公开(公告)号：US20070165434A1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：US11655086

申请日：2007-01-19

申请人： Jung-Hyun Lee ,  Eun-Hong Lee ,  Sang-Jun Choi ,  In-Kyeong Yoo ,  Myoung-Jae Lee

发明人： Jung-Hyun Lee ,  Eun-Hong Lee ,  Sang-Jun Choi ,  In-Kyeong Yoo ,  Myoung-Jae Lee

IPC分类号： G11C27/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/76

摘要： Resistive memory devices having at least one varistor and methods of operating the same are disclosed. The resistive memory device may include at least one bottom electrode line, at least one top electrode line crossing the at least one bottom electrode line, and at least one stack structure disposed at an intersection of the at least one top electrode line and the at least one bottom electrode line including a varistor and a data storage layer.

摘要翻译： 公开了具有至少一个压敏电阻的电阻式存储器件及其操作方法。 电阻式存储器件可以包括至少一个底部电极线，与至少一个底部电极线交叉的至少一个顶部电极线以及至少一个堆叠结构，该至少一个堆叠结构设置在至少一个顶部电极线和至少一个顶部电极线的交点处 一个底部电极线包括变阻器和数据存储层。

公开(公告)号：US07226725B2

公开(公告)日：2007-06-05

申请号：US11434536

申请日：2006-05-15

申请人： Sang-Jun Choi

发明人： Sang-Jun Choi

IPC分类号： G03F7/40

CPC分类号： G03F7/0757 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0385 ,  G03F7/0755 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

摘要： A negative resist composition and a patterning method for semiconductor devices using the composition are provided. In one aspect, a negative resist composition comprises an alkali-soluble base polymer having an epoxy ring substituent, a silicon-containing crosslinker having multiple hydroxy groups, and a photoacid generator. In another aspect, a patterning method includes using the negative resist composition in a bi-layer resist process to form fine patterns.

摘要翻译： 提供了使用该组合物的半导体器件的负型抗蚀剂组合物和图案化方法。 一方面，负性抗蚀剂组合物包含具有环氧环取代基的碱溶性基础聚合物，具有多个羟基的含硅交联剂和光酸产生剂。 在另一方面，图案化方法包括在双层抗蚀剂工艺中使用负性抗蚀剂组合物以形成精细图案。

公开(公告)号：US20070048672A1

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：US11447932

申请日：2006-06-07

申请人： Sang-Jun Choi ,  Mitsuhiro Hata ,  Han-Ku Cho

发明人： Sang-Jun Choi ,  Mitsuhiro Hata ,  Han-Ku Cho

IPC分类号： G03C5/00

CPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/2041

摘要： Provided are example embodiments of the invention including a range of polymer structures suitable for incorporation in barrier compositions for use, for example, in immersion photolithography in combination with a suitable solvent or solvent system. These polymers exhibit a weight average molecular weight (Mw) of 5,000 to 200,000 daltons and may be generally represented by formula I: wherein the expressions (1+m+n)=1; 0.1≦(1/(1+m+n))≦0.7; 0.3≦(m/(1+m+n))≦0.9; and 0.0≦(n/(1+m+n))≦0.6 are satisfied; R1, R2 and R3 are C1 to C5 alkyl, C1 to C5 alkoxy and hydroxyl groups; and Z represents an alkene that includes at least one hydrophilic group. Barrier coating compositions will include an organic solvent or solvent system selected from C3 to C10 alcohol-based organic solvents, C4 to C12 alkane-based organic solvents and mixtures thereof.

摘要翻译： 提供本发明的示例性实施方案，其包括适用于结合到阻挡组合物中的聚合物结构的范围，用于例如浸渍光刻法与合适的溶剂或溶剂体系的组合。 这些聚合物的重均分子量（Mw）为5000〜200,000道尔顿，通常可以由式I表示：式（1 + m + n）= 1; 0.1 <=（1 /（1 + m + n））<= 0.7; 0.3 <=（m /（1 + m + n））<= 0.9; 并且满足0.0 <=（n /（1 + m + n））<= 0.6; R 1，R 2和R 3均为C 1至C 5烷基 C 1 -C 5烷氧基和羟基; Z表示包含至少一个亲水基团的烯烃。 阻挡涂层组合物将包括选自C 3〜C 10醇基有机溶剂，C 4〜C 6烷基的有机溶剂或溶剂体系， 基于烷烃的有机溶剂及其混合物。

公开(公告)号：US07105271B2

公开(公告)日：2006-09-12

申请号：US10400097

申请日：2003-03-26

申请人： Sang-Jun Choi

发明人： Sang-Jun Choi

IPC分类号： G03F7/075 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/095 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/40 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126 ,  Y10S430/146

摘要： A negative resist composition and a method for patterning semiconductor devices using the composition are provided. The negative resist composition contains an alkali-soluble hydroxy-substituted base polymer, a silicon-containing crosslinker having an epoxy ring, and a photoacid generator. In the method for patterning semiconductor devices, fine patterns are formed according to a bi-layer resist process using the negative resist composition.

公开(公告)号：US08614113B2

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：US13239457

申请日：2011-09-22

申请人： Yu-Jin Ahn ,  Duck-Hyung Lee ,  Jong-Cheol Shin ,  Chang-Rok Moon ,  Sang-Jun Choi ,  Eun-Kyung Park

发明人： Yu-Jin Ahn ,  Duck-Hyung Lee ,  Jong-Cheol Shin ,  Chang-Rok Moon ,  Sang-Jun Choi ,  Eun-Kyung Park

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1463

摘要： An image sensor and a method for fabricating the image sensor are provided. The method for fabricating the image sensor includes forming a first insulating layer on a semiconductor epitaxial layer having multiple pixel regions; patterning a portion of the semiconductor epitaxial layer and the first insulating layer in a boundary region between the pixel regions to form a trench; forming a buried insulating layer on the first insulating layer, filling the trench, the buried insulating layer having a planar top surface; forming a second insulating layer on the buried insulating layer; forming a first mask pattern on the second insulating layer, the first mask pattern defining an opening overlapping the trench; and performing an ion implantation process using the first mask pattern as an ion implantation mask to form a first type potential barrier region in a bottom of the trench.

摘要翻译： 提供了一种用于制造图像传感器的图像传感器和方法。 制造图像传感器的方法包括在具有多个像素区域的半导体外延层上形成第一绝缘层; 在像素区域之间的边界区域中构图半导体外延层和第一绝缘层的一部分以形成沟槽; 在所述第一绝缘层上形成掩埋绝缘层，填充所述沟槽，所述掩埋绝缘层具有平坦的顶表面; 在所述掩埋绝缘层上形成第二绝缘层; 在所述第二绝缘层上形成第一掩模图案，所述第一掩模图案限定与所述沟槽重叠的开口; 以及使用所述第一掩模图案作为离子注入掩模进行离子注入处理，以在所述沟槽的底部形成第一类型的势垒区域。

公开(公告)号：US20120241636A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：US13514595

申请日：2010-05-27

申请人： Jae-Kyoung Ahn ,  Sang-Jun Choi

发明人： Jae-Kyoung Ahn ,  Sang-Jun Choi

IPC分类号： G01T1/185

CPC分类号： G01N21/63 ,  G01N27/622

摘要： The present invention relates to an apparatus for measuring a compound using a photo-ionization detector. The apparatus comprises: an ultra violet (UV) lamp (10) which is filled with a krypton gas as an inert gas and emits UV light of 10.6 eV; a photo-ionization detector (PID) unit (100) which detects a compound (50) ionized by the UV lamp; a delay unit (200) which delays the compound (50) ionized through the PID unit so as to change the ionized compound into the original compound; and a collection unit (300) for collecting the compound (50) outputted through the delay unit. Accordingly, the PID unit is connected through the delay unit to the collection unit so that the compound which is quantitatively analyzed by the PID unit can be grasped in detail by the collection unit. In addition, the collection unit having only a qualitative analysis function is connected with the PID unit so that the concentration change of the compound which is qualitatively analyzed by the collection unit can be grasped in real time.

摘要翻译： 本发明涉及一种使用光电离检测器测量化合物的装置。 该装置包括：紫外线（UV）灯（10），其填充有氪气作为惰性气体并发射10.6eV的紫外光; 光电离检测器（PID）单元（100），其检测由所述UV灯电离的化合物（50）; 延迟单元（200），延迟通过PID单元离子化的化合物（50），以将离子化合物改变成原始化合物; 以及收集单元（300），用于收集通过延迟单元输出的化合物（50）。 因此，PID单元通过延迟单元连接到收集单元，使得由PID单元定量分析的化合物可以被收集单元详细掌握。 此外，仅具有定性分析功能的收集单元与PID单元连接，从而可以实时掌握由收集单元定性分析的化合物的浓度变化。

公开(公告)号：US20100167200A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12654740

申请日：2009-12-30

申请人： Sang-Jun Choi ,  Sung-Jae Lee ,  Seung-Jib Choi

发明人： Sang-Jun Choi ,  Sung-Jae Lee ,  Seung-Jib Choi

IPC分类号： G03F7/004 ,  C07D307/12 ,  C07C69/608 ,  C08F24/00 ,  C08F32/08

CPC分类号： C07C69/67 ,  C07C2603/74 ,  C07D307/33 ,  C08F232/04 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0397

摘要： A (meth)acrylate compound having an acid-labile ester group, a photosensitive polymer, and a resist composition including the same, the (meth)acrylate compound being represented by the following Chemical Formula 1 wherein, R1 is hydrogen or methyl, R2 and R3 are each independently a substituted or unsubstituted linear alkyl, a substituted or unsubstituted cyclic alkyl, or linked each other to form a monocyclic ring or a fused-ring, and R4 is a linear ester or cyclic ester group.

摘要翻译： 具有酸不稳定酯基的（甲基）丙烯酸酯化合物，感光性聚合物和包含它们的抗蚀剂组合物，（甲基）丙烯酸酯化合物由以下化学式1表示，其中R 1是氢或甲基，R 2和 R 3各自独立地为取代或未取代的直链烷基，取代或未取代的环烷基，或彼此连接形成单环或稠环，并且R 4为直链酯或环酯基。

公开(公告)号：US20100151388A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12654135

申请日：2009-12-11

申请人： Young-Soo Yang ,  Seung-Jib Choi ,  Jun-Sunk Kim ,  Sang-Jun Choi

发明人： Young-Soo Yang ,  Seung-Jib Choi ,  Jun-Sunk Kim ,  Sang-Jun Choi

IPC分类号： G03F7/004 ,  C07D211/60 ,  C08F226/06 ,  C07D207/12

CPC分类号： C07D207/48 ,  C07D211/22 ,  C07D211/42 ,  C07D211/46 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  C08F220/34 ,  G03F7/0397

摘要： A (meth)acrylate compound having a nitrogen-containing cyclic group, a photosensitive polymer, and a resist composition including the same, the (meth)acrylate compound being represented by the following Chemical Formula 1:

摘要翻译： 具有含氮环状基团的（甲基）丙烯酸酯化合物，感光性高分子和含有它们的抗蚀剂组合物，（甲基）丙烯酸酯化合物由下列化学式1表示：

公开(公告)号：US07642042B2

公开(公告)日：2010-01-05

申请号：US11585082

申请日：2006-10-24

申请人： Mitsuhiro Hata ,  Sang-Jun Choi ,  Sang-Gyun Woo ,  Man-Hyoung Ryoo

发明人： Mitsuhiro Hata ,  Sang-Jun Choi ,  Sang-Gyun Woo ,  Man-Hyoung Ryoo

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/30

CPC分类号： C08F222/06 ,  C08F8/12 ,  C08F8/14 ,  C08F216/08 ,  C08F216/165 ,  C08F230/08 ,  C08F2800/20 ,  C08F2810/50 ,  C08F216/18 ,  C08F216/20 ,  C08F210/14

摘要： A polymer, a top coating layer, a top coating composition and an immersion lithography process using the same are disclosed. The top coating layer polymer may include a deuterated carboxyl group having a desired acidity such that the top coating layer polymer may be insoluble with water and a photoresist, and soluble in a developer. The polymer may be included in a top coating layer and a top coating composition.

摘要翻译： 公开了一种聚合物，顶涂层，顶涂层组合物和使用其的浸没光刻工艺。 顶部涂层聚合物可以包括具有所需酸度的氘代羧基，使得顶部涂层聚合物可能与水和光致抗蚀剂不溶，并且可溶于显影剂。 聚合物可以包括在顶部涂层和顶部涂层组合物中。

公开(公告)号：US07579283B2

公开(公告)日：2009-08-25

申请号：US11653390

申请日：2007-01-16

申请人： Sang-Jun Choi ,  Jung-hyun Lee ,  Sang-bong Bang

发明人： Sang-Jun Choi ,  Jung-hyun Lee ,  Sang-bong Bang

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/3124

摘要： Provided is an insulation layer patterning method employing a flowable oxide, which does not use a photo-resist. Also, an insulation layer pattern and display devices including the insulation layer are disclosed.

摘要翻译： 提供了使用不使用光致抗蚀剂的可流动氧化物的绝缘层图案化方法。 此外，公开了一种绝缘层图案和包括绝缘层的显示装置。