公开(公告)号：US20060073667A1

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：US10958937

申请日：2004-10-05

申请人： Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Beng Ong

发明人： Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Beng Ong

IPC分类号： H01L21/8222

CPC分类号： B22F1/0018 ,  B22F1/0062 ,  B22F9/24 ,  B22F2998/00 ,  B82Y30/00 ,  H01B1/22 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/105 ,  Y10S977/777 ,  Y10S977/786 ,  Y10S977/787 ,  Y10S977/81 ,  Y10S977/896 ,  Y10S977/932

摘要： A process comprising: reacting a silver compound with a reducing agent comprising a hydrazine compound in the presence of a thermally removable stabilizer in a reaction mixture comprising the silver compound, the reducing agent, the stabilizer, and an optional solvent, to form a plurality of silver-containing nanoparticles with molecules of the stabilizer on the surface of the silver-containing nanoparticles.

摘要翻译： 一种方法，包括：在包含银化合物，还原剂，稳定剂和任选的溶剂的反应混合物中，在热可除去稳定剂的存在下，使银化合物与包含肼化合物的还原剂反应，形成多个 含银纳米颗粒与含银纳米颗粒表面的稳定剂分子。

公开(公告)号：US20060273303A1

公开(公告)日：2006-12-07

申请号：US11146705

申请日：2005-06-07

申请人： Yiliang Wu ,  Beng Ong

发明人： Yiliang Wu ,  Beng Ong

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L51/0545 ,  H01L29/786 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/105

摘要： An thin-film transistor (TFT) with multilayer source and drain electrodes is provided. Each source and drain electrode comprises a first layer of a first conductive material and a second layer of a conductive polymer which has a work function identical or similar to that of the semiconductor layer. The second layer is in contact with the semiconductor layer.

摘要翻译： 提供了具有多层源极和漏极的薄膜晶体管（TFT）。 每个源极和漏极包括第一导电材料层和第二导电聚合物层，其具有与半导体层相同或相似的功函数。 第二层与半导体层接触。

公开(公告)号：US20060128969A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US11011901

申请日：2004-12-14

申请人： Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Beng Ong

发明人： Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Beng Ong

IPC分类号： C07D487/14

CPC分类号： C08G61/124 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A process composed of: reacting a reaction mixture comprised of one or more optionally substituted indolocarbazoles, a reaction medium, and a coupling agent at a reaction temperature to form a compound composed of a plurality of optionally substituted indolocarbazole moieties which are the same or different from each other.

摘要翻译： 一种方法，其包括：在反应温度下使由一种或多种任选取代的吲哚并咔唑，反应介质和偶联剂组成的反应混合物反应，以形成由多个任选取代的吲哚咔唑部分组成的化合物，所述任选取代的吲哚咔唑部分相同或不同 彼此。

公开(公告)号：US20060060885A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US11265935

申请日：2005-11-03

申请人： Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Beng Ong

发明人： Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Beng Ong

IPC分类号： B32B5/16 ,  H01L29/732

CPC分类号： B22F7/04 ,  B22F1/0022 ,  B22F2999/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/288 ,  H01L23/53242 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/102 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  Y10S977/936 ,  Y10T428/25 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/0085 ,  H01L2924/00

摘要： An apparatus composed of: (a) a substrate; and (b) a deposited composition comprising a liquid and a plurality of metal nanoparticles with a covalently bonded stabilizer.

摘要翻译： 一种装置，包括：（a）基材; 和（b）沉积的组合物，其包含液体和多个具有共价键合的稳定剂的金属纳米颗粒。

公开(公告)号：US20060024859A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US10909081

申请日：2004-07-30

申请人： Yiliang Wu ,  Nan-Xing Hu ,  Beng Ong

发明人： Yiliang Wu ,  Nan-Xing Hu ,  Beng Ong

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L27/283 ,  H01L51/0019 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0052

摘要： A method of patterning organic semiconductor layers of electronic devices utilizing reverse printing.

公开(公告)号：US20070249181A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：US11406619

申请日：2006-04-19

申请人： Yiliang Wu ,  Beng Ong

发明人： Yiliang Wu ,  Beng Ong

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L51/0545 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0558

摘要： A process including: (a) providing a gelable composition comprising a gelable semiconductor polymer and a liquid, wherein the polymer is at a low concentration in the liquid; (b) gelling the gelable composition to result in a gelled composition; (c) breaking the gelled composition to result in a flowable, broken gelled composition, wherein the viscosity of the flowable, broken gelled composition is at least about 10 times greater than the viscosity of the liquid; and (d) liquid depositing the flowable, broken gelled composition.

摘要翻译： 一种方法，包括：（a）提供包含可凝胶化半导体聚合物和液体的可胶凝组合物，其中聚合物在液体中的浓度低; （b）凝胶化组合物凝胶化以产生胶凝组合物; （c）打破凝胶组合物以产生可流动的破碎的凝胶组合物，其中可流动的破碎的凝胶组合物的粘度比液体的粘度至少大约10倍; 和（d）液体沉积可流动的破碎的凝胶组合物。

公开(公告)号：US20070238852A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：US11399246

申请日：2006-04-06

申请人： Beng Ong ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu

发明人： Beng Ong ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu

IPC分类号： C08G75/00

CPC分类号： C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0558

摘要： A polymer of the following formula wherein R is a suitable hydrocarbon or a heteroatom containing group; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 下式的聚合物其中R是合适的烃或含杂原子的基团; n表示重复单元的数量。

公开(公告)号：US20070235719A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：US11398931

申请日：2006-04-06

申请人： Beng Ong ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu

发明人： Beng Ong ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L51/0036 ,  H01L51/0558

摘要： An electronic device comprising a semiconductive material of Formula wherein R is a suitable hydrocarbon or a heteroatom containing group; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 一种电子器件，包括其中R为合适的烃或含杂原子的基团的半导体材料; n表示重复单元的数量。

公开(公告)号：US20070145453A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：US11318044

申请日：2005-12-23

申请人： Yiliang Wu ,  Beng Ong

发明人： Yiliang Wu ,  Beng Ong

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/51 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/31616 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0537

摘要： A dielectric layer for electronic devices is disclosed herein. The dielectric layer comprises inorganic nanoparticles dispersed in a polymer selected from the group consisting of polysiloxane, polysilsesquioxane, and mixtures thereof. The layer improves the carrier mobility and current on/off ratio of an electronic device incorporating it, especially a thin film transistor.

摘要翻译： 本文公开了一种用于电子器件的电介质层。 介电层包含分散在聚硅氧烷，聚倍半硅氧烷及其混合物中的聚合物中的无机纳米粒子。 该层改进了其结合的电子器件的载流子迁移率和电流开/关比，特别是薄膜晶体管。

公开(公告)号：US20070145371A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：US11317168

申请日：2005-12-23

申请人： Yiliang Wu ,  Beng Ong ,  Paul Smith

发明人： Yiliang Wu ,  Beng Ong ,  Paul Smith

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L51/0541 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/107

摘要： A thin-film transistor, such as a top-gate thin-film transistor, is provided herein. The thin-film transistor has a performance-enhancing layer, such as a performance-enhancing bottom layer, comprising a polymer other than a polyimide. In specific embodiments, the polymer is selected from the group consisting of polysiloxane, polysilsesquioxane, and mixtures thereof. In other embodiments, it is a self-assembling polymeric monolayer of a silane agent and an organophosphonic acid. The performance-enhancing layer directly contacts the substrate. The layer improves the carrier mobility and current on/off ratio of the thin film transistor.

摘要翻译： 本文提供了诸如顶栅薄膜晶体管的薄膜晶体管。 薄膜晶体管具有性能增强层，例如性能增强底层，其包含聚酰亚胺以外的聚合物。 在具体实施方案中，聚合物选自聚硅氧烷，聚倍半硅氧烷及其混合物。 在其它实施方案中，它是硅烷试剂和有机膦酸的自组装聚合物单层。 性能增强层直接接触基板。 该层改善了薄膜晶体管的载流子迁移率和电流开/关比。