公开(公告)号：US20100274950A1

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：US12529270

申请日：2008-09-22

申请人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda

发明人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F12/02

CPC分类号： G06F12/0804 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0866 ,  G06F12/0897 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7205

摘要： A controller executes first processing for writing a plurality of data in a sector unit in the first storing area; second processing for flushing the data stored in the first storing area to the first input buffer in a first management unit twice or larger natural number times as large as the sector unit; third processing for flushing the data stored in the first storing area to the second input buffer in a second management unit twice or larger natural number times as large as the first management unit; fourth processing for relocating a logical block in which all pages are written in the first input buffer to the second storing area; fifth processing for relocating a logical block in which all pages are written in the second input buffer to the third storing area; and sixth processing for flushing a plurality of data stored in the second storing area to the second input buffer in the second management unit.

摘要翻译： 控制器执行用于在第一存储区域中以扇区为单位写入多个数据的第一处理; 第二处理，用于将存储在第一存储区域中的数据在第一管理单元中的第一输入缓冲器中刷新自然数倍于扇区单元的两倍或更大; 在第二管理单元中将存储在第一存储区域中的数据刷新到与第一管理单元一样大的自然数倍的两倍或更大的第二处理; 将其中将所有页面写入所述第一输入缓冲器的逻辑块重定位到所述第二存储区域的第四处理; 将其中将所有页面写入第二输入缓冲器的逻辑块重新定位到第三存储区域的第五处理; 以及第六处理，用于将存储在第二存储区域中的多个数据刷新到第二管理单元中的第二输入缓冲器。

公开(公告)号：US20090241010A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12394665

申请日：2009-02-27

申请人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda ,  Hiroki Matsudaira

发明人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda ,  Hiroki Matsudaira

IPC分类号： H03M13/05 ,  G06F11/10

CPC分类号： G06F11/1068 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0679 ,  G06F11/1072 ,  G11C16/06 ,  G11C29/52 ,  G11C29/78 ,  G11C2029/0411

摘要： A memory system includes a controller that manages data stored in the first and second storing areas. The controller determines, when a readout error occurs when the stored data in the second storing area is read out, success or failure of error correction to the read-out data based on the result of the error correction stored in a storage buffer, writes, when the error correction is successful, correction data corresponding to the read-out data stored in the storage buffer, and writes, when the error correction fails, the read-out data itself not subjected to error correction processing.

摘要翻译： 存储器系统包括管理存储在第一和第二存储区域中的数据的控制器。 当存储在第二存储区域中的数据被读出时，控制器基于存储在存储缓冲器中的纠错结果对读出的数据进行错误校正的成功或失败， 当纠错成功时，对应于存储在存储缓冲器中的读出数据的校正数据，并且当纠错失败时，读出数据本身不进行纠错处理。

公开(公告)号：US08751901B2

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：US13152962

申请日：2011-06-03

申请人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda ,  Hiroki Matsudaira

发明人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda ,  Hiroki Matsudaira

IPC分类号： G11C29/42

CPC分类号： G06F11/1068 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0679 ,  G06F11/1072 ,  G11C16/06 ,  G11C29/52 ,  G11C29/78 ,  G11C2029/0411

摘要： A memory system includes a controlling unit that configured to control data transfer between the first and the second memory. The controlling unit executes copy processing for, after reading out data stored in a first page of the second memory to the first memory, writing the data in a second page of the second memory, determines, when executing the copy processing, whether the error correction processing for the data read out from the first page is successful, stores, when the error correction processing is successful, corrected data in the first memory and writes the corrected data in the second page, and reads out, when the error correction processing is unsuccessful, the data from the first page to the first memory and writes the data not subjected to the error correction processing in the second page.

摘要翻译： 存储器系统包括控制单元，其被配置为控制第一和第二存储器之间的数据传输。 控制单元执行复制处理，在将第二存储器的第一页中存储的数据读出到第一存储器之后，将数据写入第二存储器的第二页，在执行复制处理时确定纠错 从第一页读出的数据的处理成功，当纠错处理成功时存储第一存储器中的校正数据并将修正数据写入第二页，并且当纠错处理失败时读出 ，从第一页到第一存储器的数据，并将未经过纠错处理的数据写入第二页。

公开(公告)号：US08706950B2

公开(公告)日：2014-04-22

申请号：US12394875

申请日：2009-02-27

申请人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda

发明人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda

IPC分类号： G06F12/16 ,  G06F11/07

CPC分类号： G06F3/0614 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0647 ,  G06F3/0685 ,  G06F11/073 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0802 ,  G06F12/0804 ,  G06F12/0866 ,  G06F2212/1032 ,  G06F2212/2022 ,  G06F2212/22 ,  G06F2212/7202 ,  G11C29/88 ,  G11C2029/0409 ,  G11C2029/0411

摘要： A memory system includes a volatile first storing unit, a nonvolatile second storing unit in which data is managed in a predetermined unit, and a controller that writes data requested by a host apparatus in the second storing unit via the first storing unit and reads out data requested by the host apparatus from the second storing unit to the first storing unit and transfers the data to the host apparatus. The controller includes a management table for managing the number of failure areas in a predetermined unit that occur in the second storing unit and switches, according to the number of failure areas, an operation mode in writing data in the second storing unit from the host apparatus.

摘要翻译： 存储器系统包括：易失性第一存储单元，以预定单元管理数据的非易失性第二存储单元;以及控制器，其经由第一存储单元将主机设备请求的数据写入第二存储单元，并读出数据 由主机从第二存储单元请求到第一存储单元，并将数据传送到主机设备。 控制器包括管理表，用于管理出现在第二存储单元中的预定单元中的故障区域的数量，并且根据故障区域的数量，切换从主机设备向第二存储单元写入数据的操作模式 。

公开(公告)号：US08661191B2

公开(公告)日：2014-02-25

申请号：US13358763

申请日：2012-01-26

申请人： Junji Yano ,  Kosuke Hatsuda ,  Hidenori Matsuzaki

发明人： Junji Yano ,  Kosuke Hatsuda ,  Hidenori Matsuzaki

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F12/0804 ,  G06F12/0866 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/1044 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7211

摘要： A memory system according to an embodiment of the present invention comprises: a data managing unit 120 is divided into a DRAM-layer managing unit 120a, a logical-NAND-layer managing unit 120b, and a physical-NAND-layer managing unit 120c to independently perform management of a DRAM layer, a logical NAND layer, and a physical NAND layer using the respective managing units to thereby perform efficient block management.

摘要翻译： 根据本发明的实施例的存储器系统包括：数据管理单元120被划分为DR​​AM层管理单元120a，逻辑NAND层管理单元120b和物理NAND层管理单元120c至 使用各个管理单元独立地执行DRAM层，逻辑NAND层和物理NAND层的管理，从而执行有效的块管理。

公开(公告)号：US08276043B2

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：US12394665

申请日：2009-02-27

申请人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda ,  Hiroki Matsudaira

发明人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda ,  Hiroki Matsudaira

IPC分类号： H03M13/00

CPC分类号： G06F11/1068 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0679 ,  G06F11/1072 ,  G11C16/06 ,  G11C29/52 ,  G11C29/78 ,  G11C2029/0411

摘要： A memory system includes a controller that manages data stored in the first and second storing areas. The controller determines, when a readout error occurs when the stored data in the second storing area is read out, success or failure of error correction to the read-out data based on the result of the error correction stored in a storage buffer, writes, when the error correction is successful, correction data corresponding to the read-out data stored in the storage buffer, and writes, when the error correction fails, the read-out data itself not subjected to error correction processing.

摘要翻译： 存储器系统包括管理存储在第一和第二存储区域中的数据的控制器。 当存储在第二存储区域中的数据被读出时，控制器基于存储在存储缓冲器中的纠错结果对读出的数据进行错误校正的成功或失败， 当纠错成功时，对应于存储在存储缓冲器中的读出数据的校正数据，并且当纠错失败时，读出数据本身不进行纠错处理。

公开(公告)号：US20110264859A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US12529192

申请日：2009-02-10

申请人： Junji Yano ,  Kosuke Hatsuda ,  Hidenori Matsuzaki

发明人： Junji Yano ,  Kosuke Hatsuda ,  Hidenori Matsuzaki

IPC分类号： G06F12/08

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F12/0804 ,  G06F12/0866 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/1044 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7211

摘要： A memory system according to an embodiment of the present invention comprises: a data managing unit 120 is divided into a DRAM-layer managing unit 120a, a logical-NAND-layer managing unit 120b, and a physical-NAND-layer managing unit 120c to independently perform management of a DRAM layer, a logical NAND layer, and a physical NAND layer using the respective managing units to thereby perform efficient block management.

摘要翻译： 根据本发明的实施例的存储器系统包括：数据管理单元120被划分为DR​​AM层管理单元120a，逻辑NAND层管理单元120b和物理NAND层管理单元120c至 使用各个管理单元独立地执行DRAM层，逻辑NAND层和物理NAND层的管理，从而执行有效的块管理。

公开(公告)号：US20110185106A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：US12529145

申请日：2009-02-10

申请人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda

发明人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F12/16

CPC分类号： G06F3/0619 ,  G06F3/0647 ,  G06F3/065 ,  G06F3/0652 ,  G06F3/0685 ,  G06F11/1456 ,  G06F11/1469 ,  G06F11/1471 ,  G06F12/0246 ,  G06F2201/84 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7207 ,  G11C7/20 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/105

摘要： A memory system includes a management-information restoring unit. The management-information restoring unit determines whether a short break has occurred referring to a pre-log or a post-log in a NAND memory. The management-information restoring unit determines that a short break has occurred when the pre-log or the post-log is present in the NAND memory. In that case, the management-information restoring unit determines timing of occurrence of the short break, and, after selecting a pre-log or a post-log used for restoration, performs restoration of the management information reflecting these logs on a snapshot. Thereafter, the management-information restoring unit applies recovery processing to all write-once blocks in the NAND memory, takes the snapshot again, and opens the snapshot and the logs in the past.

摘要翻译： 存储器系统包括管理信息恢复单元。 管理信息恢复单元根据NAND存储器中的预登录或后登录来确定是否发生了短暂中断。 管理信息恢复单元确定在NAND存储器中存在预登录或后记录时发生短暂中断。 在这种情况下，管理信息恢复单元确定短暂发生的发生时间，并且在选择用于恢复的预登录或后记录之后，在快照上执行反映这些日志的管理信息的恢复。 此后，管理信息恢复单元对NAND存储器中的所有一次写入块应用恢复处理，再次拍摄快照，并打开过去的快照和日志。

公开(公告)号：US20110185105A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：US12529127

申请日：2009-02-10

申请人： Junji Yano ,  Kosuke Hatsuda ,  Hidenori Matsuzaki

发明人： Junji Yano ,  Kosuke Hatsuda ,  Hidenori Matsuzaki

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F12/0804 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/1044 ,  G06F2212/1048 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7209

摘要： A memory system in which speed of processing for searching through management tables is increased by providing a forward lookup table for searching for, respectively in track and cluster units, from a logical address, a storage device position where data corresponds to the logical address, and a reverse lookup table for searching for, from a position of the storage device, a logical address stored in the position. These forward and reverse lookup tables are linked.

摘要翻译： 通过提供从逻辑地址，数据对应于逻辑地址的存储设备位置分别在轨道和群集单元中搜索的前向查找表来增加用于通过管理表搜索的处理速度的存储器系统，以及 用于从存储设备的位置搜索存储在该位置中的逻辑地址的反向查找表。 这些正向和反向查找表是链接的。

公开(公告)号：US20090240871A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12396104

申请日：2009-03-02

申请人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda ,  Wataru Okamoto ,  Ryoichi Kato

发明人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda ,  Wataru Okamoto ,  Ryoichi Kato

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F12/02 ,  G06F12/08

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F12/0866 ,  G06F2212/7203

摘要： A system includes: a first input buffer that functions as an input buffer for a third storing area; and a second input buffer that functions as an input buffer for the third storing area and that separately stores data with a high update frequency for the third storing area. In the system, a plurality of data written in a first storing area or a second storing area are flushed to the first input buffer in units of logical blocks. Also, a plurality of data written in the first input buffer are relocated to the third storing area in units of logical blocks.

摘要翻译： 一种系统包括：用作第三存储区域的输入缓冲器的第一输入缓冲器; 以及第二输入缓冲器，其用作第三存储区域的输入缓冲器，并且分别存储具有用于第三存储区域的较高更新频率的数据。 在系统中，以逻辑块为单位将写入第一存储区域或第二存储区域的多个数据刷新到第一输入缓冲器。 此外，写入第一输入缓冲器的多个数据以逻辑块为单位重新定位到第三存储区域。