公开(公告)号：US20090052236A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12229341

申请日：2008-08-22

申请人： Jun-Soo Bae ,  Hideki Horii ,  Mi-Lim Park

发明人： Jun-Soo Bae ,  Hideki Horii ,  Mi-Lim Park

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004

摘要： Provided is a resistance variable memory device and a method for operating same. The resistance variable memory device has a phase change material between a top electrode and a bottom electrode. In the method for operating a resistance variable memory, the write current is applied in a direction from the top electrode to the bottom electrode, and the read current is applied in a direction from the bottom electrode to the top electrode. The phase change material is programmed by applying the write current, and a resistance drift of the phase change material is restrained by applying the read current.

摘要翻译： 提供一种电阻变量存储装置及其操作方法。 电阻可变存储器件在顶部电极和底部电极之间具有相变材料。 在用于操作电阻可变存储器的方法中，写入电流沿着从顶部电极到底部电极的方向施加，并且读取电流沿着从底部电极到顶部电极的方向施加。 通过施加写入电流来编程相变材料，并且通过施加读取电流来抑制相变材料的电阻漂移。

公开(公告)号：US20080093590A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11974774

申请日：2007-10-16

申请人： Dong-Ho Ahn ,  Hideki Horii ,  Jong-Chan Shin ,  Jun-Soo Bae ,  Hyeong-Geun An

发明人： Dong-Ho Ahn ,  Hideki Horii ,  Jong-Chan Shin ,  Jun-Soo Bae ,  Hyeong-Geun An

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/06

CPC分类号： H01L45/143 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675 ,  Y10S438/90

摘要： Provided are a phase change memory device and a method of forming the same. According to the phase change memory, a first plug electrode and a second plug electrode are spaced apart from each other in a mold insulating layer. A phase change pattern is disposed on the mold insulating layer. The phase change pattern contacts a top of the first plug electrode and a first potion of a top of the second plug electrode. An interconnection is electrically connected to a second portion of the top of the second plug electrode.

摘要翻译： 提供了一种相变存储器件及其形成方法。 根据相变存储器，第一插头电极和第二插头电极在模具绝缘层中彼此间隔开。 相变图案设置在模具绝缘层上。 相变图案接触第一插头电极的顶部和第二插头电极的顶部的第一部分。 互连电连接到第二插头电极的顶部的第二部分。

公开(公告)号：US20080068879A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：US11881062

申请日：2007-07-25

申请人： Dong-Ho Ahn ,  Hideki Horii ,  Jun-Soo Bae

发明人： Dong-Ho Ahn ,  Hideki Horii ,  Jun-Soo Bae

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L45/00

CPC分类号： G11C11/5678 ,  G11C7/04 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

摘要： A phase change memory device may include an integrated circuit substrate and first and second phase change memory elements on the integrated circuit substrate. The first phase change memory element may include a first phase change material having a first crystallization temperature. The second phase change memory element may include a second phase change material having a second crystallization temperature. Moreover, the first and second crystallization temperatures may be different so that the first and second phase change memory elements are programmable at different temperatures. Related methods and systems are also discussed.

摘要翻译： 相变存储器件可以包括集成电路衬底以及集成电路衬底上的第一和第二相变存储元件。 第一相变存储元件可以包括具有第一结晶温度的第一相变材料。 第二相变存储元件可以包括具有第二结晶温度的第二相变材料。 此外，第一和第二结晶温度可以不同，使得第一和第二相变存储元件可在不同温度下编程。 还讨论了相关方法和系统。

公开(公告)号：US20070286947A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11843847

申请日：2007-08-23

申请人： Hideki Horii

发明人： Hideki Horii

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1666

摘要： A phase changeable memory element is formed by conformally forming a phase changeable material film in a contact hole on a substrate so as to create a void in the phase changeable material film in the contact hole. A capping film is formed on the phase changeable material film, and the void is at least partially closed by a thermal treatment that is sufficient to reflow the phase changeable material film in the void.

摘要翻译： 相变存储元件通过在基板上的接触孔中共形形成相变材料膜而形成，从而在接触孔中的相变材料膜中产生空隙。 在相变材料膜上形成覆盖膜，并且通过足以使空隙中的相变材料膜回流的热处理至少部分地封闭空隙。

公开(公告)号：US07247897B2

公开(公告)日：2007-07-24

申请号：US11258037

申请日：2005-10-26

申请人： Won-bong Choi ,  Eun-ju Bae ,  Hideki Horii

发明人： Won-bong Choi ,  Eun-ju Bae ,  Hideki Horii

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/84 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/28562 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/16 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/16 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S977/75 ,  H01L2924/00

摘要： In a method of forming a conductive line for a semiconductor device using a carbon nanotube and a semiconductor device manufactured using the method, the method includes activating a surface of an electrode of the semiconductor device using surface pretreatment to create an activated surface of the electrode, forming an insulating layer on the activated surface of the electrode, and forming a contact hole through the insulating layer to expose a portion of the activated surface of the electrode, and supplying a carbon-containing gas onto the activated surface of the electrode through the contact hole to grow a carbon nanotube, which forms the conductive line, on the activated surface of the electrode. Alternatively, the activation step of the surface of the electrode may be replaced with a formation of a catalytic metal layer on the surface of the electrode.

摘要翻译： 在使用碳纳米管制造的半导体器件的导线形成方法和使用该方法制造的半导体器件的方法中，该方法包括使用表面预处理来激活半导体器件的电极的表面以产生电极的活化表面， 在所述电极的活化表面上形成绝缘层，以及通过所述绝缘层形成接触孔以暴露所述电极的活化表面的一部分，并且通过所述触点将含碳气体供应到所述电极的活化表面上 孔，以在电极的活化表面上生长形成导电线的碳纳米管。 或者，可以在电极的表面上形成催化金属层来代替电极表面的活化步骤。

公开(公告)号：US20060148125A1

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：US11364950

申请日：2006-03-01

申请人： Hideki Horii ,  Suk-ho Joo ,  Ji-Hye Yi

发明人： Hideki Horii ,  Suk-ho Joo ,  Ji-Hye Yi

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

摘要： A phase-changeable memory device may include a substrate, an insulating layer on the substrate, first and second electrodes, and a pattern of a phase-changeable material between the first and second electrodes. More particularly, the insulating layer may have a hole therein, and the first electrode may be in the hole in the insulating layer. Moreover, portions of the second electrode may extend beyond an edge of the pattern of phase-changeable material. Related methods are also discussed.

摘要翻译： 可相变存储器件可以包括衬底，衬底上的绝缘层，第一和第二电极以及第一和第二电极之间的相变材料的图案。 更具体地，绝缘层可以在其中具有孔，并且第一电极可以在绝缘层中的孔中。 此外，第二电极的部分可以延伸超过相变材料图案的边缘。 还讨论了相关方法。

公开(公告)号：US20120149165A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US13242237

申请日：2011-09-23

申请人： Jeong-Hee Park ,  Man-Sug Kang ,  Hideki Horii ,  Hyo-Jung Kim ,  Jung-Hwan Park

发明人： Jeong-Hee Park ,  Man-Sug Kang ,  Hideki Horii ,  Hyo-Jung Kim ,  Jung-Hwan Park

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/04 ,  H01L45/14 ,  H01L45/141 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1658 ,  H01L45/1683

摘要： An example embodiment relates to a method including forming a bottom electrode and an insulating layer on a substrate, the insulating layer defining a first opening that exposes a portion of the bottom electrode. The method includes forming a variable resistance material pattern, including a plurality of elements, to fill the first opening. The variable resistance material pattern may be doped with a dopant that includes at least one of the plurality of elements in the variable resistance material pattern. The method includes forming a top electrode on the variable resistance material pattern.

摘要翻译： 示例性实施例涉及包括在基底上形成底部电极和绝缘层的方法，所述绝缘层限定暴露所述底部电极的一部分的第一开口。 该方法包括形成包括多个元件的可变电阻材料图案以填充第一开口。 可变电阻材料图案可以掺杂有包括可变电阻材料图案中的多个元件中的至少一个的掺杂剂。 该方法包括在可变电阻材料图案上形成顶部电极。

公开(公告)号：US20120142141A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13241315

申请日：2011-09-23

申请人： Jeong-Hee PARK ,  Jung-Hwan Park ,  Hideki Horii ,  Sung-Lae Cho

发明人： Jeong-Hee PARK ,  Jung-Hwan Park ,  Hideki Horii ,  Sung-Lae Cho

IPC分类号： H01L21/06 ,  H01L21/8246

CPC分类号： H01L45/1625 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： A method of forming a resistance variable memory device, the method including forming a diode on a semiconductor substrate; forming a lower electrode on the diode; forming a first insulating film on the lower electrode, the first insulating film having an opening; forming a resistance variable film filling the opening such that the resistance variable film includes an amorphous region adjacent to a sidewall of the opening and a crystalline region adjacent to the lower electrode; and forming an upper electrode on the resistance variable film.

摘要翻译： 一种形成电阻可变存储器件的方法，所述方法包括在半导体衬底上形成二极管; 在二极管上形成下电极; 在所述下电极上形成第一绝缘膜，所述第一绝缘膜具有开口; 形成填充所述开口的电阻变化膜，使得所述电阻变化膜包括与所述开口的侧壁相邻的非晶区域和与所述下部电极相邻的结晶区域; 并在电阻变化膜上形成上电极。

公开(公告)号：US20110147692A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12973124

申请日：2010-12-20

申请人： JEONGHEE PARK ,  Hideki Horii ,  Hyeyoung Park ,  Jin Ho Oh ,  Hyun-Suk Kwon

发明人： JEONGHEE PARK ,  Hideki Horii ,  Hyeyoung Park ,  Jin Ho Oh ,  Hyun-Suk Kwon

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/16 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1683

摘要： Provided are a variable resistance memory device and a method of forming the same. The variable resistance memory device may include a substrate, a plurality of bottom electrodes on the substrate, and a first interlayer insulating layer including a trench formed therein. The trench exposes the bottom electrodes and extends in a first direction. The variable resistance memory device further includes a top electrode provided on the first interlayer insulating layer and extending in a second direction crossing the first direction and a plurality of variable resistance patterns provided in the trench and having sidewalls aligned with a sidewall of the top electrode.

摘要翻译： 提供了一种可变电阻存储器件及其形成方法。 可变电阻存储器件可以包括衬底，在衬底上的多个底部电极，以及包括形成在其中的沟槽的第一层间绝缘层。 沟槽露出底部电极并沿第一方向延伸。 可变电阻存储器件还包括设置在第一层间绝缘层上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸的顶电极和设置在沟槽中并具有与顶电极的侧壁对准的侧壁的多个可变电阻图案。

公开(公告)号：US20110121852A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US12817826

申请日：2010-06-17

申请人： Hideki Horii ,  Young-kuk Kim ,  Mi-lim Park

发明人： Hideki Horii ,  Young-kuk Kim ,  Mi-lim Park

IPC分类号： G01R31/02 ,  G01R13/34 ,  G01R31/00

CPC分类号： G01R31/2889

摘要： A probe card and a test apparatus including the probe card for improving test reliability. The probe card may include a first input terminal Microelectromechanical Systems (MEMS) switch that connects a first input terminal and a first input probe pin, wherein the first input terminal MEMS switch comprises a control portion that receives an operation signal and a connection portion that connects the first input terminal and the first input probe pin. The probe card may further include a first output terminal MEMS switch that connects a first output terminal and a first output probe pin, wherein the first output terminal MEMS switch comprises a control portion that receives the operation signal and a connection portion that connects the first output terminal and the first output probe pin.

摘要翻译： 探针卡和测试装置，包括用于提高测试可靠性的探针卡。 探针卡可以包括连接第一输入端和第一输入探针的第一输入端微机电系统（MEMS）开关，其中第一输入端MEMS开关包括接收操作信号的控制部分和连接 第一输入端和第一输入探针。 探针卡还可以包括连接第一输出端和第一输出探针的第一输出端MEMS开关，其中第一输出端MEMS开关包括接收操作信号的控制部分和连接第一输出端 端子和第一个输出探针。