公开(公告)号：US20100242833A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12524575

申请日：2008-11-13

申请人： Issei Satoh ,  Naho Mizuhara ,  Keisuke Tanizaki ,  Michimasa Miyanaga ,  Hideaki Nakahata

发明人： Issei Satoh ,  Naho Mizuhara ,  Keisuke Tanizaki ,  Michimasa Miyanaga ,  Hideaki Nakahata

IPC分类号： C30B23/02

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025 ,  C30B25/00 ,  C30B25/18

摘要： The present invention makes available an AlN crystal growth method enabling large-area, thick AlN crystal to be stably grown. An AlN crystal growth method of the present invention is provided with a step of preparing an SiC substrate (4) having a major face (4m) with a 0 cm−2 density of micropipes (4mp) having tubal diameters of down to 1000 μm, and a not greater than 0.1 cm−2 density of micropipes (4mp) having tubal diameters of between 100 μm and less than 1000 μm; and a step of growing AlN crystal (5) onto the major face (4m) by vapor-phase deposition.

摘要翻译： 本发明提供能够稳定生长大面积厚AlN晶体的AlN晶体生长方法。 本发明的AlN晶体生长方法具有如下步骤：制备具有0cm -2密度的具有至少1000μm的输卵管直径的微管（4mp）的主面（4m）的SiC衬底（4） 和不大于0.1cm -2密度的具有100μm至小于1000μm的输卵管直径的微管（4mp）; 以及通过气相沉积将AlN晶体（5）生长到主面（4m）上的步骤。

公开(公告)号：US08591653B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US12668426

申请日：2009-03-06

申请人： Issei Satoh ,  Naho Mizuhara ,  Keisuke Tanizaki ,  Michimasa Miyanaga ,  Takashi Sakurada ,  Hideaki Nakahata

发明人： Issei Satoh ,  Naho Mizuhara ,  Keisuke Tanizaki ,  Michimasa Miyanaga ,  Takashi Sakurada ,  Hideaki Nakahata

IPC分类号： C30B21/02

CPC分类号： C30B23/066 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254

摘要： A compound semiconductor single-crystal manufacturing device (1) is furnished with: a laser light source (6) making it possible to sublime a source material by directing a laser beam onto the material; a reaction vessel (2) having a laser entry window (5) through which the laser beam output from the laser light source (6) can be transmitted to introduce the beam into the vessel interior, and that is capable of retaining a starting substrate (3) where sublimed source material is recrystallized; and a heater (7) making it possible to heat the starting substrate (3). The laser beam is shone on, to heat and thereby sublime, the source material within the reaction vessel (2), and compound semiconductor single crystal is grown by recrystallizing the sublimed source material onto the starting substrate (3); afterwards the laser beam is employed to separate the compound semiconductor single crystal from the starting substrate (3).

摘要翻译： 化合物半导体单晶制造装置（1）具有：激光光源（6），其可以通过将激光束引导到材料上而使源材料升华; 具有激光入口窗口（5）的反应容器（2），从激光光源（6）输出的激光束可以通过激光入口窗口（5）传输，以将光束引入容器内部，并且能够保持起始衬底（ 3）升华源材料重结晶; 和加热器（7），使加热起始衬底（3）成为可能。 激光束照射在反应容器（2）内的源材料上，从而升华，通过将升华的源材料再结晶到起始衬底（3）上来生长化合物半导体单晶; 之后使用激光束将化合物半导体单晶与起始衬底（3）分离。

公开(公告)号：US08357597B2

公开(公告)日：2013-01-22

申请号：US12989039

申请日：2009-04-17

申请人： Issei Satoh ,  Michimasa Miyanaga ,  Shinsuke Fujiwara ,  Hideaki Nakahata

发明人： Issei Satoh ,  Michimasa Miyanaga ,  Shinsuke Fujiwara ,  Hideaki Nakahata

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/267 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631

摘要： Si(1-v-w-x)CwAlxNv crystals in a mixed crystal state are formed. A method for manufacturing an easily processable Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate, a method for manufacturing an epitaxial wafer, a Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate, and an epitaxial wafer are provided. A method for manufacturing a Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate 10a includes the following steps. First, a Si substrate 11 is prepared. A Si(1-v-w-x)CwAlxNv layer 12 (0

摘要翻译： 形成混晶的Si（1-v-w-x）C w Al x N v晶体。 提供了一种用于制造易加工的Si（1-v-w-x）C w Al x N v衬底的方法，制造外延晶片的方法，Si（1-v-w-x）C w Al x N v衬底和外延晶片。 制造Si（1-v-w-x）C w Al x N v衬底10a的方法包括以下步骤。 首先，准备Si基板11。 然后在Si衬底11上生长Si（1-vwx）C w Al x N v层12（0

公开(公告)号：US08293011B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US12339579

申请日：2008-12-19

申请人： Michimasa Miyanaga ,  Naho Mizuhara ,  Keisuke Tanizaki ,  Issei Satoh ,  Hisao Takeuchi ,  Hideaki Nakahata

发明人： Michimasa Miyanaga ,  Naho Mizuhara ,  Keisuke Tanizaki ,  Issei Satoh ,  Hisao Takeuchi ,  Hideaki Nakahata

IPC分类号： C30B23/06 ,  C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  C01B21/072 ,  C01B21/06 ,  C30B35/00

CPC分类号： C30B23/005 ,  C30B29/403 ,  Y10T117/10

摘要： A method for growing a Group III nitride semiconductor crystal is provided with the following steps: First, a chamber including a heat-shielding portion for shielding heat radiation from a material 13 therein is prepared. Then, material 13 is arranged on one side of heat-shielding portion in chamber. Then, by heating material to be sublimated, a material gas is deposited on the other side of heat-shielding portion in chamber so that a Group III nitride semiconductor crystal is grown.

摘要翻译： 制备III族氮化物半导体晶体的方法具有以下步骤：首先，准备包括用于屏蔽来自材料13的热辐射的热屏蔽部分的室。 然后，材料13设置在室内的热屏蔽部分的一侧。 然后，通过加热待升华的材料，在室内的热屏蔽部分的另一侧上沉积材料气体，使得III族氮化物半导体晶体生长。

公开(公告)号：US20110039071A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：US12989015

申请日：2009-04-17

申请人： Issei Satoh ,  Michimasa Miyanaga ,  Shinsuke Fujiwara ,  Hideaki Nakahata

发明人： Issei Satoh ,  Michimasa Miyanaga ,  Shinsuke Fujiwara ,  Hideaki Nakahata

IPC分类号： B32B3/00 ,  C30B23/06 ,  C30B25/02 ,  C23C14/34

CPC分类号： C30B23/00 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/28 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02617 ,  Y10T428/24471

摘要： There are provided a method for manufacturing a Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate having a reduced number of cracks and high processibility, a method for manufacturing an epitaxial wafer, a Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate, and an epitaxial wafer.A method for manufacturing a Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate 10a includes the following steps. First, a Si substrate 11 is prepared. A Si(1-v-w-x)CwAlxNv layer (0

摘要翻译： 提供了一种制造具有减少的裂纹数量和高加工性的Si（1-v-w-x）C w Al x N v衬底的方法，制造外延晶片的方法，Si（1-v-w-x）C w Al x N v衬底和外延晶片。 制造Si（1-v-w-x）C w Al x N v衬底10a的方法包括以下步骤。 首先，准备Si基板11。 然后在Si衬底上，在低于1℃的温度下生长Si（1-vwx）C w Al x N v层（0

公开(公告)号：US20110031534A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：US12989036

申请日：2009-04-17

申请人： Issei Satoh ,  Michimasa Miyanaga ,  Shinsuke Fujiwara ,  HIdeaki Nakahata

发明人： Issei Satoh ,  Michimasa Miyanaga ,  Shinsuke Fujiwara ,  HIdeaki Nakahata

IPC分类号： H01L29/205 ,  H01L29/20 ,  C30B23/00 ,  C30B23/02

CPC分类号： C30B29/36 ,  C23C4/185 ,  C23C16/34 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631

摘要： There are provided a Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate that achieves high crystallinity and low costs, an epitaxial wafer, and manufacturing methods thereof.A method for manufacturing a Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate according to the present invention includes the steps of preparing a different type of substrate 11 and growing a Si(1-v-w-xCwAlxNv layer having a main surface on the different type of substrate 11. The component ratio x+v at the main surface of the Si(1-v-w-x)CwAlxNv layer is 0

摘要翻译： 提供了实现高结晶度和低成本的Si（1-v-w-x）C w Al x N v衬底，外延晶片及其制造方法。 根据本发明的用于制造Si（1-vwx）C w Al x N v衬底的方法包括以下步骤：制备不同类型的衬底11并生长具有不同类型衬底上的主表面的Si（1-vw-xCwAlxNv层） Si（1-vwx）CwAlxNv层的主表面的分量比x + v为0

公开(公告)号：US08540817B2

公开(公告)日：2013-09-24

申请号：US12989015

申请日：2009-04-17

申请人： Issei Satoh ,  Michimasa Miyanaga ,  Shinsuke Fujiwara ,  Hideaki Nakahata

发明人： Issei Satoh ,  Michimasa Miyanaga ,  Shinsuke Fujiwara ,  Hideaki Nakahata

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B25/00 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14

CPC分类号： C30B23/00 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/28 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02617 ,  Y10T428/24471

摘要： There are provided a method for manufacturing a Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate having a reduced number of cracks and high processability, a method for manufacturing an epitaxial wafer, a Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate, and an epitaxial wafer.A method for manufacturing a Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate 10a includes the following steps. First, a Si substrate 11 is prepared. A Si(1-v-w-x)CwAlxNv layer (0

摘要翻译： 提供了具有减少的裂纹数和加工性能降低的Si（1-v-w-x）C w Al x N v衬底的制造方法，外延晶片的制造方法，Si（1-v-w-x）C w Al x N v衬底和外延晶片。 制造Si（1-v-w-x）C w Al x N v衬底10a的方法包括以下步骤。 首先，准备Si基板11。 然后在Si衬底上，在低于1℃的温度下生长Si（1-vwx）C w Al x N v层（0

公开(公告)号：US20110114016A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US13003961

申请日：2009-07-16

申请人： Michimasa Miyanaga ,  Naho Mizuhara ,  Keisuke Tanizaki ,  Issei Satoh ,  Hideaki Nakahata

发明人： Michimasa Miyanaga ,  Naho Mizuhara ,  Keisuke Tanizaki ,  Issei Satoh ,  Hideaki Nakahata

IPC分类号： C30B25/20 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02

CPC分类号： H01L21/02389 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0254

摘要： There is provided an AlGaN bulk crystal manufacturing method for manufacturing a high-quality AlGaN bulk crystal having a large thickness. Also, there is provided an AlGaN substrate manufacturing method for manufacturing a high-quality AlGaN substrate. The AlGaN bulk crystal manufacturing method includes the following steps: First, a support substrate composed of AlaGa(1-a)N (0

摘要翻译： 提供了一种用于制造厚度较大的高质量AlGaN块状晶体的AlGaN块状晶体制造方法。 此外，提供了用于制造高质量AlGaN衬底的AlGaN衬底制造方法。 AlGaN块状晶体的制造方法包括以下步骤：首先，制备由AlaGa（1-a）N（0

公开(公告)号：US20110076453A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12994767

申请日：2009-05-25

申请人： Satoshi Arakawa ,  Takashi Sakurada ,  Michimasa Miyanaga ,  Keisuke Tanizaki ,  Naho Mizuhara ,  Issei Satoh ,  Hideaki Nakahata

发明人： Satoshi Arakawa ,  Takashi Sakurada ,  Michimasa Miyanaga ,  Keisuke Tanizaki ,  Naho Mizuhara ,  Issei Satoh ,  Hideaki Nakahata

IPC分类号： B32B3/00 ,  B32B5/00 ,  C04B35/581

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  Y10T428/24355

摘要： Affords an AlxGa1-xN single crystal suitable as an electromagnetic wave transmission body, and an electromagnetic wave transmission body that includes the AlxGa1-xN single crystals.The AlxGa1-xN (0

摘要翻译： 提供适合作为电磁波传播体的Al x Ga 1-x N单晶，以及包含Al x Ga 1-x N单晶的电磁波透过体。 Al x Ga 1-x N（0

公开(公告)号：US20110042788A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12989039

申请日：2009-04-17

申请人： Issei Satoh ,  Michimasa Miyanaga ,  Shinsuke Fujiwara ,  Hideaki Nakahata

发明人： Issei Satoh ,  Michimasa Miyanaga ,  Shinsuke Fujiwara ,  Hideaki Nakahata

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L21/36 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/267 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631

摘要： Si(1-v-w-x)CwAlxNv crystals in a mixed crystal state are formed. A method for manufacturing an easily processable Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate, a method for manufacturing an epitaxial wafer, a Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate, and an epitaxial wafer are provided.A method for manufacturing a Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate 10a includes the following steps. First, a Si substrate 11 is prepared. A Si(1-v-w-x)CwAlxNv layer 12 (0

摘要翻译： 形成混晶的Si（1-v-w-x）C w Al x N v晶体。 提供了一种用于制造易加工的Si（1-v-w-x）C w Al x N v衬底的方法，制造外延晶片的方法，Si（1-v-w-x）C w Al x N v衬底和外延晶片。 制造Si（1-v-w-x）C w Al x N v衬底10a的方法包括以下步骤。 首先，准备Si基板11。 然后在Si衬底11上生长Si（1-vwx）C w Al x N v层12（0