公开(公告)号：US08426892B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US12034273

申请日：2008-02-20

申请人： Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa

发明人： Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L29/267 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/66431 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/107 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/2203 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/812

摘要： A compound semiconductor device has a buffer layer formed on a conductive SiC substrate, an AlxGa1-xN layer formed on the buffer layer in which an impurity for reducing carrier concentration from an unintentionally doped donor impurity is added and in which the Al composition x is 0

摘要翻译： 化合物半导体器件具有形成在导电性SiC衬底上的缓冲层，形成在缓冲层上的Al x Ga 1-x N层，其中添加用于降低来自无意掺杂的施主杂质的载流子浓度的杂质，其中Al组分x为0

公开(公告)号：US07795622B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US12059708

申请日：2008-03-31

申请人： Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi

发明人： Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

摘要： A compound semiconductor device having a transistor structure, includes a substrate, a first layer formed on the substrate and comprising GaN, a second layer formed over the first layer and containing InN whose lattice constant is larger than the first layer, a third layer formed over the second layer and comprising GaN whose energy bandgap is smaller than the second layer, and a channel region layer formed on the third layer.

摘要翻译： 具有晶体管结构的化合物半导体器件包括衬底，形成在衬底上并包含GaN的第一层，形成在第一层上并包含晶格常数大于第一层的InN的第二层，形成在第三层上的第三层 第二层并且包括其能带隙小于第二层的GaN，以及形成在第三层上的沟道区层。

公开(公告)号：US20090176352A1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：US12379968

申请日：2009-03-05

申请人： Mitsunori Yokoyama ,  Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa

发明人： Mitsunori Yokoyama ,  Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： A semiconductor device includes a substrate, a buffer layer that is formed with an aluminum nitride layer on the substrate and has a film thickness of 5 nm to 40 nm, an operating layer that is formed with a gallium nitride-based semiconductor on the buffer layer, and a control electrode that is formed on the operating layer.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底，在衬底上形成有氮化铝层并且具有5nm至40nm的膜厚度的缓冲层，在缓冲层上形成有氮化镓基半导体的工作层 以及形成在操作层上的控制电极。

公开(公告)号：US08507329B2

公开(公告)日：2013-08-13

申请号：US13591401

申请日：2012-08-22

申请人： Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi

发明人： Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi

IPC分类号： H01L21/8232

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： A compound semiconductor device is provided with a substrate, an AlN layer formed over the substrate, an AlGaN layer formed over the AlN layer and larger in electron affinity than the AlN layer, another AlGaN layer formed over the AlGaN layer and smaller in electron affinity than the AlGaN layer. Furthermore, there are provided an i-GaN layer formed over the latter AlGaN layer, and an i-AlGaN layer and an n-AlGaN layer formed over the i-GaN layer.

摘要翻译： 化合物半导体器件设置有衬底，在衬底上形成的AlN层，在AlN层上形成的AlGaN层和比AlN层更大的电子亲和力，在AlGaN层上形成另一AlGaN层，并且电子亲和力小于 AlGaN层。 此外，提供了形成在后面的AlGaN层上的i-GaN层，以及在i-GaN层上形成的i-AlGaN层和n-AlGaN层。

公开(公告)号：US08440549B2

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：US13237084

申请日：2011-09-20

申请人： Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Takeshi Tanaka ,  Yoshihiko Moriya ,  Yohei Otoki

发明人： Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Takeshi Tanaka ,  Yoshihiko Moriya ,  Yohei Otoki

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： A semiconductor epitaxial substrate includes: a single crystal substrate; an AlN layer epitaxially grown on the single crystal substrate; and a nitride semiconductor layer epitaxially grown on the AlN layer, wherein an interface between the AlN layer and nitride semiconductor layer has a larger roughness than an interface between the single crystal substrate and AlN layer, and a skewness of the upper surface of the AlN layer is positive.

摘要翻译： 半导体外延基板包括：单晶基板; 在单晶衬底上外延生长的AlN层; 以及在所述AlN层上外延生长的氮化物半导体层，其中，所述AlN层与所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度大于所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面，并且所述AlN层的上表面的倾斜度 是积极的。

公开(公告)号：US08264006B2

公开(公告)日：2012-09-11

申请号：US12772624

申请日：2010-05-03

申请人： Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Takeshi Tanaka ,  Yoshihiko Moriya ,  Yohei Otoki

发明人： Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Takeshi Tanaka ,  Yoshihiko Moriya ,  Yohei Otoki

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： A semiconductor epitaxial substrate includes: a single crystal substrate; an AlN layer epitaxially grown on the single crystal substrate; and a nitride semiconductor layer epitaxially grown on the AlN layer, wherein an interface between the AlN layer and nitride semiconductor layer has a larger roughness than an interface between the single crystal substrate and AlN layer, and a skewness of the upper surface of the AlN layer is positive.

摘要翻译： 半导体外延基板包括：单晶基板; 在单晶衬底上外延生长的AlN层; 以及在所述AlN层上外延生长的氮化物半导体层，其中，所述AlN层与所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度大于所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面，并且所述AlN层的上表面的倾斜度 是积极的。

公开(公告)号：US20120139038A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13238258

申请日：2011-09-21

申请人： Kenji IMANISHI ,  Toshihide Kikkawa

发明人： Kenji IMANISHI ,  Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/205 ,  H01L21/336 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L29/201 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： A first AlGaN layer formed over a substrate, a second AlGaN layer formed over the first AlGaN layer, an electron transit layer formed over the second AlGaN layer, and an electron supply layer formed over the electron transit layer are provided. A relationship of “0≦x1

摘要翻译： 提供了形成在衬底上的第一AlGaN层，形成在第一AlGaN层上的第二AlGaN层，形成在第二AlGaN层上的电子迁移层以及形成在电子迁移层上的电子供应层。 当第一AlGaN层的组成由Al x Ga 1-x N N表示，并且第二AlGaN层的组成由Al x Ga 1-x 2 N表示时，找到“0＆nlE; x1

公开(公告)号：US20110297957A1

公开(公告)日：2011-12-08

申请号：US13209882

申请日：2011-08-15

申请人： Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi

发明人： Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi

IPC分类号： H01L29/205

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

摘要： A method for manufacturing a compound semiconductor structure, includes (a) selecting a conductive SiC substrate in accordance with color and resistivity and (b) epitaxially growing a GaN series compound semiconductor layer on the selected conductive SiC substrate. The step (a) preferably selects a conductive SiC substrate whose main color is green, whose conductivity type is n-type and whose resistivity is 0.08 52 cm to 1×105 Ωcm, or whose main color is black, whose conductivity type is p-type and whose resistivity is 1×103 Ωcm to 1×105Ωcm, or whose main color is blue, whose conductivity type is p-type and whose resistivity is 10 Ωcm to 1×105 Ωcm. The step (b) preferably includes (b-1) growing an AlInGaN layer having a thickness not thinner than 10 μm on the conductive SiC substrate by hydride VPE.

摘要翻译： 一种化合物半导体结构的制造方法，包括：（a）根据颜色和电阻率选择导电性SiC基板，（b）在选择的导电性SiC基板上外延生长GaN系化合物半导体层。 步骤（a）优选选择导电型为n型，电阻率为0.08×52cm〜1×105Ω·cm的导电性SiC基板，或者主色为黑色，导电性为 p型，其电导率为1×10 3Ω·OHgr·cm〜1×105＆OHgr·cm，其主要颜色为蓝色，其导电类型为p型，电阻率为10Ω·cm〜1×105Ω。 步骤（b）优选包括（b-1）通过氢化物VPE在导电SiC衬底上生长厚度不小于10μm的AlInGaN层。

公开(公告)号：US20110073873A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12889724

申请日：2010-09-24

申请人： Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi

发明人： Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi

IPC分类号： H01L29/24

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： A compound semiconductor device includes: a conductive SiC substrate; an AlN buffer layer formed on said conductive SiC substrate and containing Cl; a compound semiconductor buffer layer formed on said AlN layer which contains Cl, said compound semiconductor buffer layer not containing Cl; and a device constituent layer or layers formed above said compound semiconductor buffer layer not containing Cl.

摘要翻译： 化合物半导体器件包括：导电SiC衬底; 形成在所述导电性SiC基板上并含有Cl的AlN缓冲层; 在包含Cl的所述AlN层上形成的化合物半导体缓冲层，所述化合物半导体缓冲层不含Cl; 以及在不含Cl的化合物半导体缓冲层的上方形成的器件构成层。

公开(公告)号：US07875535B2

公开(公告)日：2011-01-25

申请号：US12359747

申请日：2009-01-26

申请人： Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi

发明人： Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： A compound semiconductor device includes: a conductive SiC substrate; an AlN buffer layer formed on said conductive SiC substrate and containing Cl; a compound semiconductor buffer layer formed on said AlN layer which contains Cl, said compound semiconductor buffer layer not containing Cl; and a device constituent layer or layers formed above said compound semiconductor buffer layer not containing Cl.

摘要翻译： 化合物半导体器件包括：导电SiC衬底; 形成在所述导电性SiC基板上并含有Cl的AlN缓冲层; 在包含Cl的所述AlN层上形成的化合物半导体缓冲层，所述化合物半导体缓冲层不含Cl; 以及在不含Cl的化合物半导体缓冲层的上方形成的器件构成层。