPC分类号： G11B5/455 ,  G11B5/187 ,  G11B5/6005 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49036 ,  Y10T29/49041

摘要： A method and apparatus are provided characterizing the shape of a surface such as a bearing surface on a slider and for processing the shape. The shape is characterized by fitting a curve having a desired shape to measurement data and then determining residual deviations from the desired shape within localized regions. The surface is processed by selecting a material stress pattern to be applied to a working surface of the slider based on measured and desired contour shape parameters in a plurality of localized areas on the bearing surface. The measured contour shape parameter within a first of the plurality of localized areas is weighted more heavily than those within the other localized areas.

摘要翻译： 提供了表征滑块上的诸如支承表面的表面的形状并用于处理该形状的方法和装置。 该形状的特征在于将具有期望形状的曲线拟合到测量数据，然后确定在局部区域内与期望形状的残差。 基于在轴承表面上的多个局部区域中的测量和期望的轮廓形状参数，选择要施加到滑块的工作表面的材料应力模式来处理表面。 在多个局部区域中的第一个区域内测量的轮廓形状参数比其他局部区域内的那些被加权得更多。

公开(公告)号：US20060163650A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US11338215

申请日：2006-01-24

申请人： Ling Ma

发明人： Ling Ma

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7397

摘要： A power semiconductor device which includes endless gate trenches.

摘要翻译： 一种功率半导体器件，包括环形栅极沟槽。

公开(公告)号：US06921699B2

公开(公告)日：2005-07-26

申请号：US10674444

申请日：2003-09-29

申请人： Ling Ma ,  Adam Amali ,  Siddharth Kiyawat ,  Ashita Mirchandani ,  Donald He ,  Naresh Thapar ,  Ritu Sodhi ,  Kyle Spring ,  Daniel Kinzer

发明人： Ling Ma ,  Adam Amali ,  Siddharth Kiyawat ,  Ashita Mirchandani ,  Donald He ,  Naresh Thapar ,  Ritu Sodhi ,  Kyle Spring ,  Daniel Kinzer

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： A process for manufacturing a semiconductor device of the trench variety with reduced feature sizes and improved characteristics which process includes forming a termination structure having a field oxide disposed in a recess below the surface of the semiconductor die in which the active elements of the device are formed, and forming source regions after the major thermal steps have been performed.

摘要翻译： 一种用于制造具有减小的特征尺寸和改进特性的沟槽种类的半导体器件的方法，该工艺包括形成具有设置在其中形成有器件的有源元件的半导体管芯的表面下方的凹陷中的场氧化物的端接结构 并且在主要热步骤之后形成源区。

公开(公告)号：US09575806B2

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：US13538971

申请日：2012-06-29

申请人： Ren Wang ,  Ling Ma ,  Ahmad Samih ,  Zhaojuan Bian

发明人： Ren Wang ,  Ling Ma ,  Ahmad Samih ,  Zhaojuan Bian

IPC分类号： G06F9/46 ,  G06F9/50

CPC分类号： G06F9/4881 ,  G06F3/0611 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0673 ,  G06F9/5027 ,  G06F13/1668 ,  G06F13/4068 ,  G06F2209/501 ,  G06F2209/502 ,  Y02D10/14 ,  Y02D10/151 ,  Y02D10/22

摘要： A method of an aspect includes running a plurality of threads on a plurality of thread processors. Memory accesses, of a thread of the plurality that is running on a first thread processor of the plurality, are monitored to both a first memory through a first memory controller and a second memory through a second memory controller. A second thread processor of the plurality is selected for a thread based on the monitoring of the memory accesses of the thread to both the first memory and the second memory. Installation of the thread, for which the second thread processor was selected, is initiated on the second thread processor. Other methods, apparatus, and systems are also disclosed.

摘要翻译： 一个方面的方法包括在多个线程处理器上运行多个线程。 在多个第一线程处理器上运行的多个线程的存储器访问通过第一存储器控制器和通过第二存储器控制器的第二存储器被监视到第一存储器。 基于对第一存储器和第二存储器两者的线程的存储器访问的监视，为线程选择多个第二线程处理器。 在第二线程处理器上启动安装了第二个线程处理器被选择的线程。 还公开了其它方法，装置和系统。

公开(公告)号：US09493399B2

公开(公告)日：2016-11-15

申请号：US14234854

申请日：2012-04-27

申请人： Ling Ma ,  Lei Li ,  Xiangjun Kong ,  Malike Dilibai ,  Xinping Zhen ,  Chunge Niu ,  Shengjun Bai

发明人： Ling Ma ,  Lei Li ,  Xiangjun Kong ,  Malike Dilibai ,  Xinping Zhen ,  Chunge Niu ,  Shengjun Bai

IPC分类号： C07C225/06 ,  C10G75/02 ,  C23F11/14 ,  C07C221/00 ,  C07C225/10 ,  C07C225/12 ,  C07C225/16

CPC分类号： C07C225/06 ,  C07C221/00 ,  C07C225/10 ,  C07C225/12 ,  C07C225/16 ,  C10G75/02 ,  C23F11/141

摘要： The present invention relates to a multi-branched Mannich base corrosion inhibitor and the method for preparing thereof. The method comprises (1) adding 3˜7 moles ketone and 3˜7 moles aldehyde to reaction kettle, adjusting pH to 2˜6 with acid, controlling temperature to 20˜50° C. and stirring for 20˜30 mins; (2) adding 1 mole organic polyamine to the reaction kettle under stirring, or adding the pH-adjusted ketone, aldehyde and organic solvent to organic polyamine, controlling temperature to 60˜90° C. and reacting for 1˜3 hrs, and after completion of the reaction, heating the system to 110° C. under nitrogen to remove water; the organic polyamine is organic compound comprising three or more primary amine groups and/or secondary amine groups. The Mannich base corrosion inhibitor of the present invention shows characters of strong adsorption force, high film strength, high film compactness, increase in corrosion inhibition efficiency by at least 2%, and overcomes the disadvantages in prior art of few adsorption centers, single adsorption group and weak adsorption force to metal surfaces.

摘要翻译： 本发明涉及多支化曼尼希碱缓蚀剂及其制备方法。 该方法包括：（1）向反应釜中加入3〜7摩尔酮和3〜7摩尔醛，用酸调节pH至2〜6，控制温度为20〜50℃，搅拌20〜30分钟; （2）在搅拌下向反应釜中加入1摩尔有机多胺，或将pH调节的酮，醛和有机溶剂加入到有机多胺中，控制温度为60〜90℃，反应1〜3小时后 反应完成，在氮气下将体系加热至110℃以除去水; 有机多胺是包含三个或更多个伯胺基和/或仲胺基团的有机化合物。 本发明的曼尼希碱防腐蚀剂具有吸附力强，膜强度高，膜致密性高，腐蚀抑制效率提高至少2％的特征，克服了少量吸附中心现有技术的缺点，单吸附组 对金属表面的吸附力弱。