公开(公告)号：US20080057705A1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：US11696226

申请日：2007-04-04

申请人： Frank Feustel ,  Kai Frohberg ,  Thomas Werner

发明人： Frank Feustel ,  Kai Frohberg ,  Thomas Werner

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76825

摘要： By forming a conductive material within an etch mask for an anisotropic etch process for patterning openings, such as vias, in a dielectric layer of a metallization structure, the probability for arcing events may be reduced, since excess charge may be laterally distributed. For example, an additional sacrificial conductive layer may be formed or an anti-reflecting coating (ARC) may be provided in the form of a conductive material in order to obtain the lateral charge distribution.

摘要翻译： 通过在蚀刻掩模内形成用于各向异性蚀刻工艺的导电材料，用于图案化金属化结构的电介质层中的诸如通路的开口，因为过量电荷可能横向分布，所以可以减小电弧事件的概率。 例如，可以形成附加的牺牲导电层，或者可以以导电材料的形式提供抗反射涂层（ARC），以获得横向电荷分布。

公开(公告)号：US20080026492A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：US11695657

申请日：2007-04-03

申请人： Ralf Richter ,  Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

发明人： Ralf Richter ,  Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

IPC分类号： H01L21/469 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/02074 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02096

摘要： By providing a protective layer in an intermediate manufacturing stage, an increased surface protection with respect to particle contamination and surface corrosion may be achieved. In some illustrative embodiments, the protective layer may be used during an electrical test procedure, in which respective contact portions are contacted through the protective layer, thereby significantly reducing particle contamination during a respective measurement process.

摘要翻译： 通过在中间制造阶段提供保护层，可以实现相对于颗粒污染和表面腐蚀的增加的表面保护。 在一些说明性实施例中，保护层可以在电测试过程中使用，其中相应的接触部分通过保护层接触，从而在相应的测量过程中显着地减少颗粒污染。

公开(公告)号：US09245860B2

公开(公告)日：2016-01-26

申请号：US12710458

申请日：2010-02-23

申请人： Frank Feustel ,  Kai Frohberg ,  Thomas Werner

发明人： Frank Feustel ,  Kai Frohberg ,  Thomas Werner

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： In a metallization system of a complex semiconductor device, metal pillars, such as copper pillars, may be formed in a nail-like configuration in order to reduce the maximum mechanical stress acting on the metallization system while providing a required contact surface for connecting to the package substrate. The nail-like configuration may be obtained on the basis of appropriately configured resist masks.

摘要翻译： 在复杂半导体器件的金属化系统中，金属柱（例如铜柱）可以形成为钉状构造，以便减小作用在金属化系统上的最大机械应力，同时提供所需的接触表面以连接到 封装衬底。 可以基于适当配置的抗蚀剂掩模获得钉状构造。

公开(公告)号：US08735237B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US13524582

申请日：2012-06-15

申请人： Uwe Griebenow ,  Kai Frohberg ,  Frank Feustel ,  Thomas Werner

发明人： Uwe Griebenow ,  Kai Frohberg ,  Frank Feustel ,  Thomas Werner

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848

摘要： The thickness of drain and source areas may be reduced by a cavity etch used for refilling the cavities with an appropriate semiconductor material, wherein, prior to the epitaxial growth, an implantation process may be performed so as to allow the formation of deep drain and source areas without contributing to unwanted channel doping for a given critical gate height. In other cases, the effective ion blocking length of the gate electrode structure may be enhanced by performing a tilted implantation step for incorporating deep drain and source regions.

摘要翻译： 漏极和源极区域的厚度可以通过用适合的半导体材料重新填充空腔的腔蚀刻来减小，其中，在外延生长之前，可以进行注入工艺以便形成深的漏极和源极 对于给定的关键栅极高度，没有有助于不期望的沟道掺杂的区域。 在其他情况下，可以通过执行用于引入深漏极和源极区域的倾斜注入步骤来增强栅电极结构的有效离子阻挡长度。

公开(公告)号：US08216927B2

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：US13094144

申请日：2011-04-26

申请人： Ralf Richter ,  Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

发明人： Ralf Richter ,  Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02074 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02096

摘要： By providing a protective layer in an intermediate manufacturing stage, an increased surface protection with respect to particle contamination and surface corrosion may be achieved. In some illustrative embodiments, the protective layer may be used during an electrical test procedure, in which respective contact portions are contacted through the protective layer, thereby significantly reducing particle contamination during a respective measurement process.

摘要翻译： 通过在中间制造阶段提供保护层，可以实现相对于颗粒污染和表面腐蚀的增加的表面保护。 在一些说明性实施例中，保护层可以在电测试过程中使用，其中相应的接触部分通过保护层接触，从而在相应的测量过程中显着地减少颗粒污染。

公开(公告)号：US20110241167A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US12942664

申请日：2010-11-09

申请人： Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

发明人： Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/0805 ,  H01L21/76811 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Capacitors may be formed in the metallization system of semiconductor devices without requiring a modification of the hard mask patterning process for forming vias and trenches in the dielectric material of the metallization layer under consideration. To this end, a capacitor opening is formed prior to actually forming the hard mask for patterning the trench and via openings, wherein the hard mask material may thus preserve integrity of the capacitor opening and may remain as a portion of the electrode material after filling in the conductive material for the metal lines, vias and the capacitor electrode.

摘要翻译： 可以在半导体器件的金属化系统中形成电容器，而不需要修改用于在考虑的金属化层的电介质材料中形成通路和沟槽的硬掩模图案化工艺。 为此，在实际形成用于图案化沟槽和通孔开口的硬掩模之前形成电容器开口，其中硬掩模材料因此可以保持电容器开口的完整性，并且可以在填充之后保留为电极材料的一部分 用于金属线，通孔和电容器电极的导电材料。

公开(公告)号：US20110201135A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US13094144

申请日：2011-04-26

申请人： Ralf Richter ,  Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

发明人： Ralf Richter ,  Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L21/02074 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02096

摘要： By providing a protective layer in an intermediate manufacturing stage, an increased surface protection with respect to particle contamination and surface corrosion may be achieved. In some illustrative embodiments, the protective layer may be used during an electrical test procedure, in which respective contact portions are contacted through the protective layer, thereby significantly reducing particle contamination during a respective measurement process.

摘要翻译： 通过在中间制造阶段提供保护层，可以实现相对于颗粒污染和表面腐蚀的增加的表面保护。 在一些说明性实施例中，保护层可以在电测试过程中使用，其中相应的接触部分通过保护层接触，从而在相应的测量过程中显着地减少颗粒污染。

公开(公告)号：US07989352B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US11696226

申请日：2007-04-04

申请人： Frank Feustel ,  Kai Frohberg ,  Thomas Werner

发明人： Frank Feustel ,  Kai Frohberg ,  Thomas Werner

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76825

摘要： By forming a conductive material within an etch mask for an anisotropic etch process for patterning openings, such as vias, in a dielectric layer of a metallization structure, the probability for arcing events may be reduced, since excess charge may be laterally distributed. For example, an additional sacrificial conductive layer may be formed or an anti-reflecting coating (ARC) may be provided in the form of a conductive material in order to obtain the lateral charge distribution.

摘要翻译： 通过在蚀刻掩模内形成用于各向异性蚀刻工艺的导电材料，用于图案化金属化结构的电介质层中的诸如通路的开口，因为过量电荷可能横向分布，所以可以减小电弧事件的概率。 例如，可以形成附加的牺牲导电层，或者可以以导电材料的形式提供抗反射涂层（ARC），以获得横向电荷分布。

公开(公告)号：US07977237B2

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：US12894648

申请日：2010-09-30

申请人： Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

发明人： Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76813

摘要： When forming a complex metallization system in which vias of different lateral size have to be provided, a split patterning sequence may be applied. For this purpose, a lithography process may be specifically designed for the critical via openings and a subsequent second patterning process may be applied for forming the vias of increased lateral dimensions, while the critical vias are masked. In this manner, superior process conditions may be established for each of the patterning sequences.

摘要翻译： 当形成其中必须提供不同横向尺寸的通孔的复杂金属化系统时，可以应用分割图案化顺序。 为此目的，光刻工艺可以被专门设计用于临界通孔，并且随后的第二图案化工艺可用于形成增加的横向尺寸的通孔，而临界通孔被掩蔽。 以这种方式，可以为每个图案化序列建立优良的工艺条件。

公开(公告)号：US07800106B2

公开(公告)日：2010-09-21

申请号：US11747320

申请日：2007-05-11

申请人： Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

发明人： Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： OPC results may be efficiently evaluated on the basis of a test structure containing a plurality of line features with opposing end portions. Thus, for different line parameters, the effect of OPC may be determined for a given critical tip-to-tip distance by determining the leakage behavior of the test assemblies, each having different design parameter values for line width and lateral distance between adjacent lines.

摘要翻译： 可以基于包含具有相对端部的多个线特征的测试结构来有效地评估OPC结果。 因此，对于不同的线路参数，可以通过确定测试组件的泄漏行为来确定给定的临界尖端到尖端距离的OPC的效果，每个测试组件对于线宽和相邻线之间的横向距离具有不同的设计参数值。