公开(公告)号：US5234794A

公开(公告)日：1993-08-10

申请号：US847881

申请日：1992-03-10

申请人： Michael Sebald ,  Rainer Leuschner ,  Recai Sezi ,  Siegfried Birkle ,  Hellmut Ahne

发明人： Michael Sebald ,  Rainer Leuschner ,  Recai Sezi ,  Siegfried Birkle ,  Hellmut Ahne

IPC分类号： G03F7/40

CPC分类号： G03F7/405 ,  G03F7/40

摘要： A simple method for diminishing the trench width in a photoresist structure to below the resolution limit is provided. A photoresist structure is produced and treated with an agent then contains a bulging constituent that reacts with functional groups of the photoresist structure. The bulging constituent causes a volume increase of the photoresist structure. The extent of the volume increase of the photoresist structures is controllable by varying various parameters.

摘要翻译： 提供了一种用于将光致抗蚀剂结构中的沟槽宽度减小到分辨率极限以下的简单方法。 制备光致抗蚀剂结构并用试剂处理，然后含有与光致抗蚀剂结构的官能团反应的凸起成分。 凸起成分导致光致抗蚀剂结构的体积增加。 通过改变各种参数可以控制光致抗蚀剂结构体积增加的程度。

公开(公告)号：US20140357075A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：US14461222

申请日：2014-08-15

申请人： Thorsten Meyer ,  Recai Sezi ,  Markus Brunnbauer

发明人： Thorsten Meyer ,  Recai Sezi ,  Markus Brunnbauer

IPC分类号： H01L23/00

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/27 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/1183 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor chip and a metal layer electrically coupled to the semiconductor chip. The semiconductor device includes an array of solder balls coupled to the metal layer and a front side protect material directly contacting the metal layer and laterally surrounding a portion of at least a plurality of solder balls. The front side protect material is configured to become fluid during solder reflow.

摘要翻译： 半导体器件包括电连接到半导体芯片的半导体芯片和金属层。 半导体器件包括耦合到金属层的焊料球阵列和直接接触金属层并横向围绕至少多个焊球的一部分的前侧保护材料。 正面保护材料配置成在回流焊时成为流体。

公开(公告)号：US07952200B2

公开(公告)日：2011-05-31

申请号：US12174155

申请日：2008-07-16

申请人： Thorsten Meyer ,  Recai Sezi

发明人： Thorsten Meyer ,  Recai Sezi

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device including a chip including an integrated circuit, a conductive layer, a copolymer layer and metal elements. The conductive layer is disposed over the chip and electrically coupled to the integrated circuit. The copolymer is disposed on the conductive layer. The metal elements are electrically coupled to the conductive layer via through-connects in the copolymer layer.

摘要翻译： 一种包括集成电路，导电层，共聚物层和金属元素的芯片的半导体器件。 导电层设置在芯片上并电耦合到集成电路。 共聚物设置在导电层上。 金属元件通过共聚物层中的通孔电耦合到导电层。

公开(公告)号：US07070904B2

公开(公告)日：2006-07-04

申请号：US10244802

申请日：2002-09-16

申请人： Recai Sezi

发明人： Recai Sezi

IPC分类号： G03F7/004

CPC分类号： C08G73/22 ,  C08G73/00 ,  G03F7/0392

摘要： High-temperature-stable polybenzoxazoles are formed from novel poly-o-hydroxyamides. The novel poly-o-hydroxyamides have low dielectric constants, are suitable for exposure at 248 nm or shorter wavelengths, and have hydroxyl groups at least some of which have been protected by tert-butoxycarbonyl protective groups.

公开(公告)号：US06905726B2

公开(公告)日：2005-06-14

申请号：US09817967

申请日：2001-03-27

申请人： Klaus Lowack ,  Günter Schmid ,  Recai Sezi

发明人： Klaus Lowack ,  Günter Schmid ,  Recai Sezi

IPC分类号： C23C26/00 ,  C23C28/00 ,  H01L21/768 ,  H01L23/498 ,  H01L23/532 ,  B05D3/04

CPC分类号： H01L21/76871 ,  C23C26/00 ,  C23C28/00 ,  H01L21/76826 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24942 ,  H01L2924/00

摘要： The invention relates to a component having two adjacent insulating layers and to a production process therefore. The component has an activated insulating layer, which can be converted into an electrically conductive layer by metallization.

摘要翻译： 本发明涉及一种具有两个相邻绝缘层的部件及其制造方法。 该组件具有激活的绝缘层，其可以通过金属化转换成导电层。

公开(公告)号：US06884567B2

公开(公告)日：2005-04-26

申请号：US10244257

申请日：2002-09-16

申请人： Recai Sezi

发明人： Recai Sezi

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0387

摘要： A photosensitive formulation for high-temperature-resistant photoresists is based on polyhydroxyamides. The photosensitive formulations display a much higher photosensitivity than the comparable formulations based on quinone azide photoactive components. After conversion to the polybenzoxazole, the novel formulations also display a lower dielectric constant than the quinone azide-based formulations. A film can be made by applying the photosensitive formulation to a wafer and then evaporating the solvent. A method for fabricating electronics and micorelectronics structures a wafer by using the film in photolithography.

摘要翻译： 用于耐高温光致抗蚀剂的光敏剂是基于聚羟基酰胺。 与基于醌叠氮化物光活性组分的可比配方相比，光敏剂具有高得多的光敏性。 转化成聚苯并恶唑后，新型配方也显示比基于叠氮化物的配方更低的介电常数。 可以通过将光敏剂配制到晶片上然后蒸发溶剂来制备薄膜。 用于制造电子学和微电子学的方法通过在光刻中使用该薄膜来构造晶片。

公开(公告)号：US06824949B2

公开(公告)日：2004-11-30

申请号：US10008796

申请日：2001-11-13

申请人： Jörg Haussmann ,  Gerhard Maier ,  Günter Schmid ,  Recai Sezi

发明人： Jörg Haussmann ,  Gerhard Maier ,  Günter Schmid ,  Recai Sezi

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： G03F7/0233 ,  C08G73/22 ,  Y10S430/107

摘要： There are disclosed polybenzoxazole precursors which can be processed by centrifugal techniques, which can be cyclized to polybenzoxazoles on substrates without difficulty, and which after cyclization to polybenzoxazoles exhibit a high temperature stability. In particular, these precursors and the polybenzoxazoles prepared from them possess high resistance against the diffusion of metals.

摘要翻译： 公开了可以通过离心技术处理的聚苯并恶唑前体，它们可以无困难地环化到底物上的聚苯并恶唑，并且在环化成聚苯并恶唑后显示出高的温度稳定性。 特别地，这些前体和由它们制备的聚苯并恶唑具有高的抗金属扩散性。

公开(公告)号：US06437178B2

公开(公告)日：2002-08-20

申请号：US09901218

申请日：2001-07-09

申请人： Recai Sezi ,  Michael Keitmann

发明人： Recai Sezi ,  Michael Keitmann

IPC分类号： C07G22934

CPC分类号： C07D213/643 ,  C07C69/92 ,  C07C217/90

摘要： The invention relates to novel o-aminophenolcarboxylic acids or o-aminothiophenolcarboxylic acids of the following structure in which: A1 to A7 are—independently of one another—H, CH3, OCH3, CH2CH3 or OCH2CH3; T is O or S, and m is 0 or 1; Z is a carbocyclic or heterocyclic aromatic radical.

摘要翻译： 本发明涉及以下结构的新型邻氨基苯甲酸或邻氨基苯硫酚羧酸，其中：A 1至A 7彼此独立地为H，CH 3，OCH 3，CH 2 CH 3或OCH 2 CH 3; T为O或S，m为0 或1; Z是碳环或杂环芳族基团。

公开(公告)号：US5922825A

公开(公告)日：1999-07-13

申请号：US705446

申请日：1996-08-29

申请人： Recai Sezi ,  Hellmut Ahne ,  Eberhard Kuehn

发明人： Recai Sezi ,  Hellmut Ahne ,  Eberhard Kuehn

IPC分类号： C08G69/26 ,  C08G69/28 ,  C08G73/06 ,  C08G73/08 ,  C08G73/18 ,  C08G73/22 ,  C08G75/32 ,  G03F7/023 ,  G03F7/037 ,  C08G64/26

CPC分类号： C08G73/0683 ,  C08G73/06 ,  C08G73/0638 ,  C08G73/0677 ,  C08G73/08 ,  C08G73/18 ,  C08G73/22 ,  C08G75/32 ,  G03F7/0233

摘要： In a process for the preparation of poly-o-hydroxyamides and poly-o-mercaptoamides, a bis-o-aminophenol or a bis-o-aminothiophenol is reacted with a dicarboxylic acid derivative with the following structure: ##STR1## where D=O, S, or NH, and where R* is the parent body of the dicarboxylic acid and at least one of the groups R.sup.1 through R.sup.5 is F or CF.sub.3.

摘要翻译： 在制备聚邻羟基酰胺和聚-O-巯基酰胺的方法中，将双邻氨基苯酚或双邻氨基苯硫酚与具有以下结构的二羧酸衍生物反应：其中D = O，S 或NH，并且其中R *是二羧酸的母体，并且基团R 1至R 5中的至少一个是F或CF 3。

公开(公告)号：US5807969A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：US705099

申请日：1996-08-28

申请人： Recai Sezi ,  Hellmut Ahne ,  Eberhard Kuehn ,  Roland Gestigkeit

发明人： Recai Sezi ,  Hellmut Ahne ,  Eberhard Kuehn ,  Roland Gestigkeit

IPC分类号： C08G69/26 ,  C08G69/28 ,  C08G69/32 ,  C08G73/22 ,  C08G75/32 ,  G03F7/038 ,  C08G73/10 ,  C08G75/04

CPC分类号： G03F7/0387 ,  C08G69/32 ,  C08G73/22 ,  C08G75/32

摘要： In a process for the preparation of poly-o-hydroxyamides and poly-o-mercaptoamides, a bis-o-aminophenol or a bis-o-aminothiophenol is reacted with a dicarboxylic acid derivative with the following structure: M--CO--R*--CO--M where M stands for the residue of an (optionally substituted) 2-hydroxybenzoxazole, 2-hydroxybenzothiazole, or 1-hydroxybenzotriazole or of corresponding mercapto compounds and R* is the parent body of the dicarboxylic acid.

摘要翻译： 在制备聚邻羟基酰胺和聚-O-巯基酰胺的方法中，将双邻氨基苯酚或双邻氨基苯硫酚与具有以下结构的二羧酸衍生物反应：M-CO-R * -CO-M，其中M代表（任选取代的）2-羟基苯并恶唑，2-羟基苯并噻唑或1-羟基苯并三唑或相应的巯基化合物的残基，R *是二羧酸的母体。