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41.发明申请SPUTTERING TARGET, METHOD FOR FORMING AMORPHOUS OXIDE THIN FILM USING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR 有权溅射目标，使用其形成非晶氧化物薄膜的方法以及制造薄膜晶体管的方法公开(公告)号：US20110177696A1
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：US12993946
申请日：2009-05-22
申请人： Koki Yano , Hirokazu Kawashima , Kazuyoshi Inoue
发明人： Koki Yano , Hirokazu Kawashima , Kazuyoshi Inoue
CPC分类号： H01L29/24 , B82Y30/00 , C04B35/2675 , C04B35/44 , C04B35/453 , C04B35/645 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3244 , C04B2235/3272 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/40 , C04B2235/404 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/666 , C04B2235/725 , C04B2235/77 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , Y10T428/24355
摘要： Disclosed is a sputtering target having a good appearance, which is free from white spots on the surface. The sputtering target is characterized by being composed of an oxide sintered body containing two or more kinds of homologous crystal structures.
摘要翻译： 公开了具有良好外观的溅射靶，其表面上没有白点。 溅射靶的特征在于由含有两种以上同种晶体结构的氧化物烧结体构成。
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42.发明申请In-Ga-O OXIDE SINTERED BODY, TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR 审中-公开In-Ga-O氧化物烧结体，靶，氧化物半导体薄膜及其制造方法公开(公告)号：US20120292617A1
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：US13522198
申请日：2011-01-14
申请人： Kazuaki Ebata , Shigekazu Tomai , Koki Yano
发明人： Kazuaki Ebata , Shigekazu Tomai , Koki Yano
CPC分类号： C04B35/01 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/664 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , C04B2235/963 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C23C14/35 , C23C14/5806 , C23C14/5813 , C23C14/5826 , C23C14/5873 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要： An oxide sintered body including indium oxide of which the crystal structure substantially includes a bixbyite structure, wherein gallium atoms are solid-saluted in the indium oxide, and an atomic ratio Ga/(Ga+In) is 0.10 to 0.15.
摘要翻译： 氧化物烧结体，其包含氧化铟，其晶体结构基本上包含双氧晶体结构，其中镓原子在氧化铟中固体致冷，原子比Ga /（Ga + In）为0.10〜0.15。
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公开(公告)号：US20140014500A1
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：US14006851
申请日：2012-03-26
申请人： Shigekazu Tomai , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano , Makoto Ando , Kazuaki Ebata , Masayuki Itose
发明人： Shigekazu Tomai , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano , Makoto Ando , Kazuaki Ebata , Masayuki Itose
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B2235/3217 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要： A sintered body which includes at least indium oxide and gallium oxide and comprises voids each having a volume of 14000 μm3 or more in an amount of 0.03 vol % or less.
摘要翻译： 至少包含氧化铟和氧化镓的烧结体，其含有0.03体积％以下的体积为14000m 3以上的空隙。
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公开(公告)号：US20130140502A1
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：US13700789
申请日：2011-06-01
申请人： Shigekazu Tomai , Kazuaki Ebata , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano
发明人： Shigekazu Tomai , Kazuaki Ebata , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano
CPC分类号： H01L49/02 , C04B35/01 , C04B35/6262 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6583 , C04B2235/6588 , C04B2235/665 , C04B2235/666 , C04B2235/70 , C04B2235/728 , C04B2235/761 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： An oxide sintered body including an oxide of indium (In), gallium (Ga), and positive trivalent and/or positive tetravalent metal X, wherein the amount of the metal X relative to the total amount of In and Ga is 100 to 10000 ppm (weight).
摘要翻译： 包含铟（In），镓（Ga）和正三价和/或正四价金属X的氧化物的氧化物烧结体，其中金属X相对于In和Ga的总量的量为100至10000ppm （重量）。
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45.发明申请LAMINATE STRUCTURE INCLUDING OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM LAYER, AND THIN FILM TRANSISTOR 有权包括氧化物半导体薄膜层和薄膜晶体管的层压结构公开(公告)号：US20130221351A1
公开(公告)日：2013-08-29
申请号：US13881032
申请日：2011-12-27
申请人： Kazuaki Ebata , Shigekazu Tomai , Yuki Tsuruma , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano
发明人： Kazuaki Ebata , Shigekazu Tomai , Yuki Tsuruma , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/66
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/086 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/66742 , H01L29/66969
摘要： A stacked layer structure including an oxide layer and an insulating layer, the oxide layer having a carrier concentration of 1018/cm3 or less and an average crystal diameter of 1 μm or more; and the crystals of the oxide layer being arranged in a columnar shape on the surface of the insulating layer.
摘要翻译： 包括氧化物层和绝缘层的堆叠层结构，所述氧化物层的载流子浓度为1018 / cm3以下，平均结晶直径为1μm以上; 并且氧化物层的晶体在绝缘层的表面上以柱状排列。
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公开(公告)号：US09243318B2
公开(公告)日：2016-01-26
申请号：US14006851
申请日：2012-03-26
申请人： Shigekazu Tomai , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano , Makoto Ando , Kazuaki Ebata , Masayuki Itose
发明人： Shigekazu Tomai , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano , Makoto Ando , Kazuaki Ebata , Masayuki Itose
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B2235/3217 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要： A sintered body which includes at least indium oxide and gallium oxide and comprises voids each having a volume of 14000 μm3 or more in an amount of 0.03 vol % or less.
摘要翻译： 至少包含氧化铟和氧化镓的烧结体，其含有0.03体积％以下的体积为14000μm3以上的空隙。
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47.发明授权Laminate structure including oxide semiconductor thin film layer, and thin film transistor 有权叠层结构包括氧化物半导体薄膜层和薄膜晶体管公开(公告)号：US08785927B2
公开(公告)日：2014-07-22
申请号：US13881032
申请日：2011-12-27
申请人： Kazuaki Ebata , Shigekazu Tomai , Yuki Tsuruma , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano
发明人： Kazuaki Ebata , Shigekazu Tomai , Yuki Tsuruma , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano
IPC分类号： H01L29/12
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/086 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/66742 , H01L29/66969
摘要： A stacked layer structure including an oxide layer and an insulating layer, the oxide layer having a carrier concentration of 1018/cm3 or less and an average crystal diameter of 1 μm or more; and the crystals of the oxide layer being arranged in a columnar shape on the surface of the insulating layer.
摘要翻译： 包括氧化物层和绝缘层的堆叠层结构，所述氧化物层的载流子浓度为1018 / cm3以下，平均晶体直径为1μm以上; 并且氧化物层的晶体在绝缘层的表面上以柱状排列。
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公开(公告)号：US20140103268A1
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：US14116322
申请日：2012-05-07
申请人： Masayuki Itose , Mami Nishimura , Misa Sunagawa , Masashi Kasami , Koki Yano
发明人： Masayuki Itose , Mami Nishimura , Misa Sunagawa , Masashi Kasami , Koki Yano
CPC分类号： H01L29/242 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/963 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要： A sputtering target including indium (In), tin (Sn) and zinc (Zn) and an oxide including one or more elements X selected from the following group X, the atomic ratio of the elements satisfying the following formulas (1) to (4): Group X: Mg, Si, Al, Sc, Ti, Y, Zr, Hf, Ta, La, Nd, Sm 0.10≦In/(In+Sn+Zn)≦0.85 (1) 0.01≦Sn/(In+Sn+Zn)≦0.40 (2) 0.10≦Zn/(In+Sn+Zn)≦0.70 (3) 0.70≦In/(In+X)≦0.99 (4)
摘要翻译： 包括铟（In），锡（Sn）和锌（Zn）的溅射靶和包含选自下列X族的一种或多种元素X的氧化物，满足下式（1）至（4）的元素的原子比 ）：组X：Mg，Si，Al，Sc，Ti，Y，Zr，Hf，Ta，La，Nd，Sm 0.10＆nlE; In /（In + Sn + Zn）＆nlE; 0.85（1）0.01＆ /(In + Sn+Zn）≤nlE;0.40（2）0.10＆nlE; Zn /（In + Sn + Zn）＆nlE; 0.70（3）0.70＆lt; In /（In + X）＆nlE; 0.99（4）
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49.发明申请In-Ga-Sn OXIDE SINTER, TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT 有权In-Ga-Sn氧化物锡，靶，氧化物半导体膜和半导体元件公开(公告)号：US20120313057A1
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：US13580355
申请日：2011-02-22
申请人： Masayuki Itose , Mami Nishimura , Masashi Kasami , Koki Yano
发明人： Masayuki Itose , Mami Nishimura , Masashi Kasami , Koki Yano
CPC分类号： C04B35/01 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/62675 , C04B35/62695 , C04B37/026 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6585 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/95 , C04B2237/02 , C04B2237/10 , C04B2237/34 , C04B2237/407 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要： An oxide sintered body including indium element (In), gallium element (Ga) and tin element (Sn) in atomic ratios represented by the following formulas (1) to (3): 0.10≦In/(In+Ga+Sn)≦0.60 (1) 0.10≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.55 (2) 0.0001
摘要翻译： 包含由下式（1）〜（3）表示的原子比的铟元素（In），镓元素（Ga）和锡元素（Sn）的氧化物烧结体：0.10＆nlE; In /（In + Ga + Sn） ＆nlE; 0.60（1）0.10＆nlE; Ga /（In + Ga + Sn）＆nlE; 0.55（2）0.0001
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公开(公告)号：US09214519B2
公开(公告)日：2015-12-15
申请号：US14116322
申请日：2012-05-07
申请人： Masayuki Itose , Mami Nishimura , Misa Sunagawa , Masashi Kasami , Koki Yano
发明人： Masayuki Itose , Mami Nishimura , Misa Sunagawa , Masashi Kasami , Koki Yano
IPC分类号： H01B1/02 , H01L29/24 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/242 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/963 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要： A sputtering target including indium (In), tin (Sn) and zinc (Zn) and an oxide including one or more elements X selected from the following group X, the atomic ratio of the elements satisfying the following formulas (1) to (4): Group X: Mg, Si, Al, Sc, Ti, Y, Zr, Hf, Ta, La, Nd, Sm 0.10≦In/(In+Sn+Zn)≦0.85 (1) 0.01≦Sn/(In+Sn+Zn)≦0.40 (2) 0.10≦Zn/(In+Sn+Zn)≦0.70 (3) 0.70≦In/(In+X)≦0.99 (4).
摘要翻译： 包括铟（In），锡（Sn）和锌（Zn）的溅射靶和包含选自下列X族的一种或多种元素X的氧化物，满足下式（1）至（4）的元素的原子比 ）：组X：Mg，Si，Al，Sc，Ti，Y，Zr，Hf，Ta，La，Nd，Sm 0.10＆nlE; In /（In + Sn + Zn）＆nlE; 0.85（1）0.01＆ /(In+Sn+Zn)≦̸0.40（2）0.10＆nlE; Zn /（In + Sn + Zn）＆nlE; 0.70（3）0.70＆lt; In /（In + X）＆nlE; 0.99（4）。
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