公开(公告)号：US06953722B2

公开(公告)日：2005-10-11

申请号：US10425461

申请日：2003-04-29

申请人： Harald Seidl ,  Martin Gutsche ,  Thomas Hecht ,  Stefan Jakschik ,  Stephan Kudelka ,  Uwe Schröder ,  Matthias Schmeide

发明人： Harald Seidl ,  Martin Gutsche ,  Thomas Hecht ,  Stefan Jakschik ,  Stephan Kudelka ,  Uwe Schröder ,  Matthias Schmeide

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/10867 ,  H01L21/31133

摘要： In a method for forming patterned ceramic layers, a ceramic material is deposited on a substrate and is subsequently densified by heat treatment, for example. In this case, the initially amorphous material is converted into a crystalline or polycrystalline form. In order that the now crystalline material can be removed again from the substrate, imperfections are produced in the ceramic material, for example by ion implantation. As a result, the etching medium can more easily attack the ceramic material, so that the latter can be removed with a higher etching rate. Through inclined implantation, the method can be performed in a self-aligning manner and the ceramic material can be removed on one side, by way of example, in trenches or deep trench capacitors.

摘要翻译： 在用于形成图案化陶瓷层的方法中，陶瓷材料沉积在基底上，并随后通过热处理致密化。 在这种情况下，最初的无定形材料被转化为结晶或多晶形式。 为了现在的结晶材料可以再次从衬底去除，例如通过离子注入在陶瓷材料中产生缺陷。 结果，蚀刻介质可以更容易地侵蚀陶瓷材料，使得后者可以以更高的蚀刻速率被去除。 通过倾斜注入，该方法可以以自对准的方式进行，并且陶瓷材料可以通过例如在沟槽或深沟槽电容器中被一侧除去。

公开(公告)号：US20050181557A1

公开(公告)日：2005-08-18

申请号：US11040091

申请日：2005-01-24

申请人： Stefan Jakschik ,  Thomas Hecht ,  Uwe Schroder ,  Matthias Goldbach

发明人： Stefan Jakschik ,  Thomas Hecht ,  Uwe Schroder ,  Matthias Goldbach

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/311 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/334 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/1087 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31616 ,  H01L29/66181

摘要： A process for modifying sections of a semiconductor includes covering the sections to remain free of doping with a metal oxide, e.g., aluminum oxide. Then, the semiconductor is doped, for example, from the gas phase, in those sections that are not covered by the aluminum oxide. Finally, the aluminum oxide is selectively removed again, for example using hot phosphoric acid. Sections of the semiconductor surface which are formed from silicon, silicon oxide or silicon nitride remain in place on the wafer.

摘要翻译： 用于修改半导体部分的方法包括覆盖这些部分以保持不掺杂金属氧化物，例如氧化铝。 然后，在未被氧化铝覆盖的那些部分中，例如从气相掺杂半导体。 最后，再次选择性地除去氧化铝，例如使用热磷酸。 由硅，氧化硅或氮化硅形成的半导体表面的部分保留在晶片上。

公开(公告)号：US20050003642A1

公开(公告)日：2005-01-06

申请号：US10835259

申请日：2004-04-30

申请人： Thomas Hecht ,  Uwe Schroder ,  Ulrich Mantz ,  Stefan Jakschik ,  Andreas Orth

发明人： Thomas Hecht ,  Uwe Schroder ,  Ulrich Mantz ,  Stefan Jakschik ,  Andreas Orth

IPC分类号： G01B11/22 ,  G01J3/453 ,  G01N21/21 ,  H01L21/337

CPC分类号： G01N21/211 ,  G01B11/22 ,  G01J3/453

摘要： The present invention relates to a method for determining the depth of a buried structure in a semiconductor wafer. According to the invention, the layer behavior of the semiconductor wafer which is brought about by the buried structure when the semiconductor wafer is irradiated with electromagnetic radiation in the infrared range and arises as a result of the significantly longer wavelengths of the radiation used in comparison with the lateral dimensions of the buried structure is utilized to determine the depth of the buried structure by spectrometric and/or ellipsometric methods.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于确定半导体晶片中的掩埋结构的深度的方法。 根据本发明，当半导体晶片在红外范围内被电磁辐射照射时，由掩埋结构引起的半导体晶片的层行为，并且由于与所使用的辐射相比显着更长的辐射波长而产生 掩埋结构的横向尺寸用于通过光谱测量和/或椭偏方法确定掩埋结构的深度。

公开(公告)号：US20070059893A1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：US11518504

申请日：2006-09-07

申请人： Stephan Kudelka ,  Peter Moll ,  Stefan Jakschik ,  Odo Wunnicke

发明人： Stephan Kudelka ,  Peter Moll ,  Stefan Jakschik ,  Odo Wunnicke

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L28/90 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852

摘要： A method produces stacked capacitors for dynamic memory cells, in which a number of trenches (48) are formed in the masking layer (40), each trench (48) being arranged above a respective contact plug (26) and extending from the top (42) of the masking layer (40) to the contact plugs (26). A conductive layer (50) covers the side walls (49) of the trenches (48) and the contact plugs (26) in order to form a first electrode (60) of a stacked capacitor (12). In an upper region (63), which is remote from the contact stack (26), the conductive layer (50) is replaced by an insulating layer, so that it is not possible for a short circuit to arise in the event of any adhesion between adjacent electrodes.

摘要翻译： 一种方法产生用于动态存储单元的堆叠电容器，其中在掩模层（40）中形成有多个沟槽（48），每个沟槽（48）布置在相应的接触插塞（26）的上方并从顶部 屏蔽层（40）的至少部分（42）连接到接触插塞（26）。 为了形成叠层电容器（12）的第一电极（60），导电层（50）覆盖沟槽（48）的侧壁（49）和接触插塞（26）。 在远离接触堆叠（26）的上部区域（63）中，导电层（50）由绝缘层代替，使得在任何粘附的情况下不可能出现短路 在相邻电极之间。

公开(公告)号：US08138538B2

公开(公告)日：2012-03-20

申请号：US12249060

申请日：2008-10-10

申请人： Hans-Peter Moll ,  Gouri Sankar Kar ,  Martin Popp ,  Lars Heineck ,  Peter Lahnor ,  Arnd Scholz ,  Stefan Jakschik ,  Wolfgang Roesner ,  Gerhard Enders ,  Werner Graf ,  Peter Baars ,  Klaus Muemmler ,  Bernd Hintze ,  Andrei Josiek

发明人： Hans-Peter Moll ,  Gouri Sankar Kar ,  Martin Popp ,  Lars Heineck ,  Peter Lahnor ,  Arnd Scholz ,  Stefan Jakschik ,  Wolfgang Roesner ,  Gerhard Enders ,  Werner Graf ,  Peter Baars ,  Klaus Muemmler ,  Bernd Hintze ,  Andrei Josiek

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L27/10891 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885

摘要： One embodiment relates to an integrated circuit formed on a semiconductor body having interconnect between source/drain regions of a first and second transistor. The interconnect includes a metal body arranged underneath the surface of the semiconductor body. A contact element establishes electrical contact between the metal body and the source/drain regions of the first and second transistor. The contact element extends along a connecting path between the source/drain regions of the first and second transistors. Other methods, devices, and systems are also disclosed.

摘要翻译： 一个实施例涉及形成在半导体主体上的集成电路，其具有在第一和第二晶体管的源/漏区之间的互连。 互连件包括布置在半导体本体表面下方的金属体。 接触元件建立金属体与第一和第二晶体管的源/漏区之间的电接触。 接触元件沿着第一和第二晶体管的源极/漏极区域之间的连接路径延伸。 还公开了其它方法，装置和系统。

公开(公告)号：US20070161180A1

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：US11331441

申请日：2006-01-13

申请人： Elke Erben ,  Stefan Jakschik ,  Alfred Kersch ,  Angela Link ,  Jonas Sundqvist

发明人： Elke Erben ,  Stefan Jakschik ,  Alfred Kersch ,  Angela Link ,  Jonas Sundqvist

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： C23C16/45531 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/318 ,  H01L28/40

摘要： The atomic layer deposition process according to the invention provides the following steps for the production of homogeneous layers on a substrate. The substrate is introduced into a reaction chamber. A first precursor is introduced into the reaction chamber, which first precursor reacts on the surface of the substrate to form an intermediate product. A second precursor is introduced into the reaction chamber, which second precursor has a low sticking coefficient and reacts with part of the intermediate product to form a first product. A third precursor is introduced into the reaction chamber, which third precursor has a high sticking coefficient and reacts with the remaining part of the intermediate product to form a second product. The second precursor and its first product reduce the effective sticking coefficient of the third precursor by partially covering the surface.

摘要翻译： 根据本发明的原子层沉积方法提供了在基底上生产均质层的以下步骤。 将基底引入反应室。 将第一前体引入反应室，其中第一前体在基材的表面上反应形成中间产物。 将第二前体引入反应室，该第二前体具有低粘附系数并与部分中间产物反应以形成第一产物。 将第三前体引入反应室，该第三前体具有高粘附系数并与中间产物的剩余部分反应以形成第二产物。 第二种前体及其第一种产物通过部分覆盖表面来降低第三种前体的有效粘附系数。

公开(公告)号：US07851297B2

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：US12145413

申请日：2008-06-24

申请人： Stefan Jakschik ,  Jorge Adrian Kittl ,  Marcus Johannes Henricus van Dal ,  Anne Lauwers ,  Masaaki Niwa

发明人： Stefan Jakschik ,  Jorge Adrian Kittl ,  Marcus Johannes Henricus van Dal ,  Anne Lauwers ,  Masaaki Niwa

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871

摘要： A dual workfunction semiconductor device which comprises a first and second control electrode comprising a metal-semiconductor compound, e.g. a silicide or a germanide, and a dual workfunction semiconductor device thus obtained are disclosed. In one aspect, the method comprises forming a blocking region for preventing diffusion of metal from the metal-semiconductor compound of the first control electrode to the metal-semiconductor compound of the second control electrode, the blocking region being formed at a location where an interface between the first and second control electrodes is to be formed or is formed. By preventing metal to diffuse from the one to the other control electrode the constitution of the metal-semiconductor compounds of the first and second control electrodes may remain substantially unchanged during e.g. thermal steps in further processing of the device.

摘要翻译： 一种双功能半导体器件，其包括第一和第二控制电极，所述第一和第二控制电极包括金属 - 半导体化合物，例如， 硅化物或锗化物，以及由此获得的双功能半导体器件。 一方面，该方法包括形成用于防止金属从第一控制电极的金属半导体化合物扩散到第二控制电极的金属半导体化合物的阻挡区域，该阻挡区域形成在界面 在第一和第二控制电极之间形成或形成。 通过防止金属从一个控制电极扩散到另一个控制电极，第一和第二控制电极的金属 - 半导体化合物的结构在例如电极中保持基本不变。 进一步处理设备的热步骤。

公开(公告)号：US20100090264A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12249060

申请日：2008-10-10

申请人： Hans-Peter Moll ,  Gouri Sankar Kar ,  Martin Popp ,  Lars Heineck ,  Peter Lahnor ,  Arnd Scholz ,  Stefan Jakschik ,  Wolfgang Roesner ,  Gerhard Enders ,  Werner Graf ,  Peter Baars ,  Klaus Muemmler ,  Bernd Hintze ,  Andrei Josiek

发明人： Hans-Peter Moll ,  Gouri Sankar Kar ,  Martin Popp ,  Lars Heineck ,  Peter Lahnor ,  Arnd Scholz ,  Stefan Jakschik ,  Wolfgang Roesner ,  Gerhard Enders ,  Werner Graf ,  Peter Baars ,  Klaus Muemmler ,  Bernd Hintze ,  Andrei Josiek

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/10891 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885

摘要： One embodiment relates to an integrated circuit formed on a semiconductor body having interconnect between source/drain regions of a first and second transistor. The interconnect includes a metal body arranged underneath the surface of the semiconductor body. A contact element establishes electrical contact between the metal body and the source/drain regions of the first and second transistor. The contact element extends along a connecting path between the source/drain regions of the first and second transistors. Other methods, devices, and systems are also disclosed.

摘要翻译： 一个实施例涉及形成在半导体主体上的集成电路，其具有在第一和第二晶体管的源/漏区之间的互连。 互连件包括布置在半导体本体表面下方的金属体。 接触元件建立金属体与第一和第二晶体管的源/漏区之间的电接触。 接触元件沿着第一和第二晶体管的源极/漏极区域之间的连接路径延伸。 还公开了其它方法，装置和系统。

公开(公告)号：US20090020821A1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：US12145413

申请日：2008-06-24

申请人： Stefan Jakschik ,  Jorge Adrian Kittl ,  Marcus Johannes Henricus van Dal ,  Anne Lauwers ,  Masaaki Niwa

发明人： Stefan Jakschik ,  Jorge Adrian Kittl ,  Marcus Johannes Henricus van Dal ,  Anne Lauwers ,  Masaaki Niwa

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871

摘要： A dual workfunction semiconductor device which comprises a first and second control electrode comprising a metal-semiconductor compound, e.g. a silicide or a germanide, and a dual workfunction semiconductor device thus obtained are disclosed. In one aspect, the method comprises forming a blocking region for preventing diffusion of metal from the metal-semiconductor compound of the first control electrode to the metal-semiconductor compound of the second control electrode, the blocking region being formed at a location where an interface between the first and second control electrodes is to be formed or is formed. By preventing metal to diffuse from the one to the other control electrode the constitution of the metal-semiconductor compounds of the first and second control electrodes may remain substantially unchanged during e.g. thermal steps in further processing of the device.

摘要翻译： 一种双功能半导体器件，其包括第一和第二控制电极，所述第一和第二控制电极包括金属 - 半导体化合物，例如， 硅化物或锗化物，以及由此获得的双功能半导体器件。 一方面，该方法包括形成用于防止金属从第一控制电极的金属半导体化合物扩散到第二控制电极的金属半导体化合物的阻挡区域，该阻挡区域形成在界面 在第一和第二控制电极之间形成或形成。 通过防止金属从一个控制电极扩散到另一个控制电极，第一和第二控制电极的金属 - 半导体化合物的结构在例如电极中保持基本不变。 进一步处理设备的热步骤。

公开(公告)号：US07413951B2

公开(公告)日：2008-08-19

申请号：US11518504

申请日：2006-09-07

申请人： Stephan Kudelka ,  Peter Moll ,  Stefan Jakschik ,  Odo Wunnicke

发明人： Stephan Kudelka ,  Peter Moll ,  Stefan Jakschik ,  Odo Wunnicke

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L28/90 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852

摘要： A method produces stacked capacitors for dynamic memory cells, in which a number of trenches (48) are formed in the masking layer (40), each trench (48) being arranged above a respective contact plug (26) and extending from the top (42) of the masking layer (40) to the contact plugs (26). A conductive layer (50) covers the side walls (49) of the trenches (48) and the contact plugs (26) in order to form a first electrode (60) of a stacked capacitor (12). In an upper region (63), which is remote from the contact stack (26), the conductive layer (50) is replaced by an insulating layer, so that it is not possible for a short circuit to arise in the event of any adhesion between adjacent electrodes.

摘要翻译： 一种方法产生用于动态存储单元的堆叠电容器，其中在掩模层（40）中形成有多个沟槽（48），每个沟槽（48）布置在相应的接触插塞（26）的上方并从顶部 屏蔽层（40）的至少部分（42）连接到接触插塞（26）。 为了形成叠层电容器（12）的第一电极（60），导电层（50）覆盖沟槽（48）的侧壁（49）和接触插塞（26）。 在远离接触堆叠（26）的上部区域（63）中，导电层（50）由绝缘层代替，使得在任何粘附的情况下不可能出现短路 在相邻电极之间。