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    Interleaved flyback converter device with leakage energy recycling
    21.
    发明申请
    Interleaved flyback converter device with leakage energy recycling 有权
    具有泄漏能量循环的交错反激转换器

    公开(公告)号：US20120113688A1

    公开(公告)日：2012-05-10

    申请号：US12929772

    申请日：2011-02-15

    申请人： Tsorng-Juu Liang ,  Wen-Yu Huang ,  Lung-Sheng Yang ,  Shih-Ming Chen ,  Jiann-Fuh Chen

    发明人： Tsorng-Juu Liang ,  Wen-Yu Huang ,  Lung-Sheng Yang ,  Shih-Ming Chen ,  Jiann-Fuh Chen

    IPC分类号： H02M3/335

    CPC分类号： H02M3/285 ,  H02M3/33569 ,  H02M2001/0074 ,  H02M2001/009

    摘要： An interleaved flyback converter device with leakage energy recycling includes: two flyback converters and an input power. Each flyback converter includes a capacitor, a switch, two diodes, and a transformer. The input power is connected to the capacitors of the two flyback converters respectively. By using the capacitors as input voltage, the two flyback converters are provided with lower voltage rating. The diodes are used to recycle leakage energy directly, and to clamp voltage on power components. Therefore, in addition to enhancing efficiency via recycling leakage energy, the two flyback converters have lower switching losses due to lower switching voltage.

    摘要翻译： 具有泄漏能量回收的交错反激转换器装置包括：两个反激转换器和输入功率。 每个反激转换器包括电容器，开关，两个二极管和变压器。 输入功率分别连接到两个反激式转换器的电容器。 通过使用电容器作为输入电压，两个反激式转换器的额定电压较低。 二极管用于直接回收泄漏能量，并将功率元件上的电压钳位。 因此，除了通过再循环泄漏能量提高效率之外，两个反激式转换器由于较低的开关电压而具有较低的开关损耗。

    Method for fabricating semiconductor device with increased breakdown voltage
    22.
    发明授权
    Method for fabricating semiconductor device with increased breakdown voltage 有权
    制造具有增加的击穿电压的半导体器件的方法

    公开(公告)号：US08080455B2

    公开(公告)日：2011-12-20

    申请号：US12177779

    申请日：2008-07-22

    申请人： Chih-Ping Lin ,  Pi-Kuang Chuang ,  Hung-Li Chang ,  Shih-Ming Chen ,  Hsiao-Ying Yang

    发明人： Chih-Ping Lin ,  Pi-Kuang Chuang ,  Hung-Li Chang ,  Shih-Ming Chen ,  Hsiao-Ying Yang

    IPC分类号： H01L21/8238

    CPC分类号： H01L21/823481 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823493 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892

    摘要： A method for fabricating a semiconductor device is provided. A substrate comprising a P-well is provided. A low voltage device area and a high voltage device area are defined in the P-well. A photoresist layer is formed on the substrate. A photomask comprising a shielding region is provided. The shielding region is corresponded to the high voltage device area. A pattern of the photomask is transferred to the photoresist layer on the substrate by a photolithography process using the photomask. A P-type ion field is formed outside of the high-voltage device area by selectively doping P-type ions into the substrate using the photoresist layer as a mask.

    摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 提供了包括P阱的衬底。 在P井中定义了低压装置区域和高压装置区域。 在基板上形成光致抗蚀剂层。 提供了包括屏蔽区域的光掩模。 屏蔽区域对应于高电压设备区域。 通过使用光掩模的光刻工艺将光掩模的图案转移到基板上的光致抗蚀剂层。 通过使用光致抗蚀剂层作为掩模，通过将P型离子选择性地掺杂到衬底中，在高电压器件区域的外部形成P型离子场。

    Semiconductor device and fabrication method thereof
    24.
    发明授权
    Semiconductor device and fabrication method thereof 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US07863147B2

    公开(公告)日：2011-01-04

    申请号：US12177766

    申请日：2008-07-22

    申请人： Chih-Ping Lin ,  Pi-Kuang Chuang ,  Hung-Li Chang ,  Shih-Ming Chen ,  Hsiao-Ying Yang ,  Ya-Sheng Liu

    发明人： Chih-Ping Lin ,  Pi-Kuang Chuang ,  Hung-Li Chang ,  Shih-Ming Chen ,  Hsiao-Ying Yang ,  Ya-Sheng Liu

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L29/7836 ,  H01L29/0653

    摘要： A semiconductor device and a fabrication method thereof are provided. The semiconductor device includes a semiconductor substrate which comprise a first type well and a second type well, and a plurality of junction regions therebetween, wherein each of the junction regions adjoins the first and the second type wells. A gate electrode disposed on the semiconductor substrate and overlies at least two of the junction regions. A source and a drain are in the semiconductor substrate oppositely adjacent to the gate electrode.

    摘要翻译： 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括半导体衬底，其包括第一类型阱和第二类型阱以及它们之间的多个结区域，其中每个连接区域邻接第一和第二类型阱。 栅电极，设置在半导体衬底上并覆盖至少两个接合区域。 源极和漏极在与栅电极相对的半导体衬底中。

    SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
    25.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF 审中-公开
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20100181639A1

    公开(公告)日：2010-07-22

    申请号：US12356036

    申请日：2009-01-19

    申请人： Wei-Tsung Huang ,  Pi-Kuang Chuang ,  Shih-Ming Chen ,  Hsiao-Ying Yang

    发明人： Wei-Tsung Huang ,  Pi-Kuang Chuang ,  Shih-Ming Chen ,  Hsiao-Ying Yang

    IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/76

    CPC分类号： H01L21/763 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823878

    摘要： A semiconductor device is provided. The semiconductor device comprises an epitaxial layer disposed on a semiconductor substrate, a plurality of electronic devices disposed on the epitaxial layer and a trench isolation structure disposed between the electric devices. The trench isolation structure comprises a trench in the epitaxial layer and the semiconductor substrate, an oxide liner on the sidewall and bottom of the trench, and a doped polysilicon layer filled in the trench. Moreover, a zero bias voltage can be applied to the doped polysilicon layer. The trench isolation structure can be used for isolating electronic devices having different operation voltages or high-voltage devices.

    摘要翻译： 提供半导体器件。 半导体器件包括设置在半导体衬底上的外延层，设置在外延层上的多个电子器件和设置在电气器件之间的沟槽隔离结构。 沟槽隔离结构包括在外延层和半导体衬底中的沟槽，沟槽的侧壁和底部上的氧化物衬垫以及填充在沟槽中的掺杂多晶硅层。 此外，零偏压可以施加到掺杂多晶硅层。 沟槽隔离结构可以用于隔离具有不同操作电压的电子器件或高压器件。

    Testing system and testing method
    27.
    发明申请
    Testing system and testing method 审中-公开
    测试系统和测试方法

    公开(公告)号：US20080266400A1

    公开(公告)日：2008-10-30

    申请号：US11822837

    申请日：2007-07-10

    申请人： Shen-Feng Lu ,  Shih-Ming Chen ,  Hsing-Fu Huang

    发明人： Shen-Feng Lu ,  Shih-Ming Chen ,  Hsing-Fu Huang

    IPC分类号： H04N17/02 ,  H04N5/225 ,  H04N5/335 ,  H04N9/68 ,  H04N17/00

    CPC分类号： H04N17/002 ,  H04N17/02

    摘要： A testing system including an image sensor, a transformer, and a display device is disclosed. The image sensor generates an image signal according to a light source. The transformer transforms the image signal into a processing signal. The display device displays a frame according to the processing signal.

    摘要翻译： 公开了一种包括图像传感器，变压器和显示装置的测试系统。 图像传感器根据光源产生图像信号。 变压器将图像信号变换为处理信号。 显示装置根据处理信号显示帧。

    Method to improve flash forward tunneling voltage (FTV) performance
    29.
    发明授权
    Method to improve flash forward tunneling voltage (FTV) performance 失效
    改善闪电前进隧道电压（FTV）性能的方法

    公开(公告)号：US06995062B2

    公开(公告)日：2006-02-07

    申请号：US10975672

    申请日：2004-10-28

    申请人： Shih-Ming Chen ,  Kuo-Chiang Ting ,  Jen-Shiang Leu

    发明人： Shih-Ming Chen ,  Kuo-Chiang Ting ,  Jen-Shiang Leu

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/518 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/511

    摘要： A floating gate structure and a method for forming a floating gate oxide layer comprising the following steps. A structure having a first dielectric layer formed thereover is provided. An oxide layer is formed over the first dielectric layer. A nitride layer is formed over the oxide layer. The nitride layer is patterned to form an opening exposing a portion of the oxide layer. A portion of the first dielectric layer is exposed by removing: the exposed portion of the oxide layer; and portions of the oxide layer underneath the patterned nitride layer adjacent to the opening to form respective undercuts. The exposed portion of the first dielectric layer is oxidized to form the floating gate oxide layer.

    摘要翻译： 浮栅结构和形成浮栅氧化层的方法，包括以下步骤。 提供了一种其上形成有第一介电层的结构。 在第一电介质层上形成氧化物层。 在氧化物层上形成氮化物层。 图案化氮化物层以形成暴露氧化物层的一部分的开口。 第一电介质层的一部分通过去除：氧化物层的暴露部分而被暴露; 以及邻近开口的图案化氮化物层下面的氧化物层的部分，以形成相应的底切。 第一电介质层的暴露部分被氧化以形成浮栅氧化层。