公开(公告)号：US20150162111A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：US14101668

申请日：2013-12-10

Applicant: Intermolecular, Inc.

Inventor： Guowen Ding ,  Minh Huu Le

IPC: H01B5/14 ,  C23C14/14 ,  H01B1/02

CPC classification number: C23C14/14 ,  C23C14/205 ,  C23C14/3464 ,  H01B1/02 ,  Y10T428/12569 ,  Y10T428/12597

Abstract: Embodiments provided herein describe transparent conductive films and methods for forming transparent conductive films. A transparent substrate is provided. A first layer is formed above the transparent substrate. The first layer includes nickel. A second layer is formed above the first layer. The second layer includes silver and palladium. A third layer is formed above the second layer. The third layer comprises nickel.

Abstract translation: 本文提供的实施例描述了透明导电膜和用于形成透明导电膜的方法。 提供透明基板。 在透明基板的上方形成第一层。 第一层包括镍。 在第一层上方形成第二层。 第二层包括银和钯。 在第二层上方形成第三层。 第三层包括镍。

公开(公告)号：US08900423B2

公开(公告)日：2014-12-02

申请号：US13715988

申请日：2012-12-14

Applicant: Intermolecular, Inc.

Inventor： Guowen Ding ,  Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Minh Huu Le ,  Zhi-Wen Sun ,  Yu Wang

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/18 ,  C23C14/34 ,  C01B35/10 ,  B05D5/06 ,  G02B1/11

CPC classification number: B05D5/061 ,  C01B35/10 ,  C03C17/245 ,  C03C2217/21 ,  C03C2217/732 ,  C03C2218/155 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/18 ,  C23C14/34 ,  G02B1/113

Abstract: A method for forming boron oxide films formed using reactive sputtering. The boron oxide films are candidates as an anti-reflection coating. Boron oxide films with a refractive index of about 1.38 can be formed. The boron oxide films can be formed using power densities between 2 W/cm2 and 11 W/cm2 applied to the target. The oxygen in the reactive sputtering atmosphere can be between 40 volume % and 90 volume %.

Abstract translation: 一种用反应溅射形成氧化硼膜的方法。 氧化硼膜是抗反射涂层的候选物。 可以形成折射率为约1.38的氧化硼膜。 可以使用施加到目标的2W / cm 2和11W / cm 2之间的功率密度来形成氧化硼膜。 反应性溅射气氛中的氧可以在40体积％至90体积％之间。

公开(公告)号：US20140272395A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US14203182

申请日：2014-03-10

Applicant: Intermolecular Inc.

Inventor： Guowen Ding ,  Jeremy Cheng ,  Tong Ju ,  Minh Huu Le ,  Daniel Schweigert ,  Zhi-Wen Wen Sun ,  Yongli Xu ,  Guizhen Zhang

IPC: C03C17/36

CPC classification number: G02B5/208 ,  B29D11/00865 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C03C17/3681 ,  C03C23/007 ,  C03C2217/43 ,  C03C2217/48 ,  C03C2218/154 ,  C23C14/083 ,  C23C14/085 ,  C23C14/14 ,  C23C14/22 ,  E06B9/24 ,  E06B2009/2417 ,  E06B2009/2464 ,  G02B5/26 ,  G02F1/091 ,  G02F2001/094 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265

Abstract: Disclosed herein are systems, methods, and apparatus for forming low emissivity panels that may include a first reflective layer, a second reflective layer, and a spacer layer disposed between the first reflective layer and the second reflective layer. In some embodiments, the spacer layer may have a thickness of between about 20 nm and 90 nm. The spacer layer may include a bi-metal oxide that may include tin, and may further include one of zinc, aluminum, or magnesium. The spacer layer may have a substantially amorphous structure. Moreover, the spacer layer may have a substantially uniform composition throughout the thickness of the spacer layer. The low emissivity panel may be configured to have a color change as determined by Rg ΔE (i.e. as determined on the glass side) that is less than about 1.7 in response to an application of a heat treatment to the low emissivity panel.

Abstract translation: 本文公开了用于形成低辐射率面板的系统，方法和装置，其可以包括设置在第一反射层和第二反射层之间的第一反射层，第二反射层和间隔层。 在一些实施例中，间隔层可以具有在约20nm和90nm之间的厚度。 间隔层可以包括可以包括锡的双金属氧化物，并且还可以包括锌，铝或镁中的一种。 间隔层可以具有基本上无定形的结构。 此外，间隔层可以在间隔层的整个厚度上具有基本均匀的组成。 低发射率面板可以被配置为响应于对低发射率面板的热处理的应用而具有小于约1.7的由Rg＆Dgr; E（即，在玻璃面上确定）确定的颜色变化。

公开(公告)号：US20140186598A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：US13728042

申请日：2012-12-27

Applicant: Intermolecular Inc.

Inventor： Guowen Ding ,  Brent Boyce ,  Muhammad Imran ,  Minh Huu Le ,  Zhi-Wen Wen Sun ,  Yu Wang ,  Yongli Xu

IPC: C03C17/34

CPC classification number: C03C17/36 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C03C17/3681 ,  C03C2217/734 ,  Y10T428/24975

Abstract: Low emissivity coated panels can be fabricated using a base layer having a low refractive index layer on a high refractive index layer. The low refractive index layer can have refractive index less than 1.5, and can include Mg F2, CaF2, SiO2, or BO. The high refractive index layer can have refractive index greater than 2.3, and can include TiOx, NbOx, or BiOx. The multilayer base structure can allow color tuning with enhanced transmission, for example, as compared to similar structures having single layer base layer.

Abstract translation: 可以使用在高折射率层上具有低折射率层的基底层来制造低发射率涂层面板。 低折射率层可以具有小于1.5的折射率，并且可以包括MgF 2，CaF 2，SiO 2或BO。 高折射率层可以具有大于2.3的折射率，并且可以包括TiO x，NbO x或BiO x。 与具有单层基底层的类似结构相比，多层基底结构可以允许具有增强的透射率的颜色调节。

公开(公告)号：US20140177042A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：US13725126

申请日：2012-12-21

Applicant: Guardian Industries Corp. ,  Intermolecular Inc.

Inventor： Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Brent Boyce ,  Guowen Ding ,  Minh Huu Le ,  Zhi-Wen Wen Sun ,  Yu Wang ,  Yongli Xu

IPC: G02B5/20

CPC classification number: G02B5/208 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3652 ,  C03C17/366 ,  C03C17/40 ,  G02B5/282

Abstract: A method for making low emissivity panels, including control the composition of a barrier layer formed on a thin conductive silver layer. The barrier structure can include an alloy of a first element having high oxygen affinity with a second element having low oxygen affinity. The first element can include Ta, Nb, Zr, Hf, Mn, Y, Si, and Ti, and the second element can include Ru, Ni, Co, Mo, and W, which can have low oxygen affinity property. The alloy barrier layer can reduce optical absorption in the visible range, can provide color-neutral product, and can improve adhesion to the silver layer.

Abstract translation: 一种制造低发射率面板的方法，包括控制形成在薄导电银层上的阻挡层的组成。 阻挡结构可以包括具有高氧亲和力的第一元素与具有低氧亲合力的第二元素的合金。 第一元素可以包括Ta，Nb，Zr，Hf，Mn，Y，Si和Ti，第二元素可以包括可以具有低氧亲和性的Ru，Ni，Co，Mo和W。 合金阻挡层可以减少可见光范围内的光吸收，可以提供颜色中性的产品，并可以提高对银层的粘附性。

公开(公告)号：US20140170422A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：US13715588

申请日：2012-12-14

Applicant: INTERMOLECULAR INC.

Inventor： Yu Wang ,  Brent Boyce ,  Guowen Ding ,  Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Minh Huu Le ,  Haifan Liang ,  Zhi-Wen Wen Sun

IPC: G02B1/10

CPC classification number: G02B1/10 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C03C2217/94 ,  G02B1/116 ,  G02B5/282

Abstract: A method for making low emissivity panels, including forming a base layer to promote a seed layer for a conductive silver layer. The base layer can be an amorphous layer or a nanocrystalline layer, which can facilitate zinc oxide seed layer growth, together with smoother surface and improved thermal stability. The base layer can include doped tin oxide, for example, tin oxide doped with Al, Ga, In, Mg, Ca, Sr, Sb, Bi, Ti, V, Y, Zr, Nb, Hf, Ta, or any combination thereof. The doped tin oxide base layer can influence the growth of (002) crystallographic orientation in zinc oxide, which in turn serves as a seed layer template for silver (111).

Abstract translation: 一种制造低发射率面板的方法，包括形成基底层以促进导电银层的种子层。 基层可以是非晶层或纳米晶层，其可以促进氧化锌种子层生长，以及更平滑的表面和改善的热稳定性。 基底层可以包括掺杂的氧化锡，例如掺杂有Al，Ga，In，Mg，Ca，Sr，Sb，Bi，Ti，V，Y，Zr，Nb，Hf，Ta或其任何组合的氧化锡 。 掺杂的氧化锡基层可以影响氧化锌中（002）晶体取向的生长，其又用作银（111）的种子层模板。

公开(公告)号：US20140170421A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：US13715396

申请日：2012-12-14

Applicant: INTERMOLECULAR INC.

Inventor： Guowen Ding ,  Brent Boyce ,  Minh Huu Le ,  Zhi-Wen Wen Sun ,  Yu Wang ,  Yongli Xu

IPC: B05D5/06

CPC classification number: G02B1/10 ,  B05D5/063 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C23C14/083 ,  C23C14/3464 ,  G02B1/116 ,  G02B5/285

Abstract: Embodiments provided herein describe low-e panels and methods for forming low-e panels. A transparent substrate is provided. A reflective layer is formed above the transparent substrate. A titanium-yttrium oxide layer is deposited above the transparent substrate, or above the transparent substrate and the reflective layer, which may enhance optical performance.

Abstract translation: 本文提供的实施例描述了用于形成低e板的低e板和方法。 提供透明基板。 在透明基板的上方形成反射层。 在透明基板的上方或透明基板和反射层上方沉积钛 - 钇氧化物层，这可以增强光学性能。

公开(公告)号：US20140170338A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：US13714797

申请日：2012-12-14

Applicant: INTERMOLECULAR INC.

Inventor： Guowen Ding ,  Brent Boyce ,  Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Minh Huu Le ,  Zhi-Wen Wen Sun ,  Yu Wang

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3492 ,  C23C14/024 ,  C23C14/185

Abstract: A method for making low emissivity panels, including control the ion characteristics, such as ion energy, ion density and ion to neutral ratio, in a sputter deposition process of a layer deposited on a thin conductive silver layer. The ion control can prevent or minimize degrading the quality of the conductive silver layer, which can lead to better transmittance in visible regime, block more heat transfer from the low emissivity panels, and potentially can reduce the requirements for other layers, so that the overall performance, such as durability, could be improved.

Abstract translation: 在沉积在薄导电银层上的层的溅射沉积工艺中，制备低辐射率面板的方法，包括控制离子特性，例如离子能量，离子密度和离子与中性比。 离子控制可以防止或最小化降低导电银层的质量，这可以导致在可见状态下更好的透射率，阻止来自低辐射面板的更多的热传递，并且潜在地可以减少对其它层的要求，使得整体 可以提高性能，如耐久性。

公开(公告)号：US20140170049A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：US13715988

申请日：2012-12-14

Applicant: INTERMOLECULAR, INC.

Inventor： Guowen Ding ,  Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Minh Huu Le ,  Zhi-Wen Sun ,  Yu Wang

IPC: B05D5/06 ,  G02B1/11

CPC classification number: B05D5/061 ,  C01B35/10 ,  C03C17/245 ,  C03C2217/21 ,  C03C2217/732 ,  C03C2218/155 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/18 ,  C23C14/34 ,  G02B1/113

Abstract: A method for forming boron oxide films formed using reactive sputtering. The boron oxide films are candidates as an anti-reflection coating. Boron oxide films with a refractive index of about 1.38 can be formed. The boron oxide films can be formed using power densities between 2 W/cm2 and 11 W/cm2 applied to the target. The oxygen in the reactive sputtering atmosphere can be between 40 volume % and 90 volume %.

Abstract translation: 一种用反应溅射形成氧化硼膜的方法。 氧化硼膜是抗反射涂层的候选物。 可以形成折射率为约1.38的氧化硼膜。 可以使用施加到目标的2W / cm 2和11W / cm 2之间的功率密度来形成氧化硼膜。 反应性溅射气氛中的氧可以在40体积％至90体积％之间。

公开(公告)号：US20130122643A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：US13738931

申请日：2013-01-10

Applicant: Intermolecular, Inc.

Inventor： Guowen Ding ,  Minh Huu Le ,  Guizhen Zhang

IPC: H01L31/032

CPC classification number: H01L31/0324 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/5866 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: Methods for forming Cu—In—Ga—N (CIGN) layers for use in TFPV solar panels are described using reactive PVD deposition in a nitrogen containing atmosphere. In some embodiments, the CIGN layers can be used as an absorber layer and eliminate the need of a selenization step. In some embodiments, the CIGN layers can be used as a protective layer to decrease the sensitivity of the CIG layer to oxygen or moisture before the selenization step. In some embodiments, the CIGN layers can be used as an adhesion layer to improve the adhesion between the back contact layer and the absorber layer.

Abstract translation: 在含氮气氛中使用反应性PVD沉积描述了用于TFPV太阳能电池板中形成Cu-In-Ga-N（CIGN）层的方法。 在一些实施方案中，CIGN层可以用作吸收层，并且不需要硒化步骤。 在一些实施方案中，CIGN层可用作保护层，以在硒化步骤之前降低CIG层对氧或水分的敏感性。 在一些实施方案中，CIGN层可以用作粘合层以改善背接触层和吸收层之间的粘附。