公开(公告)号：US08637942B2

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：US12461992

申请日：2009-08-31

申请人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

发明人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/02 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A transistor having a metal nitride layer pattern, etchant and methods of forming the same is provided. A gate insulating layer and/or a metal nitride layer may be formed on a semiconductor substrate. A mask layer may be formed on the metal nitride layer. Using the mask layer as an etching mask, an etching process may be performed on the metal nitride layer, forming the metal nitride layer pattern. An etchant, which may have an oxidizing agent, a chelate agent and/or a pH adjusting mixture, may perform the etching. The methods may reduce etching damage to a gate insulating layer under the metal nitride layer pattern during the formation of a transistor.

摘要翻译： 提供具有金属氮化物层图案的晶体管，蚀刻剂及其形成方法。 可以在半导体衬底上形成栅极绝缘层和/或金属氮化物层。 掩模层可以形成在金属氮化物层上。 使用掩模层作为蚀刻掩模，可以对金属氮化物层进行蚀刻处理，形成金属氮化物层图案。 可以具有氧化剂，螯合剂和/或pH调节混合物的蚀刻剂可以进行蚀刻。 在形成晶体管期间，这些方法可以减少金属氮化物层图案下的栅极绝缘层的蚀刻损伤。

公开(公告)号：US08110499B2

公开(公告)日：2012-02-07

申请号：US12437390

申请日：2009-05-07

申请人： Dae-Hyuk Kang ,  Young-Hoo Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Jae-Dong Lee ,  Dae-Hong Eom ,  Jeong-Nam Han

发明人： Dae-Hyuk Kang ,  Young-Hoo Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Jae-Dong Lee ,  Dae-Hong Eom ,  Jeong-Nam Han

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L27/24 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

摘要： An insulation layer may be formed on an object having a contact region. The insulation layer may be partially etched to form an opening exposing the contact region. A material layer including silicon and oxygen may be formed on the exposed contact region. A metal layer may be formed on the material layer including silicon and oxygen. The material layer including silicon and oxygen may be reacted with the metal layer to form a metal oxide silicide layer at least on the contact region. A conductive layer may be formed on the metal oxide silicide layer to fill up the opening.

摘要翻译： 可以在具有接触区域的物体上形成绝缘层。 绝缘层可以被部分蚀刻以形成暴露接触区域的开口。 可以在暴露的接触区域上形成包括硅和氧的材料层。 可以在包括硅和氧的材料层上形成金属层。 包括硅和氧的材料层可以与金属层反应，以至少在接触区域上形成金属氧化物硅化物层。 可以在金属氧化物硅化物层上形成导电层以填充开口。

公开(公告)号：US08084367B2

公开(公告)日：2011-12-27

申请号：US11752834

申请日：2007-05-23

申请人： Hyo-san Lee ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Woo-Gwan Shim ,  Jeong-Nam Han ,  Jung-Min Oh ,  Kwon-Taek Lim ,  Ha-Soo Hwang ,  Haldorai Yuvaraj ,  Jae-Mok Jung

发明人： Hyo-san Lee ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Woo-Gwan Shim ,  Jeong-Nam Han ,  Jung-Min Oh ,  Kwon-Taek Lim ,  Ha-Soo Hwang ,  Haldorai Yuvaraj ,  Jae-Mok Jung

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02101 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L27/10852 ,  Y10S134/902

摘要： Provided herein are etching, cleaning and drying methods using a supercritical fluid, and a chamber system for conducting the same. The etching method includes etching the material layer using a supercritical carbon dioxide in which an etching chemical is dissolved, and removing an etching by-product created from a reaction between the material layer and the etching chemical using a supercritical carbon dioxide in which a cleaning chemical is dissolved. Methods of manufacturing a semiconductor device are also provided.

摘要翻译： 本文提供了使用超临界流体的蚀刻，清洁和干燥方法以及用于进行该临界流体的室系统。 蚀刻方法包括使用其中溶解蚀刻剂的超临界二氧化碳蚀刻材料层，以及使用超临界二氧化碳除去由材料层和蚀刻化学品之间的反应产生的蚀刻副产物，其中清洁化学品 溶解 还提供了制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：US07932163B2

公开(公告)日：2011-04-26

申请号：US12029572

申请日：2008-02-12

申请人： Jong-Heun Lim ,  Chang-Ki Hong ,  Bo-Un Yoon ,  Dae-Lok Bae ,  Seong-Kyu Yun ,  Suk-Hun Choi

发明人： Jong-Heun Lim ,  Chang-Ki Hong ,  Bo-Un Yoon ,  Dae-Lok Bae ,  Seong-Kyu Yun ,  Suk-Hun Choi

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46

CPC分类号： H01L27/0688 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/8221

摘要： Spaced apart bonding surfaces are formed on a first substrate. A second substrate is bonded to the bonding surfaces of the first substrate and cleaved to leave respective semiconductor regions from the second substrate on respective ones of the spaced apart bonding surfaces of the first substrate. The bonding surfaces may include surfaces of at least one insulating region on the first substrate, and at least one active device may be formed in and/or on at least one of the semiconductor regions. A device isolation region may be formed adjacent the at least one of the semiconductor regions.

摘要翻译： 间隔开的接合表面形成在第一基底上。 第二衬底被结合到第一衬底的接合表面并且被切割以在第一衬底的相应的间隔的结合表面上的第二衬底上留下相应的半导体区域。 接合表面可以包括第一衬底上的至少一个绝缘区域的表面，并且至少一个有源器件可以形成在半导体区域中的至少一个中和/或至少一个半导体区域中。 器件隔离区域可以形成为与半导体区域中的至少一个相邻。

公开(公告)号：US07825030B2

公开(公告)日：2010-11-02

申请号：US12277332

申请日：2008-11-25

申请人： Yu-Kyung Kim ,  Kun-Tack Lee ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong

发明人： Yu-Kyung Kim ,  Kun-Tack Lee ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/30617 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6653

摘要： A sacrificial layer and wet etch are used to form a sidewall spacer so as to prevent damage to the structure on which the spacer is formed and to the underlying substrate as well. Once the structure is formed on the substrate a spacer formation layer is formed to cover the structure, and a sacrificial layer is formed on the spacer formation layer. The sacrificial layer is wet etched to form a sacrificial layer pattern on that portion of the spacer formation layer extending along a sidewall of the structure. The spacer is formed on the sidewall of the structure by wet etching the spacer formation layer using the sacrificial layer pattern as a mask.

摘要翻译： 使用牺牲层和湿蚀刻来形成侧壁间隔物，以便防止对形成间隔物的结构和下面的衬底造成损坏。 一旦在衬底上形成结构，形成间隔物形成层以覆盖该结构，并且在间隔物形成层上形成牺牲层。 对牺牲层进行湿式蚀刻以在沿着结构的侧壁延伸的间隔物形成层的该部分上形成牺牲层图案。 通过使用牺牲层图案作为掩模湿蚀刻间隔物形成层，在该结构的侧壁上形成间隔物。

公开(公告)号：US20100127398A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：US12592042

申请日：2009-11-18

申请人： Young-Hoo Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Jae-Dong Lee

发明人： Young-Hoo Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Jae-Dong Lee

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L21/76831 ,  H01L21/76885 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888

摘要： In a wiring structure of a semiconductor device and a method of manufacturing the same, a wiring structure includes a contact pad, a contact plug, a spacer and an insulation interlayer pattern. The contact pad is electrically connected to a contact region of a substrate. The contact plug is provided on the contact pad and is electrically connected to the contact pad. The spacer faces an upper side surface of the contact pad and sidewalls of the contact plug. The insulation interlayer pattern has an opening, the contact plug and the spacer being provided in the opening. The spacer of the wiring structure may prevent the contact pad from being damaged by a cleaning solution while forming a contact plug to be connected to a capacitor.

摘要翻译： 在半导体器件的布线结构及其制造方法中，布线结构包括接触焊盘，接触插塞，间隔物和绝缘夹层图案。 接触垫电连接到基板的接触区域。 接触插头设置在接触垫上并且电连接到接触垫。 隔离物面向接触垫的上侧表面和接触插塞的侧壁。 绝缘夹层图案具有开口，接触插塞和间隔件设置在开口中。 布线结构的间隔件可以防止接触垫在形成要连接到电容器的接触插塞时被清洁溶液损坏。

公开(公告)号：US07718535B2

公开(公告)日：2010-05-18

申请号：US11984399

申请日：2007-11-16

申请人： Jaekwang Choi ,  Jae-Dong Lee ,  Chang-Ki Hong

发明人： Jaekwang Choi ,  Jae-Dong Lee ,  Chang-Ki Hong

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/7684

摘要： The exemplary embodiments of the present invention providing new slurry compositions suitable for use in processes involving the chemical mechanical polishing (CMP) of a polysilicon layer. The slurry compositions include one or more non-ionic polymeric surfactants that will selectively form a passivation layer on an exposed polysilicon surface in order to suppress the polysilicon removal rate relative to silicon oxide and silicon nitride and improve the planarity of the polished substrate. Exemplary surfactants include alkyl and aryl alcohols of ethylene oxide (EO) and propylene oxide (PO) block copolymers and may be present in the slurry compositions in an amount of up to about 5 wt %, although much smaller concentrations may be effective. Other slurry additives may include viscosity modifiers, pH modifiers, dispersion agents, chelating agents, and amine or imine surfactants suitable for modifying the relative removal rates of silicon nitride and silicon oxide.

摘要翻译： 提供适用于涉及多晶硅层的化学机械抛光（CMP）的工艺的新的浆料组合物的本发明的示例性实施方案。 浆料组合物包括一种或多种非离子聚合物表面活性剂，其将在暴露的多晶硅表面上选择性地形成钝化层，以便抑制相对于氧化硅和氮化硅的多晶硅去除速率并提高抛光的基材的平面度。 示例性的表面活性剂包括环氧乙烷（EO）和环氧丙烷（PO）嵌段共聚物的烷基和芳基醇，并且可以以高达约5重量％的量存在于浆料组合物中，尽管更小的浓度可能是有效的。 其它浆料添加剂可以包括粘度调节剂，pH调节剂，分散剂，螯合剂和适于改变氮化硅和氧化硅的相对去除速率的胺或亚胺表面活性剂。

公开(公告)号：US07704828B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US11741639

申请日：2007-04-27

申请人： Jung-Min Oh ,  Jeong-Nam Han ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Dae-Hyuk Kang ,  Sung-Il Cho

发明人： Jung-Min Oh ,  Jeong-Nam Han ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Dae-Hyuk Kang ,  Sung-Il Cho

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L28/91

摘要： A method of fabricating a semiconductor device is provided. The method includes forming a mold for forming a storage electrode, forming sacrificial spacers at side walls of openings in the mold, forming a conductive film for a storage electrode along the inside of the openings, removing the mold by a wet etching process, removing the sacrificial spacers by a dry etching process, and sequentially forming a dielectric film and an upper electrode on the storage electrode.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 该方法包括形成用于形成存储电极的模具，在模具的开口的侧壁处形成牺牲隔离物，沿着开口的内部形成用于存储电极的导电膜，通过湿法蚀刻工艺移除模具， 牺牲隔离物，并且在存储电极上依次形成电介质膜和上电极。

公开(公告)号：US07700496B2

公开(公告)日：2010-04-20

申请号：US11358082

申请日：2006-02-22

申请人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

发明人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/02 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A transistor having a metal nitride layer pattern, etchant and methods of forming the same is provided. A gate insulating layer and/or a metal nitride layer may be formed on a semiconductor substrate. A mask layer may be formed on the metal nitride layer. Using the mask layer as an etching mask, an etching process may be performed on the metal nitride layer, forming the metal nitride layer pattern. An etchant, which may have an oxidizing agent, a chelate agent and/or a pH adjusting mixture, may perform the etching. The methods may reduce etching damage to a gate insulating layer under the metal nitride layer pattern during the formation of a transistor.

公开(公告)号：US20100019292A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：US12461992

申请日：2009-08-31

申请人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

发明人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

IPC分类号： H01L29/78 ,  C09K13/00 ,  C09K13/02 ,  C09K13/04 ,  C09K13/08 ,  C09K13/06

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/02 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A transistor having a metal nitride layer pattern, etchant and methods of forming the same is provided. A gate insulating layer and/or a metal nitride layer may be formed on a semiconductor substrate. A mask layer may be formed on the metal nitride layer. Using the mask layer as an etching mask, an etching process may be performed on the metal nitride layer, forming the metal nitride layer pattern. An etchant, which may have an oxidizing agent, a chelate agent and/or a pH adjusting mixture, may perform the etching. The methods may reduce etching damage to a gate insulating layer under the metal nitride layer pattern during the formation of a transistor.

摘要翻译： 提供具有金属氮化物层图案的晶体管，蚀刻剂及其形成方法。 可以在半导体衬底上形成栅极绝缘层和/或金属氮化物层。 掩模层可以形成在金属氮化物层上。 使用掩模层作为蚀刻掩模，可以对金属氮化物层进行蚀刻处理，形成金属氮化物层图案。 可以具有氧化剂，螯合剂和/或pH调节混合物的蚀刻剂可以进行蚀刻。 在形成晶体管期间，这些方法可以减少金属氮化物层图案下的栅极绝缘层的蚀刻损伤。