公开(公告)号：US08384854B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US12385972

申请日：2009-04-24

申请人： Young-Woo Song ,  Jong-Hyuk Lee ,  Kyu-Hwan Hwang ,  Jong-Seok Oh ,  Joon-Gu Lee ,  Jae-Heung Ha ,  Chul-Woo Park

发明人： Young-Woo Song ,  Jong-Hyuk Lee ,  Kyu-Hwan Hwang ,  Jong-Seok Oh ,  Joon-Gu Lee ,  Jae-Heung Ha ,  Chul-Woo Park

IPC分类号： G02F1/1335

CPC分类号： G02F1/133536 ,  G02B5/3058 ,  G02F2001/133548 ,  G02F2201/08 ,  G02F2201/38

摘要： A liquid crystal display apparatus includes a backlight unit, a second polarization layer, a liquid crystal layer disposed between the backlight unit and the second polarization layer, a first polarization layer disposed between the backlight unit and the liquid crystal layer. In an embodiment, a surface of the first polarization layer facing the backlight unit includes a reflective surface and a surface of the first polarization layer facing the backlight unit includes an absorbent surface. In another embodiment, the first polarization layer includes grids, which include a metal, and absorbing members, which include dielectric materials. In another embodiment, the first polarization layer includes grids, each of which includes a first component including a dielectric material and a second component including a metal.

摘要翻译： 液晶显示装置包括背光单元，第二偏振层，设置在背光单元和第二偏振层之间的液晶层，设置在背光单元和液晶层之间的第一偏振层。 在一个实施例中，面向背光单元的第一偏振层的表面包括反射表面，并且面向背光单元的第一偏振层的表面包括吸收表面。 在另一个实施例中，第一偏振层包括包括金属的网格和包括电介质材料的吸收构件。 在另一个实施例中，第一偏振层包括格栅，每个栅格包括包括电介质材料的第一元件和包括金属的第二元件。

公开(公告)号：US08223529B2

公开(公告)日：2012-07-17

申请号：US12703354

申请日：2010-02-10

申请人： Ho-Jung Kim ,  Yeong-Taek Lee ,  Chul-Woo Park ,  Sang-Beom Kang

发明人： Ho-Jung Kim ,  Yeong-Taek Lee ,  Chul-Woo Park ,  Sang-Beom Kang

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/004 ,  G11C8/10 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/005 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2013/009

摘要： A resistive memory device includes a resistive memory cell array, an output circuit and an input circuit. The resistive memory cell array includes a plurality of memory cells that are coupled to bitlines. The output circuit generates a sensing output signal during a write operation by sensing a bitline voltage, and generates output data during a read operation by sensing the bitline voltage. The input circuit controls the bitline voltage based on input data for the write operation, and limits the bitline voltage in response to the sensing output signal during the write operation. The memory cells are protected by effectually limiting bitline voltage.

摘要翻译： 电阻式存储器件包括电阻存储单元阵列，输出电路和输入电路。 电阻存储单元阵列包括耦合到位线的多个存储单元。 输出电路通过感测位线电压在写入操作期间产生感测输出信号，并通过感测位线电压在读取操作期间产生输出数据。 输入电路基于用于写入操作的输入数据来控制位线电压，并且在写入操作期间响应于感测输出信号来限制位线电压。 存储单元受到有效限制位线电压的保护。

公开(公告)号：US20100214831A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：US12588536

申请日：2009-10-19

申请人： Ho-Jung Kim ,  Chul-Woo Park ,  Sang-Beom Kang ,  Hyun-Ho Choi

发明人： Ho-Jung Kim ,  Chul-Woo Park ,  Sang-Beom Kang ,  Hyun-Ho Choi

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C8/00 ,  G11C7/10 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C13/0064 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2013/0088 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2211/5622 ,  G11C2211/5642 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79

摘要： A memory device includes an array of resistance change memory cells divided into a first memory block including a first selected memory cell of a first plurality of memory cells and a second memory block including a second selected memory cell of a second plurality of memory cells, and sensing and writing circuitry configured to simultaneously activate a line connected with the first and second selected memory cells. The first and second selected memory cells may be written by iteratively applying a level-controlled write signal to memory cells not having a programmed state equal to the write data until a verify-read operation indicates respective programmed states for the first and second selected memory cells are equal to the write data.

摘要翻译： 存储器件包括被分成包括第一多个存储器单元的第一选定存储单元的第一存储器单元和包括第二多个存储器单元的第二选定存储单元的第二存储器块的电阻变化存储器单元阵列，以及 感测和写入电路，其被配置为同时激活与第一和第二选定存储单元相连的线。 第一和第二选择的存储器单元可以通过迭代地将电平控制的写入信号施加到不具有等于写入数据的编程状态的存储器单元来写入，直到验证读取操作指示第一和第二选择的存储单元的相应的编程状态 等于写入数据。

公开(公告)号：US20100148664A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12712125

申请日：2010-02-24

申请人： Joon-Gu Lee ,  Young-Woo Song ,  Kyu-Hwan Hwang ,  Jong-Seok Oh ,  Jae-Heung Ha ,  Chul-Woo Park ,  Jong-Hyuk Lee

发明人： Joon-Gu Lee ,  Young-Woo Song ,  Kyu-Hwan Hwang ,  Jong-Seok Oh ,  Jae-Heung Ha ,  Chul-Woo Park ,  Jong-Hyuk Lee

IPC分类号： H01J1/70

CPC分类号： H01L51/5281 ,  G02B5/3058 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5259

摘要： A polarizer and an organic light emitting display apparatus including the polarizer. According to an embodiment of the present invention, a polarizer includes a substrate and a plurality of electrode units separated from each other on the substrate and formed in a stripe pattern. Each of the electrode units includes a first surface facing the substrate and a second surface opposite the first surface, the first surface having a width smaller than a width of the second surface.

摘要翻译： 偏振器和包括偏振器的有机发光显示装置。 根据本发明的实施例，偏振器包括基板和在基板上彼此分离并形成条纹图案的多个电极单元。 每个电极单元包括面向衬底的第一表面和与第一表面相对的第二表面，第一表面的宽度小于第二表面的宽度。

公开(公告)号：US07602362B2

公开(公告)日：2009-10-13

申请号：US11280295

申请日：2005-11-17

申请人： Chul-Woo Park

发明人： Chul-Woo Park

IPC分类号： G09G3/34

CPC分类号： G09G3/3611 ,  G09G3/3406 ,  G09G3/3413 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3696 ,  G09G2310/0235 ,  G09G2320/02 ,  G09G2320/0257 ,  G09G2320/0261 ,  G09G2360/16 ,  G09G2360/18

摘要： A liquid crystal display (LCD) device and a method of operating the same prevents a tearing effect from occurring. The LCD device includes a frame memory for writing new red, green and blue data or reading previously written red, green and blue data according to address designation, and a detector which outputs a cut off signal for cutting off operation of a light source controller or a gradation voltage generating portion when the new red, green and blue data are written to the frame memory before the written red, green and blue data are read from the frame memory.

摘要翻译： 液晶显示器（LCD）装置及其操作方法防止发生撕裂效应。 LCD装置包括用于写入新的红色，绿色和蓝色数据或者根据地址指定读取以前写入的红，绿和蓝数据的帧存储器，以及输出用于切断光源控制器的操作的截止信号的检测器， 在从帧存储器读取写入的红色，绿色和蓝色数据之前，将新的红色，绿色和蓝色数据写入帧存储器的灰度电压产生部分。

公开(公告)号：US07594750B2

公开(公告)日：2009-09-29

申请号：US11335036

申请日：2006-01-18

申请人： Seung-Hoon Lee ,  Chul-Woo Park

发明人： Seung-Hoon Lee ,  Chul-Woo Park

IPC分类号： G01K7/00 ,  G11C7/00

CPC分类号： G01K7/42

摘要： A method for outputting internal temperature data in a semiconductor memory device can output, at high speed, relatively accurate temperature data externally, without continuously or periodically driving a temperature sensor. The method for outputting the internal temperature data comprises externally outputting internal temperature data stored in a register in a preceding driving cycle in response to a temperature data request signal; driving a temperature sensor during a predefined time section after the output of the internal temperature data is completed; and storing the internal temperature data obtained from the temperature sensor in the register. Power consumption is reduced and accurate temperature data is output externally within a shorter time.

摘要翻译： 用于输出半导体存储器件中的内部温度数据的方法可以高速输出外部相对精确的温度数据，而不用连续地或周期地驱动温度传感器。 用于输出内部温度数据的方法包括响应于温度数据请求信号在前一个驱动周期内外部输出存储在寄存器中的内部温度数据; 在内部温度数据的输出完成之后的预定时间段内驱动温度传感器; 并将从温度传感器获得的内部温度数据存储在寄存器中。 降低功耗，并在较短的时间内外部输出精确的温度数据。

公开(公告)号：US20070008681A1

公开(公告)日：2007-01-11

申请号：US11435636

申请日：2006-05-17

申请人： Chul-Woo Park

发明人： Chul-Woo Park

IPC分类号： H02B1/00

CPC分类号： G11C11/4074 ,  G11C5/14 ,  G11C7/1045 ,  G11C2207/105

摘要： A semiconductor memory device includes a semiconductor chip including a first voltage generating circuit that generates a first voltage in response to a first operation control signal, a second voltage generating circuit that generates a second voltage in response to a second operation control signal, a first operation control circuit that generates the first operation control signal, a second operation control circuit that generates the second operation control signal, a first bonding pad connected to an output of the fist voltage generating circuit, and a second bonding pad connected to an output of the second voltage generating circuit. A packaging substrate includes a first substrate pad connected to the first bonding pad and a second substrate pad connected to the second bonding pad. The first and second substrate pads are connected to each other through the packaging substrate.

摘要翻译： 半导体存储器件包括：半导体芯片，包括响应于第一操作控制信号产生第一电压的第一电压产生电路;响应于第二操作控制信号产生第二电压的第二电压产生电路;第一操作 产生第一操作控制信号的控制电路，产生第二操作控制信号的第二操作控制电路，连接到第一电压产生电路的输出的第一焊盘和连接到第二操作控制信号的输出的第二焊盘 电压发生电路。 封装衬底包括连接到第一焊盘的第一衬底焊盘和连接到第二焊盘的第二衬底焊盘。 第一和第二基板焊盘通过封装基板相互连接。

公开(公告)号：US20060159156A1

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：US11335036

申请日：2006-01-18

申请人： Seung-Hoon Lee ,  Chul-Woo Park

发明人： Seung-Hoon Lee ,  Chul-Woo Park

IPC分类号： G01K7/00

CPC分类号： G01K7/42

摘要： A method for outputting internal temperature data in a semiconductor memory device can output, at high speed, relatively accurate temperature data externally, without continuously or periodically driving a temperature sensor. The method for outputting the internal temperature data comprises externally outputting internal temperature data stored in a register in a preceding driving cycle in response to a temperature data request signal; driving a temperature sensor during a predefined time section after the output of the internal temperature data is completed; and storing the internal temperature data obtained from the temperature sensor in the register. Power consumption is reduced and accurate temperature data is output externally within a shorter time.

摘要翻译： 用于输出半导体存储器件中的内部温度数据的方法可以高速输出外部相对精确的温度数据，而不用连续地或周期地驱动温度传感器。 用于输出内部温度数据的方法包括响应于温度数据请求信号在前一个驱动周期内外部输出存储在寄存器中的内部温度数据; 在内部温度数据的输出完成之后的预定时间段内驱动温度传感器; 并将从温度传感器获得的内部温度数据存储在寄存器中。 降低功耗，并在较短的时间内外部输出精确的温度数据。

公开(公告)号：US5980822A

公开(公告)日：1999-11-09

申请号：US9309

申请日：1998-01-20

申请人： Young-Zoon Moon ,  Jae-Ho Han ,  Chul-Woo Park

发明人： Young-Zoon Moon ,  Jae-Ho Han ,  Chul-Woo Park

IPC分类号： B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02

CPC分类号： B23K35/262

摘要： A leadless alloy for soldering containing 0.1 to 5.0% bismuth, 0.1 to 5.0% silver, 0.1 to 3.0% antimony, 0.1 to 5.5% copper, 0.001 to 0.01% phosphorus, 0.01 to 0.1% germanium and 81.4 to 99.6% tin by weight.

摘要翻译： 一种用于焊接的无铅合金，其含有0.1至5.0％的铋，0.1至5.0％的银，0.1至3.0％的锑，0.1至5.5％的铜，0.001至0.01％的磷，0.01至0.1％的锗和81.4至99.6重量％的锡。

公开(公告)号：US08677216B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US13015850

申请日：2011-01-28

申请人： Chul-Woo Park ,  Hong-Sun Hwang ,  Kwan-Young Oh ,  Sang-Beom Kang

发明人： Chul-Woo Park ,  Hong-Sun Hwang ,  Kwan-Young Oh ,  Sang-Beom Kang

IPC分类号： G11C29/00

CPC分类号： G06F11/1044

摘要： A stacked semiconductor memory device includes an error correction code (ECC) controller that controls the number of bits in an ECC word and corrects errors in memory cell array layers using the ECC word.

摘要翻译： 叠层半导体存储器件包括纠错码（ECC）控制器，其控制ECC字中的位数，并使用ECC字来校正存储单元阵列层中的错误。