公开(公告)号：US08563441B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US12111122

申请日：2008-04-28

申请人： Yi Ma ,  Robert Bertram Ogle

发明人： Yi Ma ,  Robert Bertram Ogle

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/792

摘要： Methods for fabricating a semiconductor FIN structure with smooth sidewalls and rounded top corners and edges is disclosed. A method includes forming a plurality of semiconductor FIN structures. A sacrificial oxide layer is formed on the top surface and the sidewall surfaces of the plurality of semiconductor FIN structures for rounding the corners and edges between the top surfaces and the sidewall surfaces of the plurality of semiconductor FIN structures. The sacrificial oxide layer is removed with a high selectivity oxide etchant. The plurality of semiconductor FIN structures are annealed in a hydrogen environment. A tunnel oxide is formed over the plurality of semiconductor FIN structures.

摘要翻译： 公开了制造具有平滑侧壁和圆角顶角和边缘的半导体FIN结构的方法。 一种方法包括形成多个半导体FIN结构。 在多个半导体FIN结构的顶表面和侧壁表面上形成牺牲氧化物层，用于使多个半导体FIN结构的顶表面和侧壁表面之间的角和边缘倒圆。 用高选择性氧化物蚀刻剂除去牺牲氧化物层。 多个半导体FIN结构在氢环境中退火。 在多个半导体FIN结构上形成隧道氧化物。

公开(公告)号：US20120134588A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：US13310730

申请日：2011-12-03

申请人： Xin Zhang ,  Zhengdong Zhang ,  Xiao Liang ,  Zhouchen Lin ,  Yi Ma

发明人： Xin Zhang ,  Zhengdong Zhang ,  Xiao Liang ,  Zhouchen Lin ,  Yi Ma

IPC分类号： G06K9/34

CPC分类号： G06K9/3275 ,  G06K9/6249 ,  G06K2209/01

摘要： A “Text Rectifier” provides various techniques for processing selected regions of an image containing text or characters by treating those images as matrices of low-rank textures and using a rank minimization technique that recovers and removes image deformations (e.g., affine and projective transforms as well as general classes of nonlinear transforms) while rectifying the text or characters in the image region. Once distortions have been removed and the text or characters rectified, the resulting text is made available for a variety of uses or further processing such as optical character recognition (OCR). In various embodiments, binarization and/or inversion techniques are applied to the selected image regions during the rank minimization process to both improve text rectification and to present the resulting images of text to an OCR engine in a form that enhances the accuracy of the OCR results.

摘要翻译： “文本整流器”提供了通过将这些图像作为低阶纹理矩阵来处理包含文本或字符的图像的选定区域的各种技术，并且使用恢复和去除图像变形的秩最小化技术（例如，仿射和投影变换为 以及非线性变换的一般类），同时整理图像区域中的文本或字符。 一旦失真被消除并且文本或者字符被纠正，则所得到的文本可用于各种用途或进一步的处理，例如光学字符识别（OCR）。 在各种实施例中，在秩最小化处理期间将二值化和/或反转技术应用于所选择的图像区域，以改善文本校正，并以提高OCR结果的准确性的形式向OCR引擎呈现文本的所得图像 。

公开(公告)号：US08043907B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12687732

申请日：2010-01-14

申请人： Yi Ma ,  Shreyas S. Kher ,  Khaled Ahmed ,  Tejal Goyani ,  Maitreyee Mahajani ,  Jallepally Ravi ,  Yi-Chiau Huang

发明人： Yi Ma ,  Shreyas S. Kher ,  Khaled Ahmed ,  Tejal Goyani ,  Maitreyee Mahajani ,  Jallepally Ravi ,  Yi-Chiau Huang

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/42324 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/7881

摘要： Embodiments of the invention provide memory devices and methods for forming such memory devices. In one embodiment, a method for fabricating a non-volatile memory device on a substrate is provided which includes depositing a first polysilicon layer on a substrate surface, depositing a silicon oxide layer on the first polysilicon layer, depositing a first silicon oxynitride layer on the silicon oxide layer, depositing a silicon nitride layer on the first silicon oxynitride layer, depositing a second silicon oxynitride layer on the silicon nitride layer, and depositing a second polysilicon layer on the second silicon oxynitride layer. In some examples, the first polysilicon layer is a floating gate and the second polysilicon layer is a control gate.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了用于形成这种存储器件的存储器件和方法。 在一个实施例中，提供了一种用于在衬底上制造非易失性存储器件的方法，其包括在衬底表面上沉积第一多晶硅层，在第一多晶硅层上沉积氧化硅层，在第一多晶硅层上沉积第一氧氮化硅层 氧化硅层，在第一氧氮化硅层上沉积氮化硅层，在氮化硅层上沉积第二氮氧化硅层，以及在第二氮氧化硅层上沉积第二多晶硅层。 在一些示例中，第一多晶硅层是浮置栅极，第二多晶硅层是控制栅极。

公开(公告)号：US20100102376A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12687732

申请日：2010-01-14

申请人： Yi Ma ,  Shreyas S. Kher ,  Khaled Ahmed ,  Tejal Goyani ,  Maitreyee Mahajani ,  Jallepally Ravi ,  Yi-Chiau Huang

发明人： Yi Ma ,  Shreyas S. Kher ,  Khaled Ahmed ,  Tejal Goyani ,  Maitreyee Mahajani ,  Jallepally Ravi ,  Yi-Chiau Huang

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/42324 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/7881

摘要： Embodiments of the invention provide memory devices and methods for forming such memory devices. In one embodiment, a method for fabricating a non-volatile memory device on a substrate is provided which includes depositing a first polysilicon layer on a substrate surface, depositing a silicon oxide layer on the first polysilicon layer, depositing a first silicon oxynitride layer on the silicon oxide layer, depositing a silicon nitride layer on the first silicon oxynitride layer, depositing a second silicon oxynitride layer on the silicon nitride layer, and depositing a second polysilicon layer on the second silicon oxynitride layer. In some examples, the first polysilicon layer is a floating gate and the second polysilicon layer is a control gate.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了用于形成这种存储器件的存储器件和方法。 在一个实施例中，提供了一种用于在衬底上制造非易失性存储器件的方法，其包括在衬底表面上沉积第一多晶硅层，在第一多晶硅层上沉积氧化硅层，在第一多晶硅层上沉积第一氧氮化硅层 氧化硅层，在第一氧氮化硅层上沉积氮化硅层，在氮化硅层上沉积第二氮氧化硅层，以及在第二氮氧化硅层上沉积第二多晶硅层。 在一些示例中，第一多晶硅层是浮置栅极，第二多晶硅层是控制栅极。

公开(公告)号：US20090246972A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12057113

申请日：2008-03-27

申请人： SHREYAS S. KHER ,  Pravin K. Narwankar ,  Khaled Z. Ahmed ,  Yi Ma

发明人： SHREYAS S. KHER ,  Pravin K. Narwankar ,  Khaled Z. Ahmed ,  Yi Ma

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/31645 ,  C23C14/083 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3141

摘要： Processes for making a high K (dielectric constant) film using an ultra-high purity hafnium containing organometallic compound are disclosed. Also described are devices incorporating high K films made with high purity hafnium containing organometallic compounds.

摘要翻译： 公开了使用含有超高纯度铪的有机金属化合物制造高K（介电常数）膜的方法。 还描述了包含用高纯度铪含有有机金属化合物制成的高K膜的装置。

公开(公告)号：US06544907B1

公开(公告)日：2003-04-08

申请号：US09689030

申请日：2000-10-12

申请人： Yi Ma ,  Edith Yang

发明人： Yi Ma ,  Edith Yang

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/28211

摘要： The present invention provides a method for manufacturing a high quality oxide layer having a uniform thickness. The method includes providing a semiconductor substrate, and forming an oxide layer having a substantially uniform thickness on the semiconductor substrate, and in a zone of pressure of less than about 4 Torr or greater than about 25 Torr.

摘要翻译： 本发明提供一种具有均匀厚度的高品质氧化物层的制造方法。 该方法包括提供半导体衬底，以及在半导体衬底上形成具有基本上均匀厚度的氧化物层，以及小于约4Torr或大于约25Torr的压力区。

公开(公告)号：US06451660B1

公开(公告)日：2002-09-17

申请号：US09591037

申请日：2000-06-09

申请人： Yi Ma ,  Yih-Feng Chyan ,  Chung Wai Leung ,  Jane Qian Liu ,  Timothy Scott Campbell

发明人： Yi Ma ,  Yih-Feng Chyan ,  Chung Wai Leung ,  Jane Qian Liu ,  Timothy Scott Campbell

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/31675 ,  H01L29/0804

摘要： A bipolar device (10) includes an oxide layer (24) which is grown on the surface (16) of a semiconductor substrate (12) by immersing the surface in ozonated deionized water. By selecting an appropriate temperature of the water and concentration of the ozone, the thickness of the film can be maintained within fine tolerances from lot to lot, and over the surface of a wafer (W) comprising the substrate.

摘要翻译： 双极器件（10）包括通过将表面浸入臭氧化去离子水中而在半导体衬底（12）的表面（16）上生长的氧化物层（24）。 通过选择水的适当温度和臭氧的浓度，可以将薄膜的厚度保持在大量的精细公差之内，并且在包含基底的晶片（W）的表面上。

公开(公告)号：US06274490B1

公开(公告)日：2001-08-14

申请号：US09521268

申请日：2000-03-08

申请人： Yih-Feng Chyan ,  Yi Ma

发明人： Yih-Feng Chyan ,  Yi Ma

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L29/518 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834

摘要： The present invention provides a method of passivating a semiconductor device having a capping layer formed thereover, comprising: (1) subjecting the semiconductor device to a high pressure within a pressure chamber and (2) exposing the semiconductor device to a passivating gas. The high pressure causes the passivating gas, such as a deuterated passivating gas, to penetrate the capping layer and thereby passivate the semiconductor device. The method provided by the present invention is, therefore, particularly useful in those instances where a final passivation step is desired after the formation of the capping layer. It is believed that the hydrogen isotope bonds to dangling bond sites within the semiconductor device, which are most often present at a silicon/silicon dioxide interface. Further, because of their larger mass, these hydrogen isotope atoms are not easily removed by electron flow during the operation of the device as is the case with the lighter hydrogen atoms.

摘要翻译： 本发明提供一种钝化具有形成在其上的覆盖层的半导体器件的方法，包括：（1）使半导体器件在压力室内受到高压，以及（2）将半导体器件暴露于钝化气体。 高压使诸如氘代钝化气体的钝化气体穿透封盖层，从而钝化半导体器件。 因此，本发明提供的方法在形成覆盖层之后需要最终钝化步骤的情况下特别有用。 据信氢同位素结合到半导体器件内的悬挂键合位置，其通常存在于硅/二氧化硅界面处。 此外，由于它们的质量较大，与较轻的氢原子一样，这些氢同位素原子在器件的操作过程中不容易被电子流除去。

公开(公告)号：US06147388A

公开(公告)日：2000-11-14

申请号：US977318

申请日：1997-11-24

申请人： Yi Ma ,  Sailesh Mansinh Merchant ,  Minseok Oh ,  Pradip Kumar Roy

发明人： Yi Ma ,  Sailesh Mansinh Merchant ,  Minseok Oh ,  Pradip Kumar Roy

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/43 ,  H01L29/49 ,  H01L21/283 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/28061 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4941

摘要： A CMOS gate structure comprises a multilayered polysilicon structure and a deposited silicide layer, with a nitridized silicide barrier layer formed therebetween. The multilayered polysilicon will exhibit a relatively large grain size and uniform structure. The deposited silicide layer is annealed to mimic the polysilicon grain size and structure. The combination of the tailored grain structure with the intermediate barrier layer results in a gate structure that is essentially impervious to subsequent dopant diffusions.

摘要翻译： CMOS栅极结构包括多层多晶硅结构和沉积的硅化物层，其间形成氮化硅化物阻挡层。 多层多晶硅将具有相对较大的晶粒尺寸和均匀的结构。 将沉积的硅化物层退火以模拟多晶硅晶粒尺寸和结构。 定制的晶粒结构与中间阻挡层的组合导致栅极结构，其基本上不渗透随后的掺杂剂扩散。

公开(公告)号：US5908312A

公开(公告)日：1999-06-01

申请号：US864220

申请日：1997-05-28

申请人： Kin Ping Cheung ,  Steven James Hillenius ,  Chun-Ting Liu ,  Yi Ma ,  Pradip Kumar Roy

发明人： Kin Ping Cheung ,  Steven James Hillenius ,  Chun-Ting Liu ,  Yi Ma ,  Pradip Kumar Roy

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/2822 ,  H01L29/518 ,  H01L21/26506

摘要： A method of preventing diffusion penetration of the dopant used to dope polysilicon gate material in a MOSFET is disclosed. Atomic nitrogen is introduced into the substrate prior to gate oxide growth. The nitrogen later diffuses upward into the gate oxide and blocks subsequent ion implanted gate dopants from penetrating to the substrate. Low dosages of atomic nitrogen implantation, while not significantly affecting gate oxide growth rate, produce significant improvements in the damage immunity of thin gate oxides.

摘要翻译： 公开了一种防止用于掺杂MOSFET中的多晶硅栅极材料的掺杂剂的扩散渗透的方法。 在栅极氧化物生长之前将原子氮引入衬底中。 然后氮气向上扩散到栅极氧化物中，并阻止随后的离子注入的栅极掺杂剂渗透到衬底。 低剂量的原子氮注入虽然没有显着影响栅极氧化物的生长速率，但对薄栅氧化物的损伤免疫力产生了显着的改善。