公开(公告)号：US20120127780A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13387307

申请日：2010-02-09

申请人： John Paul Strachan ,  Julien Borghetti ,  Matthew D. Pickett ,  Gilberto Ribeiro ,  Jianhua Yang

发明人： John Paul Strachan ,  Julien Borghetti ,  Matthew D. Pickett ,  Gilberto Ribeiro ,  Jianhua Yang

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/5678 ,  G11C11/54 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0092

摘要： Apparatus and methods related to memory resistors are provided. A feedback controller applies adjustment signals to a memristor. A non-volatile electrical resistance of the memristor is sensed by the feedback controller during the adjustment. The memristor is adjusted to particular values lying between first and second limiting values with minimal overshoot. Increased memristor service life, faster operation, lower power consumption, and higher operational integrity are achieved by the present teachings.

摘要翻译： 提供了与存储电阻相关的装置和方法。 反馈控制器将调整信号应用于忆阻器。 在调节期间，反馈控制器感测到避震器的非易失性电阻。 忆阻器被调整到具有最小过冲的第一和第二极限值之间的特定值。 通过本发明实现了增加的忆阻器使用寿命，更快的操作，更低的功耗和更高的操作完整性。

公开(公告)号：US20120085985A1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：US12899210

申请日：2010-10-06

申请人： Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang ,  Gilberto Medeiros Ribeiro

发明人： Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang ,  Gilberto Medeiros Ribeiro

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/8615 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/10 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/247 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

摘要： An electrically actuated device includes a reactive metal layer, a first electrode established in contact with the reactive metal layer, an insulating material layer established in contact with the first electrode or the reactive metal layer, an active region established on the insulating material layer, and a second electrode established on the active region. A conductive nano-channel is formed through a thickness of the insulating material layer.

摘要翻译： 电驱动装置包括反应性金属层，与反应性金属层接触建立的第一电极，与第一电极或反应性金属层接触建立的绝缘材料层，建立在绝缘材料层上的有源区，以及 在有源区上建立的第二电极。 通过绝缘材料层的厚度形成导电纳米通道。

公开(公告)号：US20110260135A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US13130808

申请日：2009-01-14

申请人： Wei Wu ,  Sagi Varghese Mathai ,  Shih-Yuan (SY) Wang ,  Jianhua Yang

发明人： Wei Wu ,  Sagi Varghese Mathai ,  Shih-Yuan (SY) Wang ,  Jianhua Yang

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H04Q3/521 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1641 ,  H04Q2213/13003 ,  H04Q2213/1302 ,  H04Q2213/1304

摘要： An electrically actuated device (10) comprises an active region (30) disposed between a first electrode (12) and a second electrode (14); a substantially nonrandom distribution of dopant initiators at an interface between the active region and the first electrode; and a substantially nonrandom distribution of dopants in a portion of the active region adjacent to the interface.

摘要翻译： 电驱动装置（10）包括设置在第一电极（12）和第二电极（14）之间的有源区（30）。 在有源区和第一电极之间的界面处的掺杂剂引发剂的基本上非随机分布; 以及在与界面相邻的有源区域的一部分中的掺杂剂的基本非随机分布。

公开(公告)号：US20110260134A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US13130837

申请日：2009-07-30

申请人： Jianhua Yang ,  Stanley Williams ,  Julien Borghetti ,  John Paul Strachan

发明人： Jianhua Yang ,  Stanley Williams ,  Julien Borghetti ,  John Paul Strachan

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/74 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/8615 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146

摘要： A nanoscale switching device provides enhanced thermal stability and endurance to switching cycles. The switching device has an active region disposed between electrodes and containing a switching material capable of carrying a species of dopants and transporting the dopants under an electrical field. At least one of the electrodes is formed of conductive material having a melting point greater than 1800° C.

摘要翻译： 纳米尺度开关器件提供了对开关周期的增强的热稳定性和耐久性。 开关器件具有设置在电极之间的有源区，并且包含能够承载一种掺杂剂并在电场下输送掺杂剂的开关材料。 至少一个电极由熔点大于1800℃的导电材料形成。

公开(公告)号：US07985962B2

公开(公告)日：2011-07-26

申请号：US12342399

申请日：2008-12-23

申请人： Alexandre M. Bratkovski ,  Douglas Ohlberg ,  Jianhua Yang

发明人： Alexandre M. Bratkovski ,  Douglas Ohlberg ,  Jianhua Yang

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/14 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

摘要： A memristive device includes a first electrode, a second electrode, and an active region disposed between the first and second electrodes. At least one of the first and second electrodes is a metal oxide electrode.

摘要翻译： 忆阻装置包括第一电极，第二电极和设置在第一和第二电极之间的有源区。 第一和第二电极中的至少一个是金属氧化物电极。

公开(公告)号：US20110073828A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12570286

申请日：2009-09-30

申请人： Qiangfei Xia ,  Jianhua Yang ,  Shih-Yuan Wang

发明人： Qiangfei Xia ,  Jianhua Yang ,  Shih-Yuan Wang

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16

摘要： A nanoscale switching device comprises at least two electrodes, each of a nanoscale width; and an active region disposed between and in electrical contact with the electrodes, the active region containing a switching material capable of carrying a species of dopants and transporting the dopants under an electrical field, wherein at least one of the electrodes comprises an amorphous conductive material.

摘要翻译： 纳米级切换装置包括至少两个电极，每个电极具有纳米级宽度; 以及设置在电极之间并且与电极电接触的有源区域，所述有源区域包含能够承载一种掺杂剂并在电场下传输掺杂剂的开关材料，其中所述电极中的至少一个包括非晶导电材料。

公开(公告)号：US20100264397A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：US12426647

申请日：2009-04-20

申请人： Qiangfei Xia ,  Xuema Li ,  Jianhua Yang

发明人： Qiangfei Xia ,  Xuema Li ,  Jianhua Yang

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/14 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675

摘要： A memristive device having a bimetallic electrode includes a memristive matrix, a first electrode and a second electrode. The first electrode is in electrical contact with the memristive matrix and the second electrode is in electrical contact with the memristive matrix and an underlying layer. At least one of the first and second electrodes is a bimetallic electrode which includes a conducting layer and a metallic layer.

摘要翻译： 具有双金属电极的忆阻器包括忆阻基质，第一电极和第二电极。 第一电极与忆阻基质电接触，第二电极与忆阻基质和下层电接触。 第一和第二电极中的至少一个是包括导电层和金属层的双金属电极。

公开(公告)号：US20060291105A1

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：US11169320

申请日：2005-06-28

申请人： Y. Chang ,  Jianhua Yang

发明人： Y. Chang ,  Jianhua Yang

IPC分类号： G11B5/127 ,  G11B5/33

CPC分类号： G01R33/07 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： This invention relates to magnetic tunnel junctions and methods for making the magnetic tunnel junctions. The magnetic tunnel junctions include a tunnel barrier oxide layer sandwiched between two ferromagnetic layers both of which are epitaxial or textured with respect to the underlying substrate upon which the magnetic tunnel junctions are grown. The magnetic tunnel junctions provide improved magnetic properties, sharper interfaces and few defects.

摘要翻译： 本发明涉及磁隧道结以及制造磁隧道结的方法。 磁隧道结包括夹在两个铁磁层之间的隧道势垒氧化物层，两个铁磁层相对于其上生长磁隧道结的下面的基底是外延的或织构的。 磁隧道结提供了改善的磁性，界面更清晰，缺陷少。

公开(公告)号：US09466793B2

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：US13881452

申请日：2010-10-29

申请人： Hans S Cho ,  Jianhua Yang ,  Janice H Nickel

发明人： Hans S Cho ,  Jianhua Yang ,  Janice H Nickel

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L45/00 ,  H01L27/10 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L45/1253 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1683

摘要： Memristive devices, memristors and methods for fabricating memristive devices are disclosed. In one aspect, a memristor includes a first electrode wire and a second electrode wire. The second electrode wire and the first electrode wire define an overlap area. The memristor includes an electrode extension in contact with the first electrode wire and disposed between the first and second electrode wires. At least one junction is disposed between the second electrode wire and the electrode extension. Each junction contacts a portion of the electrode extension and has a junction contact area with the second electrode wire, and the sum total junction contact area of the at least one junction is less than the overlap area.

摘要翻译： 公开了用于制造忆阻装置的记忆装置，忆阻器和方法。 一方面，忆阻器包括第一电极线和第二电极线。 第二电极线和第一电极线限定重叠区域。 忆阻器包括与第一电极线接触并设置在第一和第二电极线之间的电极延伸部。 在第二电极线和电极延伸部之间设置至少一个结。 每个结点接触电极延伸部的一部分并且具有与第二电极线的接点接触面积，并且至少一个结的总和接点面积小于重叠面积。

公开(公告)号：US09293200B2

公开(公告)日：2016-03-22

申请号：US13811023

申请日：2010-08-30

申请人： Janice H. Nickel ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  Jianhua Yang

发明人： Janice H. Nickel ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  Jianhua Yang

IPC分类号： G11C5/06 ,  H01L27/24 ,  H01L29/861 ,  G11C13/00 ,  H01L27/10 ,  H01L27/102 ,  G11C13/02 ,  H01L45/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C5/063 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/02 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

摘要： A multilayer crossbar memory array includes a number of layers. Each layer includes a top set of parallel lines, a bottom set of parallel lines intersecting the top set of parallel lines, and memory elements disposed at intersections between the top set of parallel lines and the bottom set of parallel lines. A top set of parallel lines from one of the layers is a bottom set of parallel lines for an adjacent one of the layers.

摘要翻译： 多层交叉存储器阵列包括多个层。 每个层包括顶层平行线，与顶层平行线相交的平行线的底部集合，以及设置在顶部平行线组和底部平行线之间的交叉处的存储元件。 来自一个层的顶层平行线是用于相邻层之间的一组平行线。