公开(公告)号：US07459762B2

公开(公告)日：2008-12-02

申请号：US11339868

申请日：2006-01-26

申请人： Sergey A. Kostylev ,  Wolodymyr Czubatyj

发明人： Sergey A. Kostylev ,  Wolodymyr Czubatyj

IPC分类号： H01L29/86

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L45/00 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144

摘要： A programmable resistance memory element comprising a dielectric material between a programmable resistance memory material and a threshold switching material.

摘要翻译： 一种可编程电阻存储元件，包括在可编程电阻存储器材料和阈值开关材料之间的介电材料。

公开(公告)号：US5534711A

公开(公告)日：1996-07-09

申请号：US423484

申请日：1995-04-19

申请人： Stanford R. Ovshinsky ,  David A. Strand ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Patrick Klersy

发明人： Stanford R. Ovshinsky ,  David A. Strand ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Patrick Klersy

IPC分类号： G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/72

摘要： The present invention comprises an electrically operated, directly overwritable, multibit, single-cell memory element. The memory element includes a volume of memory material which defines the single cell memory element. The memory material is characterized by: (1) a large dynamic range of electrical resistance values; and (2) the ability to be set at one of a plurality of resistance values within said dynamic range in response to selected electrical input signals so as to provide said single cell with multibit storage capabilities. The memory element also includes a pair of spacedly disposed contacts for supplying the electrical input signal to set the memory material to a selected resistance value within the dynamic range. At least a filamentary portion of the singIe cell memory element being setable, by the selected electrical signal to any resistance value in said dynamic range, regardless of the previous resistance value of said material. The memory element further includes a filamentary portion controlling means disposed between the volume of memory material and at least one of the spacedly disposed contacts. The controlling means defining the size and position of the filamentary portion during electrical formation of the memory element and limiting the size and confining the location of the filamentary portion during use of the memory element, thereby providing for a high current density within the filamentary portion of the single cell memory element upon input of a very low total current electrical signal to the spacedly disposed contacts.

摘要翻译： 本发明包括电操作的直接覆盖的多位单个单元存储元件。 存储元件包括限定单个单元存储元件的一定量的存储器材料。 记忆材料的特征在于：（1）电阻值的大动态范围; 以及（2）响应于所选择的电输入信号在所述动态范围内被设置为多个电阻值之一的能力，以便向所述单个单元提供多位存储能力。 存储元件还包括一对间隔设置的触点，用于提供电输入信号以将存储器材料设置在动态范围内的所选电阻值。 所述单元存储元件的至少一个细长部分可通过所选择的电信号被设置成所述动态范围内的任何电阻值，而与所述材料的先前电阻值无关。 存储元件还包括设置在存储器材料体积与间隔设置的触点中的至少一个之间的丝状部分控制装置。 控制装置在存储元件的电气形成期间限定丝状部分的尺寸和位置，并且在存储元件的使用期间限制尺寸并限制丝状部分的位置，由此提供丝网部分内的高电流密度 当输入非常低的总电流电信号到间隔布置的触点时，单个单元存储元件。

公开(公告)号：US5406509A

公开(公告)日：1995-04-11

申请号：US46249

申请日：1993-04-12

申请人： Stanford R. Ovshinsky ,  Qiuyi Ye ,  David A. Strand ,  Wolodymyr Czubatyj

发明人： Stanford R. Ovshinsky ,  Qiuyi Ye ,  David A. Strand ,  Wolodymyr Czubatyj

IPC分类号： G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C17/14

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/72

摘要： The present invention comprises an electrically operated, directly overwritable, multibit, single-cell memory element. The memory element includes a volume of memory material which defines the single cell memory element. The memory material is characterized by: (1) a large dynamic range of electrical resistance values; and (2) the ability to be set at one of a plurality of resistance values within said dynamic range in response to selected electrical input signals so as to provide said single cell with multibit storage capabilities. The memory element also includes a pair of spacedly disposed contacts for supplying the electrical input signal to set the memory material to a selected resistance value within the dynamic range. At least a filamentary portion of the single cell memory element being setable, by the selected electrical signal to any resistance value in said dynamic range, regardless of the previous resistance value of said material. The memory element further includes a filamentary portion controlling means disposed between the volume of memory material and at least one of the spacedly disposed contacts. The controlling means defining the size and position of the filamentary portion during electrical formation of the memory element and limiting the size and confining the location of the filamentary portion during use of the memory element, thereby providing for a high current density within the filamentary portion of the single cell memory element upon input of a very low total current electrical signal to the spacedly disposed contacts.

摘要翻译： 本发明包括电操作的直接覆盖的多位单个单元存储元件。 存储元件包括限定单个单元存储元件的一定量的存储器材料。 记忆材料的特征在于：（1）电阻值的大动态范围; 以及（2）响应于所选择的电输入信号在所述动态范围内被设置为多个电阻值之一的能力，以便向所述单个单元提供多位存储能力。 存储元件还包括一对间隔设置的触点，用于提供电输入信号以将存储器材料设置在动态范围内的所选电阻值。 所述单个单元存储元件的至少一个细长部分可被所选择的电信号设定到所述动态范围内的任何电阻值，而与所述材料的先前电阻值无关。 存储元件还包括设置在存储器材料体积与间隔设置的触点中的至少一个之间的丝状部分控制装置。 控制装置在存储元件的电气形成期间限定丝状部分的尺寸和位置，并且在存储元件的使用期间限制尺寸并限制丝状部分的位置，由此提供丝网部分内的高电流密度 当输入非常低的总电流电信号到间隔布置的触点时，单个单元存储元件。

公开(公告)号：US5694146A

公开(公告)日：1997-12-02

申请号：US324071

申请日：1994-10-14

申请人： Stanford R. Ovshinsky ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Rosa Young ,  Guy C. Wicker

发明人： Stanford R. Ovshinsky ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Rosa Young ,  Guy C. Wicker

IPC分类号： C03C3/32 ,  G02F1/1365 ,  G09G3/36 ,  H01L45/00 ,  G02F1/333

CPC分类号： G09G3/367 ,  C03C3/321 ,  G02F1/1365 ,  H01L45/04 ,  H01L45/144

摘要： An active matrix liquid crystal display panel including a plurality of Ovonic threshold switches each serially coupled between the corresponding row or column conductor and the liquid crystal display element. The Ovonic threshold switches act as display element selection devices and current isolation devices. The Ovonic switches have an off-state resistance of at least 1.times.10.sup.10 ohms.

摘要翻译： 一种有源矩阵液晶显示面板，包括多个欧氏液体阈值开关，每个液晶显示元件串联连接在相应的行或列导体与液晶显示元件之间。 Ovonic阈值开关作为显示元件选择器件和电流隔离器件。 Ovonic开关具有至少1x10 10欧姆的截止电阻。

公开(公告)号：US08000125B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US12178148

申请日：2008-07-23

申请人： Regino Sandoval ,  Sergey A. Kostylev ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Tyler Lowrey

发明人： Regino Sandoval ,  Sergey A. Kostylev ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Tyler Lowrey

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

摘要： A method of programming a multi-layer chalcogenide electronic device. The device includes an active region in electrical communication with two terminals, where the active region includes two or more layers. The method includes providing an electrical signal between the two terminals, where the electrical signal alters an electrical characteristic of a layer remote from one of the terminals. In one embodiment, the layer remote from the terminal is a chalcogenide material and the electrical characteristic is resistance. In another embodiment, an electrical characteristic of the layer in contact with the terminal is also altered. The alteration of an electrical characteristic may be caused by a transformation of a chalcogenide material from one structural state to another structural state.

摘要翻译： 一种编程多层硫族化物电子器件的方法。 该器件包括与两个端子电连通的有源区域，其中有源区域包括两层或更多层。 该方法包括在两个终端之间提供电信号，其中电信号改变远离其中一个终端的层的电特性。 在一个实施例中，远离终端的层是硫族化物材料，并且电特性是电阻。 在另一个实施例中，与终端接触的层的电特性也被改变。 电特性的改变可能是由硫族化物材料从一种结构状态转变为另一种结构状态引起的。

公开(公告)号：US07767992B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US11451913

申请日：2006-06-13

申请人： Regino Sandoval ,  Sergey A. Kostylev ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Tyler Lowrey

发明人： Regino Sandoval ,  Sergey A. Kostylev ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Tyler Lowrey

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

摘要： A multi-layer chalcogenide electronic device. The device includes an active region in electrical communication with two terminals, where the active region includes two or more layers. In one embodiment, the pore region includes two or more chalcogenide materials which differ in chemical composition. In another embodiment, the pore region includes one or more chalcogenide materials and a layer of Sb. The devices offer the advantages of minimal conditioning requirements, fast set speeds, high reset resistances and low set resistances.

摘要翻译： 多层硫族化物电子器件。 该器件包括与两个端子电连通的有源区域，其中有源区域包括两层或更多层。 在一个实施方案中，孔区域包括化学组成不同的两种或更多种硫族化物材料。 在另一个实施方案中，孔区包括一种或多种硫族化物材料和一层Sb。 该器件具有最小的调理要求，快速设定速度，高复位电阻和低设定电阻的优点。

公开(公告)号：US6075719A

公开(公告)日：2000-06-13

申请号：US337778

申请日：1999-06-22

申请人： Tyler Lowrey ,  Guy C. Wicker ,  Boil Pashmakov ,  Patrick J. Klersy ,  Sergey A. Kostylev ,  Wolodymyr Czubatyj

发明人： Tyler Lowrey ,  Guy C. Wicker ,  Boil Pashmakov ,  Patrick J. Klersy ,  Sergey A. Kostylev ,  Wolodymyr Czubatyj

IPC分类号： G11C13/00 ,  G11C11/00 ,  G11C11/34 ,  G11C16/02 ,  G11C16/34 ,  H01L45/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0064

摘要： A method of programming an electrically programmable phase-change memory element to the low resistance state. A first pulse of energy sufficient to transform the device from the low to high resistance states is applied, and a second pulse of energy sufficient to transform the device from the high to low resistance states is applied following the first pulse. In another programming method, the present and desired device states are compared, and programming pulses are applied only if the state of the device needs to be changed.

摘要翻译： 一种将电可编程相变存储元件编程为低电阻状态的方法。 施加足以将器件从低电阻状态转换为高电阻状态的能量的第一脉冲，并且在第一脉冲之后施加足以将器件从高电阻状态转换为低电阻状态的第二能量脉冲。 在另一种编程方法中，比较当前和期望的器件状态，并且只有当需要改变器件的状态时才施加编程脉冲。

公开(公告)号：US5757446A

公开(公告)日：1998-05-26

申请号：US549893

申请日：1995-10-30

申请人： Stanford R. Ovshinsky ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Rosa Young ,  Guy C. Wicker

发明人： Stanford R. Ovshinsky ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Rosa Young ,  Guy C. Wicker

IPC分类号： G02F1/136 ,  C03C3/32 ,  G02F1/1365 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/36 ,  H01L45/00 ,  G02F1/135

CPC分类号： G09G3/367 ,  C03C3/321 ,  G02F1/1365 ,  H01L45/04 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144

摘要： An acute matrix liquid crystal display panel including 1) a plurality of liquid crystal display elements distributed in a matrix of rows and columns; 2) means for supplying video signals and display element selection signals, including row and column conductors; and 3) a plurality of paired Ovonic threshold switches and resistive elements each serially coupled between the corresponding row or column conductor and the liquid crystal display element, the Ovonic threshold switches acting as display element selection devices and current isolation devices in which the Ovonic threshold switches having an off state resistance of at least 1.times.10.sup.9 ohms.

摘要翻译： 一种急性矩阵液晶显示面板，包括：1）以行和列为矩阵分布的多个液晶显示元件; 2）用于提供视频信号和显示元件选择信号的装置，包括行和列导体; 和3）多个成对的Ovonic阈值开关和电阻元件，每个配对的Ovonic阈值开关和电阻元件串联连接在相应的行或列导体与液晶显示元件之间，Ovonic阈值开关充当显示元件选择器件和电流隔离器件，其中Ovonic阈值开关 具有至少1×10 9欧姆的截止电阻。

公开(公告)号：US5180690A

公开(公告)日：1993-01-19

申请号：US551684

申请日：1990-07-09

申请人： Wolodymyr Czubatyj ,  Stanford R. Ovshinsky ,  Guy C. Wicker ,  David Beglau ,  Ronald Himmler ,  David Jablonski ,  Subhendu Guha

发明人： Wolodymyr Czubatyj ,  Stanford R. Ovshinsky ,  Guy C. Wicker ,  David Beglau ,  Ronald Himmler ,  David Jablonski ,  Subhendu Guha

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  Y10S148/122

摘要： A method for the low temperature fabrication of doped polycrystalline semiconductor alloy material. The method includes the steps of exposing a body of semiconductor alloy material to a reaction gas containing at least a source of the dopant element, and establishing an electrical potential sufficient to sputter etch the surface of said layer, while decomposing the reaction gas. This allows for the deposition of a layer of doped amorphous semiconductor alloy material upon the body of semiconductor alloy material. Thereafter, the doped layer of amorphous semiconductor alloy material is exposed to an annealing environment sufficient to at least partially crystallize said amorphous material, and activate the dopant element.

摘要翻译： 掺杂多晶半导体合金材料的低温制造方法。 该方法包括以下步骤：将半导体合金材料体暴露于至少含有掺杂剂元素的源的反应气体，并且在分解反应气体的同时建立足以溅射蚀刻所述层的表面的电势。 这允许在半导体合金材料体上沉积掺杂的非晶半导体合金材料层。 此后，非晶半导体合金材料的掺杂层暴露于足以至少部分地使所述非晶材料结晶的退火环境，并激活掺杂剂元素。

公开(公告)号：US5825046A

公开(公告)日：1998-10-20

申请号：US739080

申请日：1996-10-28

申请人： Wolodymyr Czubatyj ,  Stanford R. Ovshinsky ,  David A. Strand ,  Patrick Klersy ,  Sergey Kostylev ,  Boil Pashmakov

发明人： Wolodymyr Czubatyj ,  Stanford R. Ovshinsky ,  David A. Strand ,  Patrick Klersy ,  Sergey Kostylev ,  Boil Pashmakov

IPC分类号： H01L27/10 ,  G11C16/02 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L47/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/14 ,  H01L45/142 ,  H01L45/144 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/72

摘要： A composite memory material comprising a mixture of active phase-change memory material and inactive dielectric material. The phase-change material includes one or more elements selected from the group consisting of Te, Se, Ge, Sb, Bi, Pb, Sn, As, S, Si, P, O and mixtures or alloys thereof. A single cell memory element comprising the aforementioned composite memory material, and a pair of spacedly disposed contacts.

摘要翻译： 一种复合记忆材料，包括有源相变记忆材料和非活性介电材料的混合物。 相变材料包括选自Te，Se，Ge，Sb，Bi，Pb，Sn，As，S，Si，P，O及其混合物或合金中的一种或多种元素。 包括上述复合存储器材料的单个单元存储元件和一对间隔设置的触点。