公开(公告)号：US20130026587A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：US13189961

申请日：2011-07-25

申请人： Jeffrey P. GAMBINO ,  Robert K. LEIDY ,  Mark D. LEVY

发明人： Jeffrey P. GAMBINO ,  Robert K. LEIDY ,  Mark D. LEVY

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687

摘要： Pixel sensor cells with an opaque mask layer and methods of manufacturing are provided. The method includes forming a transparent layer over at least one active pixel and at least one dark pixel of a pixel sensor cell. The method further includes forming an opaque region in the transparent layer over the at least one dark pixel.

摘要翻译： 提供了具有不透明掩模层的像素传感器单元和制造方法。 该方法包括在像素传感器单元的至少一个有源像素和至少一个暗像素的上方形成透明层。 该方法还包括在至少一个暗像素上的透明层中形成不透明区域。

公开(公告)号：US20120018832A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US12841750

申请日：2010-07-22

申请人： Edward C. COONEY, III ,  Jeffrey P. GAMBINO ,  Robert K. LEIDY ,  Charles F. MUSANTE ,  John G. TWOMBLY

发明人： Edward C. COONEY, III ,  Jeffrey P. GAMBINO ,  Robert K. LEIDY ,  Charles F. MUSANTE ,  John G. TWOMBLY

IPC分类号： H01L31/0232 ,  G06F17/50 ,  H01L21/30 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/02325 ,  C23C16/02 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/402 ,  C23C16/505 ,  G06F17/5045 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685

摘要： Methods, structures, and design structures for improved adhesion of protective layers of imager microlens structures are disclosed. A method of fabricating a semiconductor structure includes forming an interfacial region between a microlens and a protective oxide layer. The interfacial region has a lower concentration of oxygen than the protective oxide layer.

摘要翻译： 公开了用于改善成像器微透镜结构保护层附着力的方法，结构和设计结构。 制造半导体结构的方法包括在微透镜和保护氧化物层之间形成界面区域。 界面区域的氧浓度低于保护氧化物层。

公开(公告)号：US20110316058A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US12823728

申请日：2010-06-25

申请人： Jeffrey P. GAMBINO ,  Matthew D. MOON ,  William J. MURPHY ,  James S. NAKOS ,  Paul W. PASTEL ,  Brett A. PHILIPS

发明人： Jeffrey P. GAMBINO ,  Matthew D. MOON ,  William J. MURPHY ,  James S. NAKOS ,  Paul W. PASTEL ,  Brett A. PHILIPS

IPC分类号： H01L27/115 ,  G06F17/50 ,  H01L21/8246

CPC分类号： H01L28/55 ,  H01L27/11507

摘要： Ferro-electric capacitor modules, methods of manufacture and design structures. The method of manufacturing the ferro-electric capacitor includes forming a barrier layer on an insulator layer of a CMOS structure. The method further includes forming a top plate and a bottom plate over the barrier layer. The method further includes forming a ferro-electric material between the top plate and the bottom plate. The method further includes encapsulating the barrier layer, top plate, bottom plate and ferro-electric material with an encapsulating material. The method further includes forming contacts to the top plate and bottom plate, through the encapsulating material. At least the contact to the top plate and a contact to a diffusion of the CMOS structure are in electrical connection through a common wire.

摘要翻译： 铁电电容器模块，制造方法和设计结构。 制造铁电电容器的方法包括在CMOS结构的绝缘体层上形成阻挡层。 该方法还包括在阻挡层上形成顶板和底板。 该方法还包括在顶板和底板之间形成铁电材料。 该方法还包括用封装材料封装阻挡层，顶板，底板和铁电材料。 该方法还包括通过封装材料形成与顶板和底板的接触。 至少与顶板的接触和与CMOS结构的扩散的接触通过公共导线电连接。

公开(公告)号：US20110079827A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：US12573188

申请日：2009-10-05

申请人： John J. ELLIS-MONAGHAN ,  Jeffrey P. GAMBINO ,  Kirk D. PETERSON ,  Jed H. RANKIN ,  Robert R. ROBISON

发明人： John J. ELLIS-MONAGHAN ,  Jeffrey P. GAMBINO ,  Kirk D. PETERSON ,  Jed H. RANKIN ,  Robert R. ROBISON

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76895 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： A method and structure to create damascene local interconnect during metal gate deposition. A method includes: forming a gate dielectric on an upper surface of a substrate; forming a mandrel on the gate dielectric; forming an interlevel dielectric (ILD) layer on a same level as the mandrel; forming a trench in the ILD layer; removing the mandrel; and forming a metal layer on the gate dielectric and in the trench.

摘要翻译： 在金属栅极沉积期间创建镶嵌局部互连的方法和结构。 一种方法包括：在衬底的上表面上形成栅电介质; 在栅极电介质上形成心轴; 在与心轴相同的水平上形成层间电介质（ILD）层; 在ILD层中形成沟槽; 去除心轴; 以及在栅极电介质和沟槽中形成金属层。

公开(公告)号：US20100155893A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12342430

申请日：2008-12-23

申请人： Fen CHEN ,  Jeffrey P. GAMBINO ,  Zhong-Xiang HE ,  Tom C. LEE ,  John C. MALINOWSKI ,  Anthony K. STAMPER

发明人： Fen CHEN ,  Jeffrey P. GAMBINO ,  Zhong-Xiang HE ,  Tom C. LEE ,  John C. MALINOWSKI ,  Anthony K. STAMPER

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01C7/006 ,  H01C17/075 ,  H01L21/7685 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/11 ,  H01L28/24 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

摘要： Disclosed are methods for forming a thin film resistor and terminal bond pad simultaneously. A method includes simultaneously forming a terminal bond pad on a terminal wire and a thin film resistor on two other wires.

摘要翻译： 公开了同时形成薄膜电阻器和端子接合焊盘的方法。 一种方法包括在端子线上同时形成端子接合焊盘和在另外两条导线上形成薄膜电阻器。