公开(公告)号：US20140273529A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US14211024

申请日：2014-03-14

申请人： Victor Nguyen ,  Woong Jae Lee ,  Mihaela Balseanu ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty

发明人： Victor Nguyen ,  Woong Jae Lee ,  Mihaela Balseanu ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348

摘要： Provided are methods of for deposition of SiN films via PEALD processes. Certain methods pertain to exposing a substrate surface to a silicon precursor to provide a silicon precursor at the substrate surface; purging excess silicon precursor; exposing the substrate surface to an ionized reducing agent; and purging excess ionized reducing agent to provide a film comprising SiN, wherein the substrate has a temperature of 23° C. to about 550° C.

摘要翻译： 提供了通过PEALD工艺沉积SiN膜的方法。 某些方法涉及将衬底表面暴露于硅前体以在衬底表面提供硅前体; 清除多余的硅前体; 将基板表面暴露于电离还原剂; 并且吹扫过量的电离还原剂以提供包含SiN的膜，其中所述基材的温度为23℃至约550℃。

公开(公告)号：US08252653B2

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US12255617

申请日：2008-10-21

申请人： Mihaela Balseanu ,  Vladimir Zubkov ,  Li-Qun Xia ,  Atif Noori ,  Reza Arghavani ,  Derek R. Witty ,  Amir Al-Bayati

发明人： Mihaela Balseanu ,  Vladimir Zubkov ,  Li-Qun Xia ,  Atif Noori ,  Reza Arghavani ,  Derek R. Witty ,  Amir Al-Bayati

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  H01L29/792 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L21/3185 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： A flash memory device and methods of forming a flash memory device are provided. The flash memory device includes a doped silicon nitride layer having a dopant comprising carbon, boron or oxygen. The doped silicon nitride layer generates a higher number and higher concentration of nitrogen and silicon dangling bonds in the layer and provides an increase in charge holding capacity and charge retention time of the unit cell of a non-volatile memory device.

摘要翻译： 提供闪速存储器件和形成闪存器件的方法。 闪速存储器件包括具有包含碳，硼或氧的掺杂剂的掺杂氮化硅层。 掺杂的氮化硅层在该层中产生更高数量和更高浓度的氮和硅悬挂键，并且提供非易失性存储器件的单元电池的电荷保持容量和电荷保留时间的增加。

公开(公告)号：US20100099247A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12256173

申请日：2008-10-22

申请人： Mihaela Balseanu ,  Vladimir Zubkov ,  Li-Qun Xia ,  Atif Noori ,  Reza Arghavani ,  Derek R. Witty ,  Amir Al-Bayati

发明人： Mihaela Balseanu ,  Vladimir Zubkov ,  Li-Qun Xia ,  Atif Noori ,  Reza Arghavani ,  Derek R. Witty ,  Amir Al-Bayati

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/3185 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： A methods of forming a flash memory device are provided. The flash memory device comprises a silicon dioxide layer on a substrate and a silicon nitride layer that is formed on the silicon dioxide layer. The properties of the silicon nitride layer can be modified by any of: exposing the silicon nitride layer to ultraviolet radiation, exposing the silicon nitride layer to an electron beam, and by plasma treating the silicon nitride layer. A dielectric material is deposited on the silicon nitride layer and a conductive date is formed over the dielectric material. The flash memory device with modified silicon nitride layer provides an increase in charge holding capacity and charge retention time of the unit cell of a non-volatile memory device.

摘要翻译： 提供了形成闪速存储器件的方法。 闪存器件包括在衬底上的二氧化硅层和形成在二氧化硅层上的氮化硅层。 氮化硅层的性质可以通过以下任何方式改变：将氮化硅层暴露于紫外线辐射，将氮化硅层暴露于电子束，以及通过等离子体处理氮化硅层。 介电材料沉积在氮化硅层上，并且在电介质材料上形成导电日期。 具有改进的氮化硅层的闪速存储器件提供了非易失性存储器件的单元电池的电荷保持容量和电荷保持时间的增加。

公开(公告)号：US20100096688A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12256119

申请日：2008-10-22

申请人： Mihaela Balseanu ,  Vladimir Zubkov ,  Li-Qun Xia ,  Atif Noori ,  Reza Arghavani ,  Derek R. Witty ,  Amir Al-Bayati

发明人： Mihaela Balseanu ,  Vladimir Zubkov ,  Li-Qun Xia ,  Atif Noori ,  Reza Arghavani ,  Derek R. Witty ,  Amir Al-Bayati

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/336 ,  H01L29/68

CPC分类号： H01L21/3185 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： A flash memory device and method of forming a flash memory device are provided. The flash memory device includes a silicon nitride layer having a compositional gradient in which the ratio of silicon to nitrogen varies through the thickness of the layer. The silicon nitride layer having a compositional gradient of silicon and nitrogen provides an increase in charge holding capacity and charge retention time of the unit cell of a non-volatile memory device.

摘要翻译： 提供一种形成闪速存储器件的闪速存储器件和方法。 闪速存储器件包括具有组成梯度的氮化硅层，其中硅与氮的比例通过该层的厚度而变化。 具有硅和氮的组成梯度的氮化硅层提供了非易失性存储器件的单元电池的电荷保持容量和电荷保留时间的增加。

公开(公告)号：US20080182404A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US12017930

申请日：2008-01-22

申请人： ALEXANDROS T. DEMOS ,  Li-Qun Xia ,  Bok Hoen Kim ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

发明人： ALEXANDROS T. DEMOS ,  Li-Qun Xia ,  Bok Hoen Kim ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/7682 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1047 ,  Y10S438/931

摘要： Methods are provided for forming a structure that includes an air gap. In one embodiment, a method is provided for forming a damascene structure comprises depositing a porous low dielectric constant layer by a method including reacting an organosilicon compound and a porogen-providing precursor, depositing a porogen-containing material, and removing at least a portion of the porogen-containing material, depositing an organic layer on the porous low dielectric constant layer by reacting the porogen-providing precursor, forming a feature definition in the organic layer and the porous low dielectric constant layer, filing the feature definition with a conductive material therein, depositing a mask layer on the organic layer and the conductive material disposed in the feature definition, forming apertures in the mask layer to expose the organic layer, removing a portion or all of the organic layer through the apertures, and forming an air gap adjacent the conductive material.

摘要翻译： 提供了用于形成包括气隙的结构的方法。 在一个实施例中，提供了一种用于形成镶嵌结构的方法，包括通过包括使有机硅化合物和致孔剂提供前体反应的方法沉积多孔低介电常数层，沉积含致孔剂的材料，以及除去至少一部分 含致孔剂的材料，通过使造孔剂提供前体反应，在有机层中形成特征定义和多孔低介电常数层，在多孔低介电常数层上沉积有机层，用导电材料填充特征定义 在有机层上沉积掩模层和设置在特征定义中的导电材料，在掩模层中形成孔以暴露有机层，通过孔去除部分或全部有机层，并形成相邻的气隙 导电材料。

公开(公告)号：US20080146007A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11610991

申请日：2006-12-14

申请人： Mihaela Balseanu ,  Victor T. Nguyen ,  Li-Qun Xia ,  Vladimir Zubkov ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

发明人： Mihaela Balseanu ,  Victor T. Nguyen ,  Li-Qun Xia ,  Vladimir Zubkov ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02167 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7843

摘要： A method for forming a compressive stress carbon-doped silicon nitride layer is provided. The method includes forming an initiation layer and a bulk layer thereon, wherein the bulk layer has a compressive stress of between about −0.1 GPa and about −10 GPa. The initiation layer is deposited from a gas mixture that includes a silicon and carbon-containing precursor and optionally a nitrogen and/or source but does not include hydrogen gas. The bulk layer is deposited from a gas mixture that includes a silicon and carbon-containing precursor, a nitrogen source, and hydrogen gas. The initiation layer is a thin layer that allows good transfer of the compressive stress of the bulk layer therethrough to an underlying layer, such as a channel of a transistor.

摘要翻译： 提供了形成压应力碳掺杂氮化硅层的方法。 该方法包括在其上形成起始层和本体层，其中本体层的压应力在约-0.1GPa和约-10GPa之间。 起始层由包含硅和含碳前体以及任选的氮和/或源的气体混合物沉积，但不包括氢气。 本体层由包含硅和碳的前体，氮源和氢气的气体混合物沉积。 引发层是允许体层的压应力通过其传递到诸如晶体管的通道的下层的薄层。

公开(公告)号：US20130189841A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：US13354939

申请日：2012-01-20

申请人： Mihaela Balseanu ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty ,  Thomas H. Osterheld ,  Christopher Heung-Gyun Lee ,  William H. McClintock

发明人： Mihaela Balseanu ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty ,  Thomas H. Osterheld ,  Christopher Heung-Gyun Lee ,  William H. McClintock

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7843

摘要： A method for forming an integrated circuit is provided. In one embodiment, the method includes forming a stop layer comprising carbon doped silicon nitride on a gate region on a substrate, the gate region having a poly gate and one or more spacers formed adjacent the poly gate, forming a dielectric layer on the stop layer, and removing a portion of the dielectric layer above the gate region using a CMP process, wherein the stop layer is a strain inducing layer having a CMP removal rate that is less than the CMP removal rate of the dielectric layer and equal to or less than the CMP removal rate of the one or more spacers.

摘要翻译： 提供一种用于形成集成电路的方法。 在一个实施例中，该方法包括在衬底上的栅极区域上形成包含碳掺杂氮化硅的阻挡层，栅极区域具有多晶硅栅极和与多晶硅栅极相邻形成的一个或多个间隔区，在阻挡层上形成电介质层 并且使用CMP工艺去除所述栅极区域上方的所述电介质层的一部分，其中所述阻挡层是具有小于所述介电层的CMP去除速率的CMP去除速率的应变诱导层，并且等于或小于 一个或多个间隔物的CMP去除速率。

公开(公告)号：US08389376B2

公开(公告)日：2013-03-05

申请号：US12714865

申请日：2010-03-01

申请人： Alexandros T. Demos ,  Li-Qun Xia ,  Bok Hoen Kim ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

发明人： Alexandros T. Demos ,  Li-Qun Xia ,  Bok Hoen Kim ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/7682 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1047 ,  Y10S438/931

摘要： Methods are provided for forming a structure that includes an air gap. In one embodiment, a method is provided for forming a damascene structure including depositing a porous low dielectric constant layer by a method including reacting an organosilicon compound and a porogen-providing precursor, depositing a porogen-containing material, and removing at least a portion of the porogen-containing material, depositing an organic layer on the porous low dielectric constant layer by reacting the porogen-providing precursor, forming a feature definition in the organic layer and the porous low dielectric constant layer, filing the feature definition with a conductive material therein, depositing a mask layer on the organic layer and the conductive material disposed in the feature definition, forming apertures in the mask layer to expose the organic layer, removing a portion or all of the organic layer through the apertures, and forming an air gap adjacent the conductive material.

摘要翻译： 提供了用于形成包括气隙的结构的方法。 在一个实施方案中，提供了一种用于形成镶嵌结构的方法，包括通过包括使有机硅化合物和致孔剂提供前体反应的方法沉积多孔低介电常数层，沉积含致孔剂的材料，以及除去至少一部分 含致孔剂的材料，通过使造孔剂提供前体反应，在有机层中形成特征定义和多孔低介电常数层，在多孔低介电常数层上沉积有机层，用导电材料填充特征定义 在有机层上沉积掩模层和设置在特征定义中的导电材料，在掩模层中形成孔以暴露有机层，通过孔去除部分或全部有机层，并形成相邻的气隙 导电材料。

公开(公告)号：US07964442B2

公开(公告)日：2011-06-21

申请号：US11869416

申请日：2007-10-09

申请人： Huiwen Xu ,  Yijun Liu ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

发明人： Huiwen Xu ,  Yijun Liu ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C23C16/22 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185

摘要： The present invention generally provides a method for forming a dielectric barrier with lowered dielectric constant, improved etching resistivity and good barrier property. One embodiment provides a method for processing a semiconductor substrate comprising flowing a precursor to a processing chamber, wherein the precursor comprises silicon-carbon bonds and carbon-carbon bonds, and generating a low density plasma of the precursor in the processing chamber to form a dielectric barrier film having carbon-carbon bonds on the semiconductor substrate, wherein the at least a portion of carbon-carbon bonds in the precursor is preserved in the low density plasma and incorporated in the dielectric barrier film.

摘要翻译： 本发明通常提供一种形成具有降低的介电常数，改进的蚀刻电阻率和良好的阻挡性能的介电阻挡层的方法。 一个实施例提供了一种用于处理半导体衬底的方法，包括将前体流入处理室，其中前体包含硅 - 碳键和碳 - 碳键，并在处理室中产生前体的低密度等离子体以形成电介质 在半导体衬底上具有碳 - 碳键的阻挡膜，其中前体中的至少一部分碳 - 碳键保存在低密度等离子体中并且并入介电阻挡膜中。

公开(公告)号：US07790635B2

公开(公告)日：2010-09-07

申请号：US11610991

申请日：2006-12-14

申请人： Mihaela Balseanu ,  Victor T. Nguyen ,  Li-Qun Xia ,  Vladimir Zubkov ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

发明人： Mihaela Balseanu ,  Victor T. Nguyen ,  Li-Qun Xia ,  Vladimir Zubkov ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02167 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7843

摘要： A method for forming a compressive stress carbon-doped silicon nitride layer is provided. The method includes forming an initiation layer and a bulk layer thereon, wherein the bulk layer has a compressive stress of between about −0.1 GPa and about −10 GPa. The initiation layer is deposited from a gas mixture that includes a silicon and carbon-containing precursor and optionally a nitrogen and/or source but does not include hydrogen gas. The bulk layer is deposited from a gas mixture that includes a silicon and carbon-containing precursor, a nitrogen source, and hydrogen gas. The initiation layer is a thin layer that allows good transfer of the compressive stress of the bulk layer therethrough to an underlying layer, such as a channel of a transistor.

摘要翻译： 提供了形成压应力碳掺杂氮化硅层的方法。 该方法包括在其上形成起始层和本体层，其中本体层的压应力在约-0.1GPa和约-10GPa之间。 起始层由包含硅和含碳前体以及任选的氮和/或源的气体混合物沉积，但不包括氢气。 本体层由包含硅和碳的前体，氮源和氢气的气体混合物沉积。 引发层是允许体层的压应力通过其传递到诸如晶体管的通道的下层的薄层。