公开(公告)号：US20120257484A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：US13297713

申请日：2011-11-16

申请人： Sung-chul Lee ,  Seung-hoon Han ,  In-kyeong Yoo

发明人： Sung-chul Lee ,  Seung-hoon Han ,  In-kyeong Yoo

IPC分类号： G11B13/08 ,  G02B6/00

CPC分类号： G11C13/06 ,  G02B5/008 ,  G02F2203/10

摘要： An optical element and an information storage device including the same. The optical element may include an optical waveguide structure for transforming circularly polarized light into plasmon and transmitting the plasmon. The optical waveguide structure may emit a circularly polarized plasmonic field. The optical element may be used in an information storage device. For example, the information storage device may include a recording medium and a recording element for recording information on the recording medium, and the recording element may include the optical element. The information may be recorded on the recording medium by using the circularly polarized plasmonic field generated by the optical element.

摘要翻译： 光学元件和包括该元件的信息存储装置。 光学元件可以包括用于将圆偏振光转换成等离子体并传输等离子体的光波导结构。 光波导结构可以发射圆偏振等离子体场。 光学元件可以用在信息存储装置中。 例如，信息存储装置可以包括用于在记录介质上记录信息的记录介质和记录元件，并且记录元件可以包括光学元件。 信息可以通过使用由光学元件产生的圆偏振等离子体场来记录在记录介质上。

公开(公告)号：US20110188290A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：US12929519

申请日：2011-01-31

申请人： Young-bae Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim

发明人： Young-bae Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L29/12 ,  G06K19/077

CPC分类号： H01L29/685 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/53

摘要： Semiconductor devices including variable resistance materials and methods of operating the semiconductor devices. The semiconductor devices use variable resistance materials with resistances that vary according to applied voltages as channel layers.

摘要翻译： 包括可变电阻材料的半导体器件和操作半导体器件的方法。 半导体器件使用具有根据施加的电压而变化的电阻的可变电阻材料作为沟道层。

公开(公告)号：US20110128772A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12801533

申请日：2010-06-14

申请人： Ho-Jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Jai-kwang Shin ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ki-ha Hong

发明人： Ho-Jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Jai-kwang Shin ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ki-ha Hong

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C8/08

CPC分类号： G11C8/08 ,  G11C5/063 ,  G11C11/21 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C15/04 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

摘要： A nonvolatile memory cell may include a bidirectional switch having a first threshold voltage when a forward current is applied to the bidirectional switch and a second threshold voltage when a reverse current is applied to the bidirectional switch; and a variable resistor connected to the bidirectional switch in series. A state of resistance of the variable resistor may be controlled according to voltage applied to the variable resistor. A sum of a magnitude of the first threshold voltage and a magnitude of the second threshold voltage may be greater than a write voltage that is used to perform a write operation on the variable resistor.

摘要翻译： 当向双向开关施加正向电流时，非易失性存储单元可以包括具有第一阈值电压的双向开关，当向双向开关施加反向电流时，非易失性存储单元可包括第二阈值电压; 以及串联连接到双向开关的可变电阻器。 可变电阻器的电阻状态可以根据施加到可变电阻器的电压来控制。 第一阈值电压的大小和第二阈值电压的大小的和可以大于用于对可变电阻器执行写入操作的写入电压。

公开(公告)号：US07479212B2

公开(公告)日：2009-01-20

申请号：US11640229

申请日：2006-12-18

申请人： Seung-bum Hong ,  In-kyeong Yoo ,  Ju-hwan Jung

发明人： Seung-bum Hong ,  In-kyeong Yoo ,  Ju-hwan Jung

IPC分类号： C25D1/00 ,  C25D11/02

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11B9/08 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1472 ,  G11B9/149 ,  G11B11/08 ,  G11B13/06

摘要： A high-density data storage medium, a method of manufacturing the data storage medium, a high-density data storage apparatus, and methods of writing data on, and reading and erasing data from the data storage medium by using the data storage apparatus are provided. The data storage medium includes a lower electrode, an insulation layer deposited on the lower electrode, a photoelectron emission layer deposited on the insulation layer and having a plurality of protrusions from which photoelectrons are emitted due to collisions between the protrusions and photons, and a dielectric layer deposited on the photoelectron emission layer and storing the photoelectrons emitted from the photoelectron emission layer. The data storage apparatus includes a stage supporting a data storage medium, which includes a lower electrode, an insulation layer deposited on the lower electrode, a photoelectron emission layer deposited on the insulation layer and having a plurality of protrusions from which photoelectrons are emitted due to collisions between the protrusions and photons, and a dielectric layer deposited on the photoelectron emission layer and storing the photoelectrons emitted from the photoelectron emission layer, a scanner driving the stage, a probe placed over the data storage medium and including a tip forming an electric field with the data storage medium and a cantilever supporting the tip placed at its one end so as to maintain a predetermined distance between the data storage medium and the tip, a circuit unit applying a driving signal, a data write signal, and a data erase signal to the scanner and the probe and detecting a data read signal, and a light source irradiating light on the data storage medium.

摘要翻译： 提供高密度数据存储介质，数据存储介质的制造方法，高密度数据存储装置以及通过使用数据存储装置从数据存储介质写数据和读取和擦除数据的方法 。 数据存储介质包括下电极，沉积在下电极上的绝缘层，沉积在绝缘层上的光电子发射层，并且具有多个突起，由于突起和光子之间的碰撞而从其中发射光电子;以及电介质 层沉积在光电子发射层上并存储从光电子发射层发射的光电子。 该数据存储装置包括支持数据存储介质的载台，该载台包括下电极，沉积在下电极上的绝缘层，沉积在绝缘层上的光电子发射层，并且具有多个突起，由于 突起和光子之间的碰撞，以及沉积在光电子发射层上并存储从光电子发射层发射的光电子的介电层，驱动载物台的扫描仪，放置在数据存储介质上的探针，并且包括形成电场的尖端 数据存储介质和悬臂支撑设置在其一端的尖端，以便保持数据存储介质和尖端之间的预定距离，施加驱动信号的电路单元，数据写入信号和数据擦除信号 扫描仪和探头，并检测数据读取信号，以及光源照射数据 存储介质。

公开(公告)号：US07407856B2

公开(公告)日：2008-08-05

申请号：US11296510

申请日：2005-12-08

申请人： In-kyeong Yoo ,  Byong-man Kim

发明人： In-kyeong Yoo ,  Byong-man Kim

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

摘要： A method of manufacturing a memory device includes defining a field region and an active region in a substrate, forming a field oxide layer on the field region, forming an insulating layer on the active region, patterning the insulating layer to form first and second bit lines separated from and parallel to each other on the active region, forming a memory element for storing data in a nonvolatile state, wherein the memory element passes across the first and second bit lines, and forming a word line on the insulating layer and the memory element.

摘要翻译： 一种制造存储器件的方法包括在衬底中限定场区域和有源区域，在场区域上形成场氧化物层，在有源区域上形成绝缘层，图案化绝缘层以形成第一和第二位线 形成用于将数据存储在非易失性状态的存储元件，其中存储元件穿过第一和第二位线，并在绝缘层和存储元件上形成字线 。

公开(公告)号：US20070207619A1

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：US10819143

申请日：2004-04-07

申请人： In-kyeong Yoo ,  Soo-hwan Jeong ,  Sun-ae Seo ,  In-sook Kim

发明人： In-kyeong Yoo ,  Soo-hwan Jeong ,  Sun-ae Seo ,  In-sook Kim

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： B82B3/00 ,  B29C59/022 ,  B29C59/026 ,  B29C2059/023 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/32139

摘要： A method of manufacturing a nanochannel-array and a method of fabricating a nanodot using the nanochannel-array are provided. The nanochannel-array manufacturing method includes: performing first anodizing to form a first alumina layer having a channel array formed by a plurality of cavities on an aluminum substrate; etching the first alumina layer to a predetermined depth and forming a plurality of concave portions on the aluminum substrate, wherein each concave portion corresponds to the bottom of each channel of the first alumina layer; and performing second anodizing to form a second alumina layer having an array of a plurality of channels corresponding to the plurality of concave portions on the aluminum substrate. The array manufacturing method makes it possible to obtain finely ordered cavities and form nanoscale dots using the cavities.

摘要翻译： 提供一种制造纳米通道阵列的方法和使用纳米通道阵列制造纳米点的方法。 纳米通道阵列制造方法包括：执行第一阳极氧化以形成具有由铝基板上的多个空腔形成的沟道阵列的第一氧化铝层; 将第一氧化铝层蚀刻到预定深度并在铝基板上形成多个凹部，其中每个凹部对应于第一氧化铝层的每个通道的底部; 以及进行第二阳极氧化以形成具有与所述铝基板上的所述多个凹部对应的多个通道的阵列的第二氧化铝层。 阵列制造方法使得可以使用空腔获得精细排列的空腔并形成纳米级点。

公开(公告)号：US20070200158A1

公开(公告)日：2007-08-30

申请号：US11655193

申请日：2007-01-19

申请人： Stefanovich Genrikh ,  Choong-rae Cho ,  In-kyeong Yoo ,  Eun-hong Lee ,  Sung-Il Cho ,  Chang-wook Moon

发明人： Stefanovich Genrikh ,  Choong-rae Cho ,  In-kyeong Yoo ,  Eun-hong Lee ,  Sung-Il Cho ,  Chang-wook Moon

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L27/115 ,  G11C2213/56 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： An electrode structure having at least two oxide layers that more reliably switch and operate without the use of additional devices and a non-volatile memory device having the same are provided. The electrode structure may include a lower electrode, a first oxide layer formed on the lower electrode, a second oxide layer formed on the first oxide layer and an upper electrode formed on the second oxide layer wherein at least one of the first and second oxide layers may be formed of a resistance-varying material. The first oxide layer may be formed of an oxide having a variable oxidation state.

摘要翻译： 提供具有至少两个氧化物层的电极结构，其更可靠地在不使用附加装置的情况下切换和操作，以及具有该氧化物层的非易失性存储装置。 电极结构可以包括下电极，形成在下电极上的第一氧化物层，形成在第一氧化物层上的第二氧化物层和形成在第二氧化物层上的上电极，其中第一氧化物层和第二氧化物层中的至少一个 可以由电阻变化材料形成。 第一氧化物层可以由具有可变氧化态的氧化物形成。

公开(公告)号：US20070126043A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11606889

申请日：2006-12-01

申请人： Chang-wook Moon ,  Sang-mock Lee ,  In-kyeong Yoo ,  Seung-woon Lee ,  El Bourim ,  Eun-hong Lee ,  Choong-rae Cho

发明人： Chang-wook Moon ,  Sang-mock Lee ,  In-kyeong Yoo ,  Seung-woon Lee ,  El Bourim ,  Eun-hong Lee ,  Choong-rae Cho

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A storage node having a metal-insulator-metal structure, a non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal (MIM) structure and a method of operating the same are provided. The memory device may include a switching element and a storage node connected to the switching element. The storage node may include a first metal layer, a first insulating layer and a second metal layer, sequentially stacked, and a nano-structure layer. The storage node may further include a second insulating layer and a third metal layer. The nano-structure layer, which is used as a carbon nano-structure layer, may include at least one fullerene layer.

摘要翻译： 提供一种具有金属 - 绝缘体 - 金属结构的存储节点，包括具有金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）结构的存储节点的非易失性存储器件及其操作方法。 存储器件可以包括连接到开关元件的开关元件和存储节点。 存储节点可以包括依次层叠的第一金属层，第一绝缘层和第二金属层，以及纳米结构层。 存储节点还可以包括第二绝缘层和第三金属层。 用作碳纳米结构层的纳米结构层可以包括至少一个富勒烯层。

公开(公告)号：US07091054B2

公开(公告)日：2006-08-15

申请号：US11057469

申请日：2005-02-15

申请人： In-kyeong Yoo ,  Chang-wook Moon ,  Soo-hwan Jeong ,  Dong-wook Kim

发明人： In-kyeong Yoo ,  Chang-wook Moon ,  Soo-hwan Jeong ,  Dong-wook Kim

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022 ,  H01J9/027 ,  H01J2237/31774 ,  H01J2237/31783

摘要： An emitter for an electron-beam projection lithography (EPL) system and a manufacturing method therefor are provided. The electron-beam emitter includes a substrate, an insulating layer overlying the substrate, and a gate electrode including a base layer formed on top of the insulating layer to a uniform thickness and an electron-beam blocking layer formed on the base layer in a predetermined pattern. The manufacturing method includes steps of: preparing a substrate; forming an insulating layer on the substrate; forming a base layer of a gate electrode by depositing a conductive metal on the insulating layer to a predetermined thickness; forming an electron-beam blocking layer of the gate electrode by depositing a metal capable of anodizing on the base layer to a predetermined thickness; and patterning the electron-beam blocking layer in a predetermined pattern by anodizing. The emitter provides a uniform electric field within the insulating layer and simplify the manufacturing method therefor.

摘要翻译： 提供了一种用于电子束投影光刻（EPL）系统的发射器及其制造方法。 电子束发射器包括衬底，覆盖衬底的绝缘层，以及包括形成在绝缘层顶部上的基底层至均匀厚度的栅极电极和以预定的方式形成在基底层上的电子束阻挡层 模式。 该制造方法包括以下步骤：制备衬底; 在所述基板上形成绝缘层; 通过在所述绝缘层上沉积导电金属至预定厚度来形成栅电极的基层; 通过在基底层上沉积能够阳极氧化的金属至预定的厚度来形成栅电极的电子束阻挡层; 并通过阳极氧化将预定图案中的电子束阻挡层图案化。 发射极在绝缘层内提供均匀的电场，并简化其制造方法。

公开(公告)号：US20050202639A1

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：US11071192

申请日：2005-03-04

申请人： In-kyeong Yoo ,  Soo-hwan Jeong ,  Won-il Ryu

发明人： In-kyeong Yoo ,  Soo-hwan Jeong ,  Won-il Ryu

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/42332 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/7883

摘要： Provided is a method of manufacturing a memory device that comprises a gate including uniformly distributed silicon nano dots. The method includes forming a gate on a substrate, the gate including, stacked in sequence an insulating film, nano dot layers separated by a predetermined lateral distance, and a conductive film pattern, forming a source region and a drain region contacting the gate in the substrate, and forming first and second metal layers on the source region and the drain region, respectively.

摘要翻译： 提供一种制造包括均匀分布的硅纳米点的栅极的存储器件的方法。 该方法包括在衬底上形成栅极，栅极包括依次层叠绝缘膜，以预定横向距离分隔的纳米点层和导电膜图案，形成与栅极接触的源极区域和漏极区域 并且分别在源极区域和漏极区域上形成第一和第二金属层。