公开(公告)号：US07955962B2

公开(公告)日：2011-06-07

申请号：US11695657

申请日：2007-04-03

申请人： Ralf Richter ,  Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

发明人： Ralf Richter ,  Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02074 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02096

摘要： By providing a protective layer in an intermediate manufacturing stage, an increased surface protection with respect to particle contamination and surface corrosion may be achieved. In some illustrative embodiments, the protective layer may be used during an electrical test procedure, in which respective contact portions are contacted through the protective layer, thereby significantly reducing particle contamination during a respective measurement process.

摘要翻译： 通过在中间制造阶段提供保护层，可以实现相对于颗粒污染和表面腐蚀的增加的表面保护。 在一些说明性实施例中，保护层可以在电测试过程中使用，其中相应的接触部分通过保护层接触，从而在相应的测量过程中显着地减少颗粒污染。

公开(公告)号：US20100219527A1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：US12710458

申请日：2010-02-23

申请人： Frank Feustel ,  Kai Frohberg ,  Thomas Werner

发明人： Frank Feustel ,  Kai Frohberg ,  Thomas Werner

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： In a metallization system of a complex semiconductor device, metal pillars, such as copper pillars, may be formed in a nail-like configuration in order to reduce the maximum mechanical stress acting on the metallization system while providing a required contact surface for connecting to the package substrate. The nail-like configuration may be obtained on the basis of appropriately configured resist masks.

摘要翻译： 在复杂半导体器件的金属化系统中，金属柱（例如铜柱）可以形成为钉状构造，以便减小作用在金属化系统上的最大机械应力，同时提供所需的接触表面以连接到 封装衬底。 可以基于适当配置的抗蚀剂掩模获得钉状构造。

公开(公告)号：US07741191B2

公开(公告)日：2010-06-22

申请号：US11951092

申请日：2007-12-05

申请人： Kai Frohberg ,  Sven Mueller ,  Frank Feustel

发明人： Kai Frohberg ,  Sven Mueller ,  Frank Feustel

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/76837 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833

摘要： Densely spaced gates of field effect transistors usually lead to voids in a contact interlayer dielectric. If such a void is opened by a contact via and filled with conductive material, an electrical short between neighboring contact regions of neighboring transistors may occur. By forming a recess between two neighboring contact regions, the void forms at a lower level. Thus, opening of the void by contact vias is prevented.

摘要翻译： 场效应晶体管的密集间隔栅极通常导致接触层间电介质中的空隙。 如果这样的空隙由接触通孔打开并填充有导电材料，则可能发生相邻晶体管的相邻接触区域之间的电短路。 通过在两个相邻的接触区域之间形成凹陷，空隙形成在较低的水平。 因此，防止了通过接触通孔打开空隙。

公开(公告)号：US20100052181A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12483571

申请日：2009-06-12

申请人： Thomas Werner ,  Kai Frohberg ,  Frank Feustel

发明人： Thomas Werner ,  Kai Frohberg ,  Frank Feustel

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： During the manufacture of advanced metallization systems, a dielectric cap layer formed on a sensitive dielectric material may be partially maintained during a CMP process for removing excess metal, thereby avoiding the necessity for depositing a dedicated etch stop material, as may be required in conventional approaches when substantially completely consuming the dielectric cap material during the CMP process. Hence, reduced process complexity and/or enhanced flexibility may be accomplished in combination with increased integrity of the low-k dielectric material.

摘要翻译： 在制造先进的金属化系统期间，在CMP工艺中可以部分保持形成在敏感电介质材料上的电介质盖层，以去除多余的金属，从而避免沉积专用蚀刻停止材料的必要性，如常规方法中所需要的 当在CMP工艺期间基本上完全消耗电介质盖材料时。 因此，降低的工艺复杂性和/或增强的柔性可以与低k介电材料的增加的完整性相结合来实现。

公开(公告)号：US20090298279A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12394248

申请日：2009-02-27

申请人： Frank Feustel ,  Kai Frohberg ,  Thomas Werner

发明人： Frank Feustel ,  Kai Frohberg ,  Thomas Werner

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877

摘要： In a manufacturing sequence for forming metallization levels of semiconductor devices, out-gassing of volatile components after an etch process may be initiated immediately after the etch process, thereby reducing the probability of creating contaminants in other substrates and transport carriers during transport activities. Consequently, the defect rate of deposition-related irregularities in the metallization level may be reduced.

摘要翻译： 在用于形成半导体器件的金属化水平的制造顺序中，可以在蚀刻工艺之后立即开始蚀刻工艺之后的挥发性组分的排气，从而降低在运输活动期间在其它基底和运输载体中产生污染物的可能性。 因此，可以降低金属化水平的沉积相关不规则性的缺陷率。

公开(公告)号：US20090194845A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12173268

申请日：2008-07-15

申请人： Thomas Werner ,  Frank Feustel ,  Kai Frohberg

发明人： Thomas Werner ,  Frank Feustel ,  Kai Frohberg

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L29/92

CPC分类号： H01L27/10852 ,  H01L28/40

摘要： By forming metal capacitors in the metallization structures of semiconductor devices, complex manufacturing sequences in the device level may be avoided. The process of manufacturing the metal capacitors may be performed on the basis of well-established patterning regimes of modern metallization systems by using appropriately selected etch stop materials, which may enable a high degree of compatibility for forming via openings in a metallization layer while providing a capacitor dielectric of a desired high dielectric constant in the capacitor.

摘要翻译： 通过在半导体器件的金属化结构中形成金属电容器，可以避免器件级的复杂制造顺序。 制造金属电容器的过程可以通过使用适当选择的蚀刻停止材料，通过使用适当选择的蚀刻停止材料，基于现代金属化系统的良好建立的图案化方案来进行，这可以使得能够在金属化层中形成通孔以高度的相容性同时提供金属化层 电容器中所需的高介电常数的电容器电介质。

公开(公告)号：US20090140348A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US12131429

申请日：2008-06-02

申请人： Kai Frohberg ,  Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Uwe Griebenow

发明人： Kai Frohberg ,  Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Uwe Griebenow

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/823425 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7843

摘要： By providing a protection layer for suppressing stress relaxation in a tensile-stressed dielectric material during a dual stress liner approach, performance of N-channel transistors may be increased, while nevertheless maintaining a high degree of compatibility with conventional dual stress liner approaches.

摘要翻译： 通过在双重应力衬垫法期间提供用于抑制拉应力电介质材料中的应力松弛的保护层，可以增加N沟道晶体管的性能，同时保持与常规双重应力衬垫方法的高度兼容性。

公开(公告)号：US20080131796A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：US11755245

申请日：2007-05-30

申请人： Thomas Werner ,  Frank Feustel ,  Kai Frohberg

发明人： Thomas Werner ,  Frank Feustel ,  Kai Frohberg

IPC分类号： H01L23/58 ,  G03F7/207

CPC分类号： H01L22/20 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70641 ,  H01L22/12

摘要： By encoding process-related non-uniformities, such as different height levels, which may be caused by CMP or other processes during the fabrication of complex device levels, such as metallization structures, respective focus parameter settings may be efficiently evaluated on the basis of well-established CD measurement techniques.

摘要翻译： 通过编码过程相关的不均匀性，例如不同的高度级别，其可以由制造复杂器件级别（例如金属化结构）期间的CMP或其它工艺引起，可以基于阱有效地评估各个焦点参数设置 - 建立CD测量技术。

公开(公告)号：US08877597B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US13208972

申请日：2011-08-12

申请人： Jens Heinrich ,  Frank Feustel ,  Kai Frohberg

发明人： Jens Heinrich ,  Frank Feustel ,  Kai Frohberg

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/66 ,  H01L29/08 ,  H01L21/285 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66636

摘要： When forming metal silicide regions, such as nickel silicide regions, in sophisticated transistors requiring a shallow drain and source dopant profile, superior controllability may be achieved by incorporating a silicide stop layer. To this end, in some illustrative embodiments, a carbon species may be incorporated on the basis of an implantation process in order to significantly modify the metal diffusion during the silicidation process. Consequently, an increased thickness of the metal silicide may be provided, while not unduly increasing the probability of creating contact failures.

摘要翻译： 当在需要浅漏极和源掺杂剂分布的复杂晶体管中形成诸如硅化镍区域的金属硅化物区域时，可以通过引入硅化物阻挡层来实现优异的可控性。 为此，在一些说明性实施例中，可以基于注入工艺来引入碳物质，以便在硅化过程期间显着地改变金属扩散。 因此，可以提供金属硅化物的增加的厚度，同时不会不适当地增加产生接触故障的可能性。

公开(公告)号：US08835303B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US12634216

申请日：2009-12-09

申请人： Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

发明人： Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76807 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76813

摘要： In a metallization system of a semiconductor device, a transition via may be provided with an increased degree of tapering by modifying a corresponding etch sequence. For example, the resist mask for forming the via opening may be eroded once or several times in order to increase the lateral size of the corresponding mask opening. Due to the pronounced degree of tapering, enhanced deposition conditions may be accomplished during the subsequent electrochemical deposition process for commonly filling the via opening and a wide trench connected thereto.

摘要翻译： 在半导体器件的金属化系统中，可以通过修改相应的蚀刻顺序来提供过渡通孔的增加的锥度。 例如，为了增加对应的掩模开口的横向尺寸，用于形成通路孔的抗蚀剂掩模可以被腐蚀一次或几次。 由于显着的渐缩度，在随后的电化学沉积过程中可以实现增强的沉积条件，用于通常填充通孔开口和与其连接的宽沟槽。