公开(公告)号：US20070165434A1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：US11655086

申请日：2007-01-19

申请人： Jung-Hyun Lee ,  Eun-Hong Lee ,  Sang-Jun Choi ,  In-Kyeong Yoo ,  Myoung-Jae Lee

发明人： Jung-Hyun Lee ,  Eun-Hong Lee ,  Sang-Jun Choi ,  In-Kyeong Yoo ,  Myoung-Jae Lee

IPC分类号： G11C27/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/76

摘要： Resistive memory devices having at least one varistor and methods of operating the same are disclosed. The resistive memory device may include at least one bottom electrode line, at least one top electrode line crossing the at least one bottom electrode line, and at least one stack structure disposed at an intersection of the at least one top electrode line and the at least one bottom electrode line including a varistor and a data storage layer.

摘要翻译： 公开了具有至少一个压敏电阻的电阻式存储器件及其操作方法。 电阻式存储器件可以包括至少一个底部电极线，与至少一个底部电极线交叉的至少一个顶部电极线以及至少一个堆叠结构，该至少一个堆叠结构设置在至少一个顶部电极线和至少一个顶部电极线的交点处 一个底部电极线包括变阻器和数据存储层。

公开(公告)号：US07714313B2

公开(公告)日：2010-05-11

申请号：US11655086

申请日：2007-01-19

申请人： Jung-Hyun Lee ,  Eun-Hong Lee ,  Sang-Jun Choi ,  In-Kyeong Yoo ,  Myoung-Jae Lee

发明人： Jung-Hyun Lee ,  Eun-Hong Lee ,  Sang-Jun Choi ,  In-Kyeong Yoo ,  Myoung-Jae Lee

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/76

摘要： Resistive memory devices having at least one varistor and methods of operating the same are disclosed. The resistive memory device may include at least one bottom electrode line, at least one top electrode line crossing the at least one bottom electrode line, and at least one stack structure disposed at an intersection of the at least one top electrode line and the at least one bottom electrode line including a varistor and a data storage layer.

摘要翻译： 公开了具有至少一个压敏电阻的电阻式存储器件及其操作方法。 电阻式存储器件可以包括至少一个底部电极线，与至少一个底部电极线交叉的至少一个顶部电极线以及至少一个堆叠结构，该至少一个堆叠结构设置在至少一个顶部电极线和至少一个顶部电极线的交点处 一个底部电极线包括变阻器和数据存储层。

公开(公告)号：US07579283B2

公开(公告)日：2009-08-25

申请号：US11653390

申请日：2007-01-16

申请人： Sang-Jun Choi ,  Jung-hyun Lee ,  Sang-bong Bang

发明人： Sang-Jun Choi ,  Jung-hyun Lee ,  Sang-bong Bang

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/3124

摘要： Provided is an insulation layer patterning method employing a flowable oxide, which does not use a photo-resist. Also, an insulation layer pattern and display devices including the insulation layer are disclosed.

摘要翻译： 提供了使用不使用光致抗蚀剂的可流动氧化物的绝缘层图案化方法。 此外，公开了一种绝缘层图案和包括绝缘层的显示装置。

公开(公告)号：US09023582B2

公开(公告)日：2015-05-05

申请号：US13795268

申请日：2013-03-12

申请人： Sang-Jun Choi

发明人： Sang-Jun Choi

IPC分类号： G03F7/20 ,  C08G63/66 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039

CPC分类号： C08G63/66 ,  C08G63/16 ,  C08G63/672 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0395 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/128

摘要： A photosensitive polymer includes a repeating unit represented by Formula 1 and the photosensitive polymer has a weight average molecule weight of from about 3,000 to about 50,000:

摘要翻译： 光敏聚合物包括由式1表示的重复单元，光敏聚合物的重均分子量为约3,000至约50,000：

公开(公告)号：US08637942B2

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：US12461992

申请日：2009-08-31

申请人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

发明人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/02 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A transistor having a metal nitride layer pattern, etchant and methods of forming the same is provided. A gate insulating layer and/or a metal nitride layer may be formed on a semiconductor substrate. A mask layer may be formed on the metal nitride layer. Using the mask layer as an etching mask, an etching process may be performed on the metal nitride layer, forming the metal nitride layer pattern. An etchant, which may have an oxidizing agent, a chelate agent and/or a pH adjusting mixture, may perform the etching. The methods may reduce etching damage to a gate insulating layer under the metal nitride layer pattern during the formation of a transistor.

摘要翻译： 提供具有金属氮化物层图案的晶体管，蚀刻剂及其形成方法。 可以在半导体衬底上形成栅极绝缘层和/或金属氮化物层。 掩模层可以形成在金属氮化物层上。 使用掩模层作为蚀刻掩模，可以对金属氮化物层进行蚀刻处理，形成金属氮化物层图案。 可以具有氧化剂，螯合剂和/或pH调节混合物的蚀刻剂可以进行蚀刻。 在形成晶体管期间，这些方法可以减少金属氮化物层图案下的栅极绝缘层的蚀刻损伤。

公开(公告)号：US20120077301A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13239457

申请日：2011-09-22

申请人： Yu-Jin Ahn ,  Duck-Hyung Lee ,  Jong-Cheol Shin ,  Chang-Rok Moon ,  Sang-Jun Choi ,  Eun-Kyung Park

发明人： Yu-Jin Ahn ,  Duck-Hyung Lee ,  Jong-Cheol Shin ,  Chang-Rok Moon ,  Sang-Jun Choi ,  Eun-Kyung Park

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1463

摘要： An image sensor and a method for fabricating the image sensor are provided. The method for fabricating the image sensor includes forming a first insulating layer on a semiconductor epitaxial layer having multiple pixel regions; patterning a portion of the semiconductor epitaxial layer and the first insulating layer in a boundary region between the pixel regions to form a trench; forming a buried insulating layer on the first insulating layer, filling the trench, the buried insulating layer having a planar top surface; forming a second insulating layer on the buried insulating layer; forming a first mask pattern on the second insulating layer, the first mask pattern defining an opening overlapping the trench; and performing an ion implantation process using the first mask pattern as an ion implantation mask to form a first type potential barrier region in a bottom of the trench.

摘要翻译： 提供了一种用于制造图像传感器的图像传感器和方法。 制造图像传感器的方法包括在具有多个像素区域的半导体外延层上形成第一绝缘层; 在像素区域之间的边界区域中构图半导体外延层和第一绝缘层的一部分以形成沟槽; 在所述第一绝缘层上形成掩埋绝缘层，填充所述沟槽，所述掩埋绝缘层具有平坦的顶表面; 在所述掩埋绝缘层上形成第二绝缘层; 在所述第二绝缘层上形成第一掩模图案，所述第一掩模图案限定与所述沟槽重叠的开口; 以及使用所述第一掩模图案作为离子注入掩模进行离子注入处理，以在所述沟槽的底部形成第一类型的势垒区域。

公开(公告)号：US20110123925A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US12950369

申请日：2010-11-19

申请人： Sang-Geun YUN ,  Sang-Jun Choi ,  Seung-Jib Choi ,  Sung-Jae Lee

发明人： Sang-Geun YUN ,  Sang-Jun Choi ,  Seung-Jib Choi ,  Sung-Jae Lee

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  C08F220/28 ,  C09D127/12

CPC分类号： C08F220/28 ,  C08F220/18 ,  C08F220/22 ,  C08F220/38 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041

摘要： A polymer includes a first repeating unit represented by the following Chemical Formula 1, and a second repeating unit including at least one repeating unit represented by the following Chemical Formulae 2 to 6.

摘要翻译： 聚合物包括由以下化学式1表示的第一重复单元和包含由以下化学式2至6表示的至少一个重复单元的第二重复单元。

公开(公告)号：US20110045405A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12805726

申请日：2010-08-17

申请人： Sung-Jae Lee ,  Tae-Ho Kim ,  Jun-Suk Kim ,  Jin-Young Lee ,  Kang Ryu ,  Sang-Jun Choi

发明人： Sung-Jae Lee ,  Tae-Ho Kim ,  Jun-Suk Kim ,  Jin-Young Lee ,  Kang Ryu ,  Sang-Jun Choi

IPC分类号： G03F7/004 ,  C07D307/93 ,  C07D495/04 ,  C08F24/00 ,  C08F28/06

CPC分类号： C07D307/93 ,  C07D493/08 ,  C07D495/08 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  G03F7/0397

摘要： Disclosed are a (meth)acrylate compound, a photosensitive polymer, and a resist composition, and the (meth)acrylate compound includes a lactone-group-containing (meth)acrylate compound represented by the following Chemical Formula 1.

摘要翻译： 公开了（甲基）丙烯酸酯化合物，光敏聚合物和抗蚀剂组合物，（甲基）丙烯酸酯化合物包含由以下化学式1表示的含内酯基的（甲基）丙烯酸酯化合物。

公开(公告)号：US20100239982A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：US12801146

申请日：2010-05-25

申请人： Sang-Jun Choi ,  Youn-Jin Cho ,  Seung-Wook Shin ,  Hye-Won Kim

发明人： Sang-Jun Choi ,  Youn-Jin Cho ,  Seung-Wook Shin ,  Hye-Won Kim

IPC分类号： G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0397

摘要： A resist composition includes a first polymer including a repeating unit having the following Chemical Formula 1 and a repeating unit having the following Chemical Formula 2, a second polymer including a repeating unit having the following Chemical Formula 3, a repeating unit having the following Chemical Formula 4, and a repeating unit having the following Chemical Formula 5, a photoacid generator, and a solvent.

摘要翻译： 抗蚀剂组合物包括包含具有以下化学式1的重复单元和具有以下化学式2的重复单元的第一聚合物，包含具有以下化学式3的重复单元的第二聚合物，具有以下化学式的重复单元 4和具有以下化学式5的重复单元，光酸产生剂和溶剂。

公开(公告)号：US07700496B2

公开(公告)日：2010-04-20

申请号：US11358082

申请日：2006-02-22

申请人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

发明人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/02 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A transistor having a metal nitride layer pattern, etchant and methods of forming the same is provided. A gate insulating layer and/or a metal nitride layer may be formed on a semiconductor substrate. A mask layer may be formed on the metal nitride layer. Using the mask layer as an etching mask, an etching process may be performed on the metal nitride layer, forming the metal nitride layer pattern. An etchant, which may have an oxidizing agent, a chelate agent and/or a pH adjusting mixture, may perform the etching. The methods may reduce etching damage to a gate insulating layer under the metal nitride layer pattern during the formation of a transistor.