公开(公告)号：US20100109098A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12339990

申请日：2008-12-19

申请人： Simon Su-Horng Lin ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Simon Su-Horng Lin ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/518 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513

摘要： A method of fabricating a gate of a semiconductor device is provided. In an embodiment, the method includes forming a gate dielectric layer on a semiconductor substrate. An interface layer is formed on the gate dielectric layer. In an embodiment, the gate dielectric layer includes HfO2 and the interface layer includes Hf—N. A work function metal layer may be formed on the interface layer. A device is also provided.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的栅极的方法。 在一个实施例中，该方法包括在半导体衬底上形成栅极电介质层。 界面层形成在栅介质层上。 在一个实施例中，栅介质层包括HfO 2，界面层包括Hf-N。 可以在界面层上形成功函数金属层。 还提供了一种设备。

公开(公告)号：US09165835B2

公开(公告)日：2015-10-20

申请号：US13221214

申请日：2011-08-30

申请人： Ming-Hsi Yeh ,  Chun-Yi Lee ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Ming-Hsi Yeh ,  Chun-Yi Lee ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/425 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/823431 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： Provided is a method and structure for utilizing advance channel substrate materials in semiconductor manufacturing. Advanced channel substrate materials such as germanium and Group III-V channel substrate materials, are advantageously utilized. One or more capping films including at least a nitride layer are formed over the channel substrate prior to patterning, ion implantation and the subsequent stripping and wet cleaning operations. With the capping layers intact during these operations, attack of the channel substrate material is prevented and the protective films are easily removed subsequently. The films are dimensioned in conjunction with the ion implantation operation to enable the desired dopant profile and concentration to be formed in the channel substrate material.

摘要翻译： 提供了一种在半导体制造中利用前置沟道衬底材料的方法和结构。 可以有利地利用诸如锗和III-V族通道衬底材料的高级通道衬底材料。 在图案化，离子注入和随后的剥离和湿式清洗操作之前，在沟道基底上方形成至少包含至少氮化物层的一个或多个封盖膜。 在这些操作期间，封盖层完好无损，防止了通道衬底材料的侵蚀，随后保护膜很容易被去除。 这些膜的尺寸与离子注入操作相结合，使得能够在通道衬底材料中形成所需的掺杂剂分布和浓度。

公开(公告)号：US09053907B2

公开(公告)日：2015-06-09

申请号：US13439124

申请日：2012-04-04

申请人： Chun-Lin Chang ,  Chih-Hong Hwang ,  Wen-Yu Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Chun-Lin Chang ,  Chih-Hong Hwang ,  Wen-Yu Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： A61N5/00 ,  G21G5/00 ,  H01J37/317 ,  G21K1/14

CPC分类号： H01J37/3171 ,  A61N5/00 ,  G21G5/00 ,  G21K1/14 ,  H01J2237/0044

摘要： An apparatus comprises a plasma flood gun for neutralizing a positive charge buildup on a semiconductor wafer during a process of ion implantation using an ion beam. The plasma flood gun comprises more than two arc chambers, wherein each arc chamber is configured to generate and release electrons into the ion beam in a respective zone adjacent to the semiconductor wafer.

摘要翻译： 一种装置包括用于在使用离子束的离子注入的过程中中和半导体晶片上的正电荷累积的等离子体喷枪。 等离子体喷枪包括两个以上的电弧室，其中每个电弧室被配置为在与半导体晶片相邻的相应区域中产生电子并将其释放到离子束中。

公开(公告)号：US09048186B2

公开(公告)日：2015-06-02

申请号：US12879371

申请日：2010-09-10

申请人： Kuo Bin Huang ,  Hsin-Chien Lu ,  Ryan Chia-Jen Chen ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Kuo Bin Huang ,  Hsin-Chien Lu ,  Ryan Chia-Jen Chen ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28238 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857

摘要： A method for forming an integrated circuit is provided. The method includes forming a gate dielectric structure over a substrate. A titanium-containing sacrificial layer is formed, contacting the gate dielectric structure. The whole titanium-containing sacrificial layer is substantially removed.

摘要翻译： 提供一种用于形成集成电路的方法。 该方法包括在衬底上形成栅极电介质结构。 形成与该栅电介质结构接触的含钛牺牲层。 基本上除去了整个含钛牺牲层。

公开(公告)号：US20140095083A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：US13632530

申请日：2012-10-01

申请人： Tzu-Sou Chuang ,  Jeng-Jyi Hwang ,  Cheng-Lung Chou ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Tzu-Sou Chuang ,  Jeng-Jyi Hwang ,  Cheng-Lung Chou ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： G01N33/00 ,  G06F15/00

CPC分类号： G01N33/0004 ,  G06F15/00

摘要： The present disclosure provides a method of identifying an airborne molecular contamination (AMC) leaking source in a fab. The method includes distributing a sensor in the fab, executing a forward computational fluid dynamics (CFD) simulation of an air flow in the fab, setting an inversed modeling of the forward CFD simulation of the air flow in the fab, building up a database of a spatial response probability distribution matrix of the sensor using an AMC measurement data in the fab, and identifying the AMC leaking source using the database of the spatial response probability distribution matrix of the sensor.

摘要翻译： 本公开提供了一种在晶圆厂中识别空气传播分子污染（AMC）泄漏源的方法。 该方法包括在晶圆厂中分布传感器，对晶圆厂中的空气流进行前向计算流体动力学（CFD）仿真，设置晶圆厂中空气流的前向CFD模拟的反向建模，建立数据库 使用工厂中的AMC测量数据的传感器的空间响应概率分布矩阵，以及使用传感器的空间响应概率分布矩阵的数据库来识别AMC泄漏源。

公开(公告)号：US08623468B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US13343857

申请日：2012-01-05

申请人： Su-Horng Lin ,  Lin-Jung Wu ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Su-Horng Lin ,  Lin-Jung Wu ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H05H1/24

CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/32051

摘要： Methods of fabricating a metal hard mask and a metal hard mask fabricated by such methods are described. The method includes flowing at least one metal reactant gas into a reaction chamber configured to perform chemical vapor deposition (CVD), wherein the at least one metal reactant gas includes a metal-halogen gas or a metal-organic gas. The method further includes depositing a hard mask metal layer by CVD using the at least one metal reactant gas.

摘要翻译： 描述了通过这种方法制造金属硬掩模和金属硬掩模的方法。 该方法包括将至少一种金属反应物气体流入配置成执行化学气相沉积（CVD）的反应室，其中至少一种金属反应物气体包括金属卤素气体或金属有机气体。 该方法还包括使用至少一种金属反应物气体通过CVD沉积硬掩模金属层。

公开(公告)号：US08616821B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US12869171

申请日：2010-08-26

申请人： Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Ming-Tsao Chiang ,  Yu-Fen Tzeng ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Ming-Tsao Chiang ,  Yu-Fen Tzeng ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67011 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67703 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/67778 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/139

摘要： The present disclosure provides a system and method for processing a semiconductor substrate wherein a substrate is received at a load lock interface. The substrate is transferred from the load lock interface to a process module using a first module configured for unprocessed substrates. A manufacturing process is performed on the substrate within the process module. Thereafter, the substrate is transferred from the process module to the load lock interface using a second module configured for processed substrates.

摘要翻译： 本公开提供了一种用于处理半导体衬底的系统和方法，其中在负载锁定接口处接收衬底。 使用配置为未处理基板的第一模块将基板从加载锁定接口传送到处理模块。 在处理模块内的基板上进行制造工艺。 此后，使用配置成处理的基板的第二模块将基板从处理模块传送到加载锁定接口。

公开(公告)号：US08592785B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US13240951

申请日：2011-09-22

申请人： Nai-Han Cheng ,  Chin-Hsiang Lin ,  Chi-Ming Yang ,  Chun-Lin Chang ,  Chih-Hong Hwang

发明人： Nai-Han Cheng ,  Chin-Hsiang Lin ,  Chi-Ming Yang ,  Chun-Lin Chang ,  Chih-Hong Hwang

IPC分类号： H01J37/317

CPC分类号： H01J37/3171 ,  G21K5/00 ,  H01J3/14 ,  H01J37/05 ,  H01J37/147

摘要： An multi-ion beam implantation apparatus and method are disclosed. An exemplary apparatus includes an ion beam source that emits at least two ion beams; an ion beam analyzer; and a multi-ion beam angle incidence control system. The ion beam analyzer and the multi-ion beam angle incidence control system are configured to direct the emitted at least two ion beams to a wafer.

摘要翻译： 公开了一种多离子束注入装置和方法。 示例性装置包括发射至少两个离子束的离子束源; 离子束分析仪; 和多离子束角度入射控制系统。 离子束分析仪和多离子束角入射控制系统被配置为将发射的至少两个离子束引导到晶片。

公开(公告)号：US20130174982A1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：US13343857

申请日：2012-01-05

申请人： Su-Horng Lin ,  Lin-Jung Wu ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Su-Horng Lin ,  Lin-Jung Wu ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18

CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/32051

摘要： The present disclosure provides for methods of fabricating a metal hard mask and a metal hard mask fabricated by such methods. A method includes flowing at least one metal reactant gas into a reaction chamber configured to perform chemical vapor deposition (CVD), wherein the at least one metal reactant gas includes a metal-halogen gas or a metal-organic gas. The method further includes depositing a hard mask metal layer by CVD using the at least one metal reactant gas.

摘要翻译： 本公开提供了通过这种方法制造的金属硬掩模和金属硬掩模的制造方法。 一种方法包括将至少一种金属反应物气体流入被配置为进行化学气相沉积（CVD）的反应室，其中所述至少一种金属反应物气体包括金属卤素气体或金属有机气体。 该方法还包括使用至少一种金属反应物气体通过CVD沉积硬掩模金属层。

公开(公告)号：US20130110276A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13286337

申请日：2011-11-01

申请人： Nai-Han Cheng ,  Chin-Hsiang Lin ,  Chi-Ming Yang ,  Chun-Lin Chang ,  Chih-Hong Hwang

发明人： Nai-Han Cheng ,  Chin-Hsiang Lin ,  Chi-Ming Yang ,  Chun-Lin Chang ,  Chih-Hong Hwang

IPC分类号： G06F19/00 ,  G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5063 ,  G06F2217/10

摘要： A method and system for integrated circuit fabrication is disclosed. In an example, the method includes determining a first process parameter of a wafer and a second process parameter of the wafer, the first process parameter and the second process parameter corresponding to different wafer characteristics; determining a variation of a device parameter of the wafer based on the first process parameter and the second process parameter; constructing a model for the device parameter as a function of the first process parameter and the second process parameter based on the determined variation of the device parameter of the wafer; and performing a fabrication process based on the model.

摘要翻译： 公开了一种用于集成电路制造的方法和系统。 在一个示例中，该方法包括确定晶片的第一工艺参数和晶片的第二工艺参数，对应于不同晶片特性的第一工艺参数和第二工艺参数; 基于所述第一处理参数和所述第二处理参数确定所述晶片的设备参数的变化; 基于确定的晶片的器件参数的变化，构造作为第一工艺参数和第二工艺参数的函数的器件参数的模型; 并基于该模型执行制造过程。