公开(公告)号：US08681596B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US12961848

申请日：2010-12-07

申请人： John Heck

发明人： John Heck

IPC分类号： G11B9/00 ,  H01L21/331 ,  H01L31/036

CPC分类号： G11B9/1409 ,  G01Q80/00 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49222

摘要： Embodiments of a process comprising forming one or more micro-electro-mechanical (MEMS) probe on a conductive metal oxide semiconductor (CMOS) wafer, wherein each MEMS probe comprises a cantilever beam with a fixed end and a free end and wherein the CMOS wafer has circuitry thereon; forming an unsharpened tip at or near the free end of each cantilever beam; depositing a silicide-forming material over the tip; annealing the wafer to sharpen the tip; and exposing the sharpened tip. Embodiments of an apparatus comprising a conductive metal oxide semiconductor (CMOS) wafer including circuitry therein; one or more micro-electro-mechanical (MEMS) probes integrally formed on the CMOS wafer, wherein each MEMS probe comprises a cantilever beam with a fixed end and a free end and a sharpened tip at or near the free end, the sharpened tip formed by a process comprising forming an unsharpened tip at or near the free end of each cantilever beam, depositing a silicide-forming material over the unsharpened tip, annealing the wafer to sharpen the unsharpened tip, and exposing the sharpened tip.

摘要翻译： 一种方法的实施例包括在导电金属氧化物半导体（CMOS）晶片上形成一个或多个微电机械（MEMS）探针，其中每个MEMS探针包括具有固定端和自由端的悬臂梁，并且其中所述CMOS晶片 在其上有电路; 在每个悬臂梁的自由端处或附近形成未钝化的尖端; 在尖端上沉积硅化物形成材料; 退火晶片以锐化尖端; 并暴露锋利的尖端。 包括其中包括电路的导电金属氧化物半导体（CMOS）晶片的装置的实施例; 在CMOS晶片上整体形成的一个或多个微机电（MEMS）探针，其中每个MEMS探针包括具有固定端和自由端的悬臂梁，以及在自由端处或附近的尖锐尖端，形成尖锐的尖端 通过包括在每个悬臂梁的自由端处或附近形成未钝化的尖端的方法，在未钝化的尖端上沉积硅化物形成材料，退火晶片以锐化未钝化的尖端，以及暴露尖锐的尖端。

公开(公告)号：US20140050243A1

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：US13995689

申请日：2011-12-22

申请人： Siddharth Jain ,  John Bowers ,  Matthew Sysak ,  John Heck ,  Ran Feldesh ,  Richard Jones ,  Yoel Shetrit ,  Michael Geva

发明人： Siddharth Jain ,  John Bowers ,  Matthew Sysak ,  John Heck ,  Ran Feldesh ,  Richard Jones ,  Yoel Shetrit ,  Michael Geva

IPC分类号： H01L23/00

CPC分类号： H01L24/45 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/20 ,  H01L29/452 ,  H01L2224/45 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/12042 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0425 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/43

摘要： A semiconductor metallurgy includes a ratio of germanium and palladium that provides low contact resistance to both n-type material and p-type material. The metallurgy allows for a contact that does not include gold and is compatible with mass-production CMOS techniques. The ratio of germanium and palladium can be achieved by stacking layers of the materials and annealing the stack, or simultaneously depositing the germanium and palladium on the material where the contact is to be manufactured.

摘要翻译： 半导体冶金学包括对n型材料和p型材料提供低接触电阻的锗和钯的比例。 冶金允许不包括金的接触，并且与大规模生产CMOS技术兼容。 锗和钯的比例可以通过堆叠材料的层并退火叠层来实现，或者同时将锗和钯沉积在要制造接触的材料上。

公开(公告)号：US08620164B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US13010232

申请日：2011-01-20

申请人： John Heck ,  Hanan Bar ,  Richard Jones ,  Hyundai Park

发明人： John Heck ,  Hanan Bar ,  Richard Jones ,  Hyundai Park

IPC分类号： H04B10/00

CPC分类号： H01S5/021 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2205

摘要： Described herein is a hybrid III-V Silicon laser comprising a first semiconductor region including layers of semiconductor materials from group III, group IV, or group V semiconductor to form an active region; and a second semiconductor region having a silicon waveguide and bonded to the first semiconductor region via direct bonding at room temperature of a layer of the first semiconductor region to a layer of the second semiconductor region.

摘要翻译： 本文描述的是混合III-V硅激光器，其包括第一半导体区域，其包括来自III族，IV族或V族半导体的半导体材料的层，以形成有源区; 以及第二半导体区域，具有硅波导，并且通过在第一半导体区域的层的室温下直接接合而与第一半导体区域接合。

公开(公告)号：US07869334B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US11725647

申请日：2007-03-19

申请人： John Heck

发明人： John Heck

IPC分类号： G11B9/00

CPC分类号： G11B9/1409 ,  G01Q80/00 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49222

摘要： Embodiments of a process comprising forming one or more micro-electro-mechanical (MEMS) probe on a conductive metal oxide semiconductor (CMOS) wafer, wherein each MEMS probe comprises a cantilever beam with a fixed end and a free end and wherein the CMOS wafer has circuitry thereon; forming an unsharpened tip at or near the free end of each cantilever beam; depositing a silicide-forming material over the tip; annealing the wafer to sharpen the tip; and exposing the sharpened tip. Embodiments of an apparatus comprising a conductive metal oxide semiconductor (CMOS) wafer including circuitry therein; one or more micro-electro-mechanical (MEMS) probes integrally formed on the CMOS wafer, wherein each MEMS probe comprises a cantilever beam with a fixed end and a free end and a sharpened tip at or near the free end, the sharpened tip formed by a process comprising forming an unsharpened tip at or near the free end of each cantilever beam, depositing a silicide-forming material over the unsharpened tip, annealing the wafer to sharpen the unsharpened tip, and exposing the sharpened tip.

摘要翻译： 一种方法的实施例包括在导电金属氧化物半导体（CMOS）晶片上形成一个或多个微电机械（MEMS）探针，其中每个MEMS探针包括具有固定端和自由端的悬臂梁，并且其中所述CMOS晶片 在其上有电路; 在每个悬臂梁的自由端处或附近形成未钝化的尖端; 在尖端上沉积硅化物形成材料; 退火晶片以锐化尖端; 并暴露锋利的尖端。 包括其中包括电路的导电金属氧化物半导体（CMOS）晶片的装置的实施例; 在CMOS晶片上整体形成的一个或多个微机电（MEMS）探针，其中每个MEMS探针包括具有固定端和自由端的悬臂梁，以及在自由端处或附近的尖锐尖端，形成尖锐的尖端 通过包括在每个悬臂梁的自由端处或附近形成未钝化的尖端的方法，在未钝化的尖端上沉积硅化物形成材料，退火晶片以锐化未钝化的尖端，以及暴露尖锐的尖端。

公开(公告)号：US20100320606A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：US12817631

申请日：2010-06-17

申请人： Ajay Jain ,  Simone Severi ,  Gert Claes ,  John Heck

发明人： Ajay Jain ,  Simone Severi ,  Gert Claes ,  John Heck

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： B81C1/00246 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/07 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0735

摘要： The present disclosure proposes a method for manufacturing in a MEMS device a low-resistance contact between a silicon-germanium layer and a layer contacted by this silicon-germanium layer, such as a CMOS metal layer or another silicon-germanium layer, through an opening in a dielectric layer stack separating both layers. An interlayer is formed in this opening, thereby covering at least the sidewalls of the opening on the exposed surface of the another layer at the bottom of this opening. This interlayer may comprise a TiN layer in contact with the silicon-germanium layer. This interlayer can further comprise a Ti layer in between the TiN layer and the layer to be contacted. In another embodiment this interlayer comprises a TaN layer in contact with the silicon-germanium layer. This interlayer can then further comprise a Ta layer in between the TaN layer and the layer to be contacted.

摘要翻译： 本公开提出了一种用于在MEMS器件中制造硅 - 锗层与由该硅 - 锗层接触的层之间的低电阻接触的方法，例如CMOS金属层或另一硅 - 锗层，通过开口 在分离两层的电介质层叠层中。 在该开口中形成中间层，从而至少覆盖在该开口底部的另一层的露出表面上的开口的至少侧壁。 该中间层可以包括与硅 - 锗层接触的TiN层。 该中间层可以进一步包括在TiN层和待接触层之间的Ti层。 在另一个实施方案中，该中间层包括与硅 - 锗层接触的TaN层。 然后该中间层可以进一步包括在TaN层和待接触层之间的Ta层。

公开(公告)号：US07687297B2

公开(公告)日：2010-03-30

申请号：US11824465

申请日：2007-06-29

申请人： John Heck ,  Tsung-Kuan Allen Chou

发明人： John Heck ,  Tsung-Kuan Allen Chou

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： B81C1/00246 ,  B81B2201/07 ,  B81B2201/11 ,  B81B2201/12 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2203/0735 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/1436

摘要： In one embodiment, the present invention includes a method for forming a sacrificial oxide layer on a base layer of a microelectromechanical systems (MEMS) probe, patterning the sacrificial oxide layer to provide a first trench pattern having a substantially rectangular form and a second trench pattern having a substantially rectangular portion and a lateral portion extending from the substantially rectangular portion, and depositing a conductive layer on the patterned sacrificial oxide layer to fill the first and second trench patterns to form a support structure for the MEMS probe and a cantilever portion of the MEMS probe. Other embodiments are described and claimed.

摘要翻译： 在一个实施例中，本发明包括在微机电系统（MEMS）探针的基底层上形成牺牲氧化物层的方法，图案化牺牲氧化物层以提供具有基本矩形形状的第一沟槽图案和第二沟槽图案 具有基本上矩形的部分和从所述大致矩形部分延伸的横向部分，以及在所述图案化的牺牲氧化物层上沉积导电层以填充所述第一和第二沟槽图案以形成用于所述MEMS探针的支撑结构， MEMS探针。 描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US20090294028A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12132139

申请日：2008-06-03

申请人： John Heck ,  Nickolai Belov ,  Zebulah Nathan Rapp ,  Terry Zhu

发明人： John Heck ,  Nickolai Belov ,  Zebulah Nathan Rapp ,  Terry Zhu

IPC分类号： B32B38/10 ,  B32B38/00 ,  B32B37/00

CPC分类号： G11B9/02 ,  B32B2457/14 ,  G11B9/1463

摘要： A method of fabricating an information storage device comprises providing a media substrate including a first side and a second side, forming a media on the first side of the media substrate, adhesively associating the media with a carrier substrate, thinning a surface of the second side of the media substrate while supporting and protecting the media with the carrier substrate, and forming circuitry on the thinned second side of the media substrate.

摘要翻译： 一种制造信息存储装置的方法包括提供包括第一侧和第二侧的介质基板，在介质基板的第一侧上形成介质，将介质与载体基板粘合地关联，使第二侧的表面变薄 的介质基板，同时用载体基板支撑和保护介质，以及在介质基板的减薄的第二侧上形成电路。

公开(公告)号：USD584945S1

公开(公告)日：2009-01-20

申请号：US29287906

申请日：2007-10-01

申请人： Jason Michael Friedland ,  Matthew Wadalawala ,  John Heck ,  Glenn Shull ,  Gary Chisholm ,  Angus MacLellan ,  Neil A. Willcocks ,  Alessandra Collier

设计人： Jason Michael Friedland ,  Matthew Wadalawala ,  John Heck ,  Glenn Shull ,  Gary Chisholm ,  Angus MacLellan ,  Neil A. Willcocks ,  Alessandra Collier

公开(公告)号：US07368808B2

公开(公告)日：2008-05-06

申请号：US10611334

申请日：2003-06-30

申请人： John Heck ,  Joseph S. Hayden, III ,  Steve W. Greathouse ,  Daniel M. Wong

发明人： John Heck ,  Joseph S. Hayden, III ,  Steve W. Greathouse ,  Daniel M. Wong

IPC分类号： H01L23/02 ,  H01L21/44

CPC分类号： B81C1/00269 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

摘要： A MEMS die is bonded to a cap to form a MEMS device. The cap is non-silicon and has an electrical via extending from one side of the cap to another side of the cap. In one embodiment, a plurality of caps is wafer bonded to a plurality of MEMS dice.

摘要翻译： MEMS管芯结合到帽以形成MEMS器件。 盖是非硅的，并且具有从盖的一侧延伸到盖的另一侧的电气通孔。 在一个实施例中，多个盖子被晶片结合到多个MEMS芯片。

公开(公告)号：US20070241448A1

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：US11765969

申请日：2007-06-20

申请人： Leonel Arana ,  John Heck

发明人： Leonel Arana ,  John Heck

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： B23K3/0623 ,  B23K2101/38 ,  H01L2224/17

摘要： Embodiments include electronic assemblies and methods for forming electronic assemblies. One embodiment includes a method of forming a MEMS device assembly, including forming an active MEMS region on a substrate. A plurality of bonding pads electrically coupled to the active MEMS region are formed. A seal ring wetting layer is also formed on the substrate, the seal ring wetting layer surrounding the active MEMS region. A single piece solder preform is positioned on the bonding pads and on the seal ring wetting layer, the single piece solder preform including a seal ring region and a bonding pad region. The seal ring region is connected to the bonding pad region by a plurality of solder bridges. The method also includes heating the single piece solder preform to a temperature above the reflow temperature, so that the bridges split and the solder from the preform accumulates on the seal ring wetting layer and the bonding pads. A lid is coupled to the solder. In certain embodiments the lid may include vias having conductive material therein for providing electrical contact to the MEMS device. Other embodiments are described and claimed.

摘要翻译： 实施例包括用于形成电子组件的电子组件和方法。 一个实施例包括形成MEMS器件组件的方法，包括在衬底上形成有源MEMS区域。 形成电耦合到有源MEMS区域的多个接合焊盘。 密封环润湿层也形成在衬底上，围绕有源MEMS区域的密封环润湿层。 单块焊料预制件位于接合焊盘和密封环润湿层上，单件焊料预制件包括密封环区域和焊盘区域。 密封圈区域通过多个焊接桥连接到焊盘区域。 该方法还包括将单件焊料预制件加热到高于回流温度的温度，使得桥接器分裂，并且来自预制件的焊料积聚在密封环润湿层和接合焊盘上。 盖子与焊料相连。 在某些实施例中，盖可以包括其中具有导电材料的通孔，用于提供与MEMS器件的电接触。 描述和要求保护其他实施例。