利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

100 条记录 (耗时 0.019 秒)

    CVD APPARATUS AND METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR SUPERLATTICE STRUCTURE USING THE SAME
    43.
    发明申请
    CVD APPARATUS AND METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR SUPERLATTICE STRUCTURE USING THE SAME 有权
    CVD装置和使用其形成半导体超导结构的方法

    公开(公告)号：US20120171815A1

    公开(公告)日：2012-07-05

    申请号：US13276729

    申请日：2011-10-19

    申请人： Jong Sun MAENG ,  Ki Sung Kim ,  Bum Joon Kim ,  Suk Ho Yoon ,  Hyun Seok Ryu ,  Sung Tae Kim

    发明人： Jong Sun MAENG ,  Ki Sung Kim ,  Bum Joon Kim ,  Suk Ho Yoon ,  Hyun Seok Ryu ,  Sung Tae Kim

    IPC分类号： H01L21/50 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455

    CPC分类号： C23C16/303 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

    摘要： Provided is a chemical vapor deposition (CVD) apparatus, including: a reaction chamber including an inner pipe having an internal space, and an external pipe configured to cover the inner pipe so as to maintain a sealing state thereof; a wafer holder disposed within the inner pipe and receiving a plurality of wafers stacked therein; and a gas supplier including at least one stem pipe disposed at the outside of the reaction chamber so as to supply a reactive gas thereto, a plurality of branch pipes connected to the stem pipe to introduce the reactive gas from the outside of the reaction chamber into the reaction chamber, and a plurality of spray nozzles provided with the branch pipes to spray the reactive gas to the plurality of respective wafers.

    摘要翻译： 提供了一种化学气相沉积（CVD）装置，包括：反应室，包括具有内部空间的内管，以及外管，其构造成覆盖内管以保持其密封状态; 设置在所述内管内并且容纳堆叠在其中的多个晶片的晶片保持器; 以及气体供给器，其包括设置在反应室外侧的至少一个杆管，以便向其供应反应性气体;多个分支管，连接到杆管，以将反应气体从反应室的外部引入到 反应室，以及设置有分支管的多个喷嘴，以将反应气体喷射到多个相应的晶片。

    Nonvolatile memory devices using variable resistive elements
    44.
    发明授权
    Nonvolatile memory devices using variable resistive elements 有权
    使用可变电阻元件的非易失性存储器件

    公开(公告)号：US08184468B2

    公开(公告)日：2012-05-22

    申请号：US12453529

    申请日：2009-05-14

    申请人： Ki-Sung Kim ,  Byung-Gil Choi ,  Young-Ran Kim ,  Jong-Chul Park

    发明人： Ki-Sung Kim ,  Byung-Gil Choi ,  Young-Ran Kim ,  Jong-Chul Park

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0023 ,  G11C8/10 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0026 ,  G11C2213/72

    摘要： A nonvolatile memory device using a variable resistive element is provided. The nonvolatile memory device may include a memory cell array which includes an array of multiple nonvolatile memory cells having variable resistance levels depending on data stored. Word lines may be coupled with each column of the nonvolatile memory cells. Local bit lines may be coupled with each row of the nonvolatile memory cells. Global bit lines may be selectively coupled with the multiple local bit lines.

    摘要翻译： 提供了使用可变电阻元件的非易失性存储器件。 非易失性存储器件可以包括存储单元阵列，其包括具有取决于存储的数据的可变电阻等级的多个非易失性存储单元的阵列。 字线可以与非易失性存储单元的每一列耦合。 局部位线可以与非易失性存储器单元的每一行耦合。 全局位线可以选择性地与多个局部位线耦合。

    Surface emitting laser device having double channeled structure
    47.
    发明授权
    Surface emitting laser device having double channeled structure 有权
    具有双沟道结构的表面发射激光器件

    公开(公告)号：US07539229B2

    公开(公告)日：2009-05-26

    申请号：US11193411

    申请日：2005-08-01

    申请人： Taek Kim ,  Ki-sung Kim

    发明人： Taek Kim ,  Ki-sung Kim

    IPC分类号： H01S5/00

    CPC分类号： H01S5/18311 ,  H01S3/109 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18333 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/2072 ,  H01S5/3095

    摘要： Embodiments provide a vertical external cavity surface emitting laser (VECSEL) that may provide a uniform current density in an active layer using a double current injecting channel. The surface emitting laser device may include a double channel current injection structure for uniformly applying current to an active layer, wherein the double channel current injection structure may include: a first current injection channel, which may allow current to be injected toward a central portion of an aperture, which may be a light beam output region formed in the active layer, and may have a smaller diameter than the aperture: and a second current injection channel, which may allow current to be injected toward an edge of the aperture and may be located around the aperture.

    摘要翻译： 实施例提供了可以使用双电流注入通道在有源层中提供均匀电流密度的垂直外腔表面发射激光器（VECSEL）。 表面发射激光器件可以包括用于均匀地向有源层施加电流的双通道电流注入结构，其中双通道电流注入结构可以包括：第一电流注入通道，其可以允许电流朝向 孔可以是形成在有源层中的光束输出区，并且可以具有比孔小的直径;以及第二电流注入通道，其可以允许电流朝向孔的边缘注入，并且可以是 位于光圈周围。