公开(公告)号：US08337798B2

公开(公告)日：2012-12-25

申请号：US11906285

申请日：2007-10-01

申请人： Seiji Sarayama ,  Hirokazu Iwata

发明人： Seiji Sarayama ,  Hirokazu Iwata

IPC分类号： C01B21/06 ,  C30B25/02

CPC分类号： C30B9/00 ,  C30B9/12 ,  C30B17/00 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  H01L21/20 ,  H01L29/2003 ,  Y10T117/10

摘要： A crystal producing apparatus includes a crystal forming unit and a crystal growing unit. The crystal forming unit forms a first gallium nitride (GaN) crystal by supplying nitride gas into melt mixture containing metal sodium (Na) and metal gallium (Ga). The first GaN crystal is sliced and polished to form GaN wafers. The crystal growing unit grows a second GaN crystal on a substrate formed by using a GaN wafer, by the hydride vapor phase epitaxy method, thus producing a bulked GaN crystal.

摘要翻译： 晶体制造装置包括晶体形成单元和晶体生长单元。 晶体形成单元通过向含有金属钠（Na）和金属镓（Ga）的熔融混合物供给氮化物而形成第一氮化镓（GaN）晶体。 将第一GaN晶体切片并抛光以形成GaN晶片。 晶体生长单元通过氢化物气相外延法在通过使用GaN晶片形成的衬底上生长第二GaN晶体，从而产生膨胀的GaN晶体。

公开(公告)号：US08337617B2

公开(公告)日：2012-12-25

申请号：US11596250

申请日：2006-03-13

申请人： Hirokazu Iwata ,  Seiji Sarayama ,  Minoru Fukuda ,  Tetsuya Takahashi ,  Akira Takahashi

发明人： Hirokazu Iwata ,  Seiji Sarayama ,  Minoru Fukuda ,  Tetsuya Takahashi ,  Akira Takahashi

IPC分类号： C30B9/00

CPC分类号： C30B19/02 ,  C30B9/00 ,  C30B15/00 ,  C30B15/32 ,  C30B17/00 ,  C30B19/06 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1032

摘要： A method for manufacturing a group III nitride crystal on a seed crystal in a holding vessel holding therein a melt containing a group III metal, an alkali metal and nitrogen. The manufacturing method comprises the steps of causing the seed crystal to make a contact with the melt, setting an environment of the seed crystal to a first state offset from a crystal growth condition while in a state in which said seed crystal is in contact with the melt, increasing a nitrogen concentration in the melt, and setting the environment of the seed crystal to a second state suitable for crystal growth when the nitrogen concentration of the melt has reached a concentration suitable for growing the seed crystal.

摘要翻译： 一种用于在保持容器中的晶种上制造III族氮化物晶体的方法，其中容纳含有III族金属，碱金属和氮的熔体。 该制造方法包括以下步骤：使晶种与熔体接触，将晶种的环境设定为偏离晶体生长条件的第一状态，同时在所述晶种与所述晶种接触的状态下 熔融，增加熔体中的氮浓度，并且当熔体的氮浓度达到适于种植晶种的浓度时，将晶种的环境设定为适合晶体生长的第二状态。

公开(公告)号：US08323404B2

公开(公告)日：2012-12-04

申请号：US11561662

申请日：2006-11-20

申请人： Hirokazu Iwata ,  Seiji Sarayama ,  Akihiro Fuse

发明人： Hirokazu Iwata ,  Seiji Sarayama ,  Akihiro Fuse

IPC分类号： C30B7/14

CPC分类号： C30B9/00 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： A group III nitride crystal containing therein an alkali metal element comprises a base body, a first group III nitride crystal formed such that at least a part thereof makes a contact with the base body, the first group III nitride crystal deflecting threading dislocations in a direction different from a direction of crystal growth from the base body and a second nitride crystal formed adjacent to the first group III nitride crystal, the second nitride crystal having a crystal growth surface generally perpendicular to the direction of the crystal growth.

摘要翻译： 含有碱金属元素的III族氮化物晶体包括基体，形成为使其至少一部分与基体接触的第一III族氮化物晶体，第一III族氮化物晶体沿着方向偏转穿透位错 不同于从基体的晶体生长方向和与第一III族氮化物晶体相邻形成的第二氮化物晶体，第二氮化物晶体具有大致垂直于晶体生长方向的晶体生长表面。

公开(公告)号：US08101020B2

公开(公告)日：2012-01-24

申请号：US11546989

申请日：2006-10-13

申请人： Seiji Sarayama ,  Hirokazu Iwata ,  Akihiro Fuse

发明人： Seiji Sarayama ,  Hirokazu Iwata ,  Akihiro Fuse

IPC分类号： C30B9/00 ,  C30B11/00

CPC分类号： C30B9/12 ,  C30B9/00 ,  C30B9/10 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/062 ,  C30B19/106 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/1092

摘要： A crystal growth apparatus comprises a reaction vessel holding a melt mixture containing an alkali metal and a group III metal, a gas supplying apparatus supplying a nitrogen source gas to a vessel space exposed to the melt mixture inside the reaction vessel, a heating unit heating the melt mixture to a crystal growth temperature, and a support unit supporting a seed crystal of a group III nitride crystal inside the melt mixture.

摘要翻译： 晶体生长装置包括保持含有碱金属和III族金属的熔融混合物的反应容器，向暴露于反应容器内的熔融混合物的容器空间供给氮源气体的供气装置，加热单元 熔融混合物至晶体生长温度，以及支撑单元，其在熔融混合物内支撑III族氮化物晶体的籽晶。

公开(公告)号：US07828896B2

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：US11878125

申请日：2007-07-20

申请人： Hirokazu Iwata ,  Seiji Sarayama ,  Hisanori Yamane ,  Masahiko Shimada ,  Masato Aoki

发明人： Hirokazu Iwata ,  Seiji Sarayama ,  Hisanori Yamane ,  Masahiko Shimada ,  Masato Aoki

IPC分类号： C30B11/04

CPC分类号： H01L29/7787 ,  C30B11/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L29/2003 ,  Y10T428/2982

摘要： A method of growing a group III nitride crystal grows a group III nitride crystal from a solution in which an alkaline metal, a group III metal and nitrogen are dissolved, and includes, in the solution, a material which increases solubility of the nitrogen into the solution.

摘要翻译： 生长III族氮化物晶体的方法从溶解有碱金属，III族金属和氮的溶液中生长III族氮化物晶体，并且在该溶液中包含增加氮的溶解度的材料 解。

公开(公告)号：US20070128746A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11561662

申请日：2006-11-20

申请人： Hirokazu Iwata ,  Seiji Sarayama ,  Akihiro Fuse

发明人： Hirokazu Iwata ,  Seiji Sarayama ,  Akihiro Fuse

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/22

CPC分类号： C30B9/00 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： A group III nitride crystal containing therein an alkali metal element comprises a base body, a first group III nitride crystal formed such that at least a part thereof makes a contact with the base body, the first group III nitride crystal deflecting threading dislocations in a direction different from a direction of crystal growth from the base body and a second nitride crystal formed adjacent to the first group III nitride crystal, the second nitride crystal having a crystal growth surface generally perpendicular to the direction of the crystal growth.

摘要翻译： 含有碱金属元素的III族氮化物晶体包括基体，形成为使其至少一部分与基体接触的第一III族氮化物晶体，第一III族氮化物晶体沿着方向偏转穿透位错 不同于从基体的晶体生长方向和与第一III族氮化物晶体相邻形成的第二氮化物晶体，第二氮化物晶体具有大致垂直于晶体生长方向的晶体生长表面。

公开(公告)号：US20070084399A1

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：US11546989

申请日：2006-10-13

申请人： Seiji Sarayama ,  Hirokazu Iwata ,  Akihiro Fuse

发明人： Seiji Sarayama ,  Hirokazu Iwata ,  Akihiro Fuse

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B9/00 ,  C30B17/00 ,  C30B21/02 ,  C30B28/06

CPC分类号： C30B9/12 ,  C30B9/00 ,  C30B9/10 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/062 ,  C30B19/106 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/1092

摘要： A crystal growth apparatus comprises a reaction vessel holding a melt mixture containing an alkali metal and a group III metal, a gas supplying apparatus supplying a nitrogen source gas to a vessel space exposed to the melt mixture inside the reaction vessel, a heating unit heating the melt mixture to a crystal growth temperature, and a support unit supporting a seed crystal of a group III nitride crystal inside the melt mixture.

摘要翻译： 晶体生长装置包括保持含有碱金属和III族金属的熔融混合物的反应容器，向暴露于反应容器内的熔融混合物的容器空间供给氮源气体的供气装置，加热单元 熔融混合物至晶体生长温度，以及支撑单元，其在熔融混合物内支撑III族氮化物晶体的籽晶。

公开(公告)号：US20070012239A1

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：US11408656

申请日：2006-04-20

申请人： Seiji Sarayama ,  Masahiko Shimada ,  Hisanori Yamane ,  Hirokazu Iwata

发明人： Seiji Sarayama ,  Masahiko Shimada ,  Hisanori Yamane ,  Hirokazu Iwata

IPC分类号： C30B7/00 ,  C30B21/02 ,  C30B28/06

CPC分类号： C30B7/105 ,  C09K11/62 ,  C30B7/00 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  C30B15/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783 ,  Y10T117/1092 ,  Y10T117/1096 ,  Y10T428/2982

摘要： A crystal has a diameter of 1 cm or more and shows a strongest peak in cathode luminescent spectrum at a wavelength of 360 nm in correspondence to a band edge.

摘要翻译： 晶体具有1cm或更大的直径，并且对应于带边缘，在360nm波长处的阴极发光光谱中显示出最强峰。

公开(公告)号：US07001457B2

公开(公告)日：2006-02-21

申请号：US10134895

申请日：2002-04-30

申请人： Seiji Sarayama ,  Hisanori Yamane ,  Masahiko Shimada ,  Masafumi Kumano ,  Hirokazu Iwata ,  Takashi Araki

发明人： Seiji Sarayama ,  Hisanori Yamane ,  Masahiko Shimada ,  Masafumi Kumano ,  Hirokazu Iwata ,  Takashi Araki

IPC分类号： C30B9/10

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  C30B29/406 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1012 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/106

摘要： A group-III nitride crystal growth method comprises the steps of: a) preparing a mixed molten liquid of an alkaline material and a substance at least containing a group-III metal; b) causing growth of a group-III nitride crystal from the mixed molten liquid prepared in the step a) and a substance at least containing nitrogen; and c) creating a state in which nitrogen can be introduced into the molten liquid prepared by the step a).

公开(公告)号：US09404196B2

公开(公告)日：2016-08-02

申请号：US13592555

申请日：2012-08-23

申请人： Masahiro Hayashi ,  Seiji Sarayama ,  Takashi Satoh ,  Hiroshi Nambu ,  Chiharu Kimura ,  Naoya Miyoshi

发明人： Masahiro Hayashi ,  Seiji Sarayama ,  Takashi Satoh ,  Hiroshi Nambu ,  Chiharu Kimura ,  Naoya Miyoshi

IPC分类号： C30B9/10 ,  C30B9/12 ,  C30B29/40

CPC分类号： C30B9/12 ,  C30B9/10 ,  C30B29/406

摘要： A method of manufacturing a group 13 nitride crystal includes a crystal growth process to form the group 13 nitride crystal by growing the group 13 nitride crystal having a hexagonal crystal structure from a seed crystal which is a gallium nitride crystal having a hexagonal crystal structure in which a length “L” in a c-axis direction is 9.7 mm or more, and a ratio L/d of the length “L” to a crystal diameter “d” in a c-plane is larger than 0.813. The crystal growth process includes a process of forming an outer periphery containing a {10-10} plane and an outer periphery containing a {10-11} plane at side surfaces of the group 13 nitride crystal, and forming an outer periphery containing a {0001} plane at a bottom surface of the group 13 nitride crystal.

摘要翻译： 制造13族氮化物晶体的方法包括通过从具有六方晶系结构的氮化镓晶体的晶种生长具有六方晶系结构的13族氮化物晶体来形成氮化镓族晶体的晶体生长工艺，其中 c轴方向的长度“L”为9.7mm以上，c面中的长度“L”与晶体直径“d”的比率L / d大于0.813。 晶体生长工艺包括在第13族氮化物晶体的侧面形成包含{10-10}面和包含{10-11}面的外周的外周的工艺，并且形成含有{ 0001}面。