公开(公告)号：US20050019637A1

公开(公告)日：2005-01-27

申请号：US10626352

申请日：2003-07-23

申请人： Gregory Herman ,  Benjamin Clark ,  Peter Mardilovich

发明人： Gregory Herman ,  Benjamin Clark ,  Peter Mardilovich

IPC分类号： H01M4/86 ,  H01M4/88 ,  H01M8/02 ,  H01M8/12 ,  B05D3/02 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01M4/9025 ,  H01M4/8885 ,  H01M8/12 ,  H01M8/1246 ,  H01M2008/1293 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56

摘要： A method for forming a fuel cell component includes depositing a hydroxide or oxyhydroxide form of the component, and hydrothermally dehydrating the hydroxide or oxyhydroxide form of the component, wherein the hydrothermally dehydrating of the component establishes the grain structure of the component.

摘要翻译： 形成燃料电池组件的方法包括沉积氢氧化物或羟基氧化物形式的组分，并且水热脱水组分的氢氧化物或羟基氧化物形式，其中组分的水热脱水确定组分的晶粒​​结构。

公开(公告)号：US08686412B2

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US11888072

申请日：2007-07-31

申请人： Gregory Herman ,  Benjamin Clark ,  Zhizhang Chen

发明人： Gregory Herman ,  Benjamin Clark ,  Zhizhang Chen

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L21/02118 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/312 ,  H01L29/7869

摘要： A microelectronic device includes a thin film transistor having an oxide semiconductor channel and an organic polymer passivation layer formed on the oxide semiconductor channel.

摘要翻译： 微电子器件包括具有形成在氧化物半导体沟道上的氧化物半导体沟道和有机聚合物钝化层的薄膜晶体管。

公开(公告)号：US08101947B2

公开(公告)日：2012-01-24

申请号：US12375660

申请日：2007-07-26

申请人： Randy Hoffman ,  Gregory Herman

发明人： Randy Hoffman ,  Gregory Herman

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/78603

摘要： A thin-film device includes a plurality of circuit components defining an operational region of the thin-film device, an unpatterned channel portion (108, 340) disposed on the plurality of circuit components, and a patterned passivation dielectric (380,385) selectively disposed on the unpatterned channel portion (108, 340) to electrically pattern an active region of the unpatterned channel portion (108,340).

摘要翻译： 薄膜器件包括限定薄膜器件的操作区域的多个电路部件，以及设置在多个电路部件上的未图案化通道部分（108,340），以及选择性地设置在多个电路部件上的图案化钝化电介质（380,385） 未图案化的通道部分（108,340），用于对未图案化的通道部分（108,340）的有源区域进行电图形化。

公开(公告)号：US20090289250A1

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：US12375660

申请日：2007-07-26

申请人： Randy Hoffman ,  Gregory Herman

发明人： Randy Hoffman ,  Gregory Herman

IPC分类号： H01L29/22 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/78603

摘要： A thin-film device includes a plurality of circuit components defining an operational region of the thin-film device, an unpatterned channel portion (108, 340) disposed on the plurality of circuit components, and a patterned passivation dielectric (380,385) selectively disposed on the unpatterned channel portion (108,340) to electrically pattern an active region of the unpatterned channel portion (108,340).

摘要翻译： 薄膜器件包括限定薄膜器件的操作区域的多个电路部件，以及设置在多个电路部件上的未图案化通道部分（108,340），以及选择性地设置在多个电路部件上的图案化钝化电介质（380,385） 所述未图案化通道部分（108,340）对未图案化通道部分（108,340）的有源区域进行电图形化。

公开(公告)号：US20090035899A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US11888055

申请日：2007-07-31

申请人： Gregory Herman ,  Randy Hoffman ,  Tsuyoshi Yamashita ,  J. Daniel Smith

发明人： Gregory Herman ,  Randy Hoffman ,  Tsuyoshi Yamashita ,  J. Daniel Smith

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66969

摘要： A thin film transistor is manufactured by a process including forming an oxide semiconductor channel, patterning the oxide semiconductor channel with a photolithographic process, and exposing the patterned oxide semiconductor channel to an oxygen containing plasma.

摘要翻译： 通过包括形成氧化物半导体沟道，通过光刻工艺图案化氧化物半导体沟道并将图案化氧化物半导体沟道暴露于含氧等离子体的工艺来制造薄膜晶体管。

公开(公告)号：US20080165235A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US11649979

申请日：2007-01-05

申请人： Luanne J. Rolly ,  Tom Etheridge ,  Sven Moller ,  Garry Hich ,  Gregory Herman

发明人： Luanne J. Rolly ,  Tom Etheridge ,  Sven Moller ,  Garry Hich ,  Gregory Herman

IPC分类号： C09D11/00 ,  B41J2/01

CPC分类号： C09D11/38

摘要： An inkjet ink composition includes water and effective amounts of one or more of: derivatized 2-pyrrolidinones; glycerol polyoxyethyl ethers; diols; or combinations thereof. The inkjet ink composition also includes an effective amount of functionalized nanocrystals.

摘要翻译： 喷墨油墨组合物包括水和有效量的一种或多种：衍生的2-吡咯烷酮; 甘油聚氧乙醚; 二醇 或其组合。 喷墨油墨组合物还包括有效量的官能化纳米晶体。

公开(公告)号：US20070284701A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11778201

申请日：2007-07-16

申请人： Peter Mardilovich ,  Laura Kramer ,  Gregory Herman ,  Randy Hoffman ,  David Punsalan

发明人： Peter Mardilovich ,  Laura Kramer ,  Gregory Herman ,  Randy Hoffman ,  David Punsalan

IPC分类号： H01L27/28 ,  H01L21/312

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/312 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/7869

摘要： Embodiments of methods, apparatuses, devices, and/or systems for forming a component having dielectric sub-layers are described.

摘要翻译： 描述了用于形成具有电介质子层的部件的方法，装置，装置和/或系统的实施例。

公开(公告)号：US07285501B2

公开(公告)日：2007-10-23

申请号：US10943606

申请日：2004-09-17

申请人： Peter Mardilovich ,  Randy Hoffman ,  Gregory Herman

发明人： Peter Mardilovich ,  Randy Hoffman ,  Gregory Herman

IPC分类号： H01L21/4757

CPC分类号： H01L21/022 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/4757 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0537

摘要： Embodiments of methods, apparatuses, devices, and/or systems for forming a solution processed device are described.

摘要翻译： 描述了用于形成解决方案处理设备的方法，设备，设备和/或系统的实施例。

公开(公告)号：US20070152214A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：US11715174

申请日：2007-03-07

申请人： Randy Hoffman ,  Gregory Herman ,  Peter Mardilovich

发明人： Randy Hoffman ,  Gregory Herman ,  Peter Mardilovich

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78648

摘要： One exemplary embodiment includes a semi-conductor device. The semi-conductor device can include a channel including that includes one or more compounds of the formula AxBxCxOx, wherein each A is selected from the group of Zn, Cd, each B is selected from the group of Ga, In, each C is selected from the group Ge, Sn, Pb, each O is atomic oxygen, each x is independently a non-zero integer, and each of A, B, and C are different.

摘要翻译： 一个示例性实施例包括半导体器件。 半导体器件可以包括通道，其包括一个或多个下式的化合物：其中R 1，R 2，R 2， 其中每个A选自Zn，Cd，每个B选自Ga，In，每个C选自Ge，Sn，Pb组，每个O是原子氧， 每个x独立地是非零整数，并且A，B和C各自不同。

公开(公告)号：US20070114528A1

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：US11283914

申请日：2005-11-21

申请人： Gregory Herman ,  Randy Hoffman

发明人： Gregory Herman ,  Randy Hoffman

IPC分类号： H01L29/10

CPC分类号： H01L29/47 ,  H01L29/242 ,  H01L29/872

摘要： A rectifying contact to an n-type oxide material and/or a substantially insulating oxide material includes a p-type oxide material. The p-type oxide material includes a copper species and a metal species, each of which are present in an amount ranging from about 10 atomic % to about 90 atomic % of total metal in the p-type oxide material. The metal species is selected from tin, zinc, and combinations thereof.

摘要翻译： 与n型氧化物材料和/或基本上绝缘的氧化物材料的整流接触包括p型氧化物材料。 p型氧化物材料包括铜物质和金属物质，其各自以p型氧化物材料中的总金属的约10原子％至约90原子％的量存在。 金属物质选自锡，锌及其组合。