公开(公告)号：US20100192232A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：US12705494

申请日：2010-02-12

申请人： Seung-Jae Lee

发明人： Seung-Jae Lee

IPC分类号： G06F21/24

CPC分类号： H04L63/065 ,  G06F21/10 ,  G06F2221/0786 ,  H04L63/0428 ,  H04L63/104 ,  H04L2463/101

摘要： A method for moving Rights Object (RO) in a Digital Rights Management (DRM). RO for content is partially or entirely moved between Devices in the same group, so that the RO can be shared between the Devices and a utility thereof can be enhanced.

公开(公告)号：US20100173470A1

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：US12654933

申请日：2010-01-08

申请人： Mong-Sup Lee ,  In-Seak Hwang ,  Keum-Joo Lee ,  Jin-Hye Bae ,  Bo-Wo Choi ,  Seung-Jae Lee

发明人： Mong-Sup Lee ,  In-Seak Hwang ,  Keum-Joo Lee ,  Jin-Hye Bae ,  Bo-Wo Choi ,  Seung-Jae Lee

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/3125 ,  C08G77/62 ,  C09D183/02 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76229

摘要： In a method of forming a silicon oxide layer, a spin-on-glass (SOG) layer may be formed on an object including a recess using an SOG composition. The SOG layer may be pre-baked and then cured by contacting with at least one material selected from the group consisting of water, a basic material and an oxidant, under a pressure of from about 1.5 atm to about 100 atm. The cured SOG layer may be baked.

摘要翻译： 在形成氧化硅层的方法中，可以使用SOG组合物在包括凹部的物体上形成旋涂玻璃（SOG）层。 可以在约1.5atm至约100atm的压力下，预先将SOG层与至少一种选自水，碱性物质和氧化剂的材料接触固化，然后固化。 固化的SOG层可以被烘烤。

公开(公告)号：US20090158439A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US12295840

申请日：2007-04-10

申请人： Seung-Jae Lee ,  Te-Hyun Kim ,  Youn-Sung Chu ,  Kiran Kumar Keshavamurthy

发明人： Seung-Jae Lee ,  Te-Hyun Kim ,  Youn-Sung Chu ,  Kiran Kumar Keshavamurthy

IPC分类号： G06F17/00

CPC分类号： G06F21/10 ,  G06F2221/0728

摘要： A method for protecting unprotected content in digital rights management (DRM) and a device thereof. When non-protected content stored in a non-DRM device is to be transferred to a DRM device, the non-protected content are converted into protected content and then are transferred to other user's device.

摘要翻译： 一种用于保护数字版权管理（DRM）中的未受保护内容及其装置的方法。 当存储在非DRM设备中的非保护内容要传送到DRM设备时，将非受保护内容转换为受保护内容，然后传输到其他用户的设备。

公开(公告)号：US07545677B2

公开(公告)日：2009-06-09

申请号：US12136150

申请日：2008-06-10

申请人： Seung-Jae Lee ,  Dong-Hyuk Chae ,  Dong-Ku Kang

发明人： Seung-Jae Lee ,  Dong-Hyuk Chae ,  Dong-Ku Kang

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C2216/14

摘要： A read method of a non-volatile memory device includes reading an initial threshold voltage value of an index cell from threshold voltage information cells that store information indicating the initial threshold voltage, determining a current threshold voltage value from the index cell, and comparing the initial threshold voltage value and the current threshold voltage value to calculate a shifted threshold voltage level of the index cell. A read voltage is changed by the shifted threshold voltage level to read user data using the changed read voltage.

摘要翻译： 非易失性存储器件的读取方法包括从存储指示初始阈值电压的信息的阈值电压信息单元读取索引单元的初始阈值电压值，从索引单元确定当前阈值电压值，以及比较初始值 阈值电压值和电流阈值电压值，以计算索引单元的偏移阈值电压电平。 读取电压由偏移的阈值电压电平改变，以便使用改变的读取电压来读取用户数据。

公开(公告)号：US20080176607A1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：US12017907

申请日：2008-01-22

申请人： Jae-Chul JIN ,  Ki-Taek Kim ,  Jin-Soo Kim ,  Young-Ki Kim ,  Jun-Hyung Kim ,  Seung-Jae Lee

发明人： Jae-Chul JIN ,  Ki-Taek Kim ,  Jin-Soo Kim ,  Young-Ki Kim ,  Jun-Hyung Kim ,  Seung-Jae Lee

IPC分类号： H04M1/00

CPC分类号： H04M1/0247 ,  H04M1/0212 ,  H04M1/0214 ,  H04M1/0227 ,  H04M1/0233 ,  H04M1/0237

摘要： A rotation hinge apparatus of a portable terminal including a body housing, a folder including a liquid crystal display section and rotated in the body housing about first and second axes, and a connection member rotatably connecting the folder about the first and second hinge axes includes a base member; a rotation member; first and second guide pins provided in the rotation member; first and second guide sections provided in the base member. The first and second guide sections engage the first and second guide pins to place the liquid crystal display section of the folder at the center of the connection member by guiding linear movement of the first guide pin when the rotation member is rotated about the second hinge axis, and by moving the second guide pin, guiding and moving the second hinge axis in an inclined manner and then in a curved manner.

摘要翻译： 一种便携式终端的旋转铰链装置，包括主体外壳，包括液晶显示部分的文件夹，并且围绕第一和第二轴线在主体壳体中旋转;以及可旋转地连接第一和第二铰链轴的文件夹的连接构件，包括： 基地会员 旋转构件; 设置在旋转构件中的第一和第二引导销; 第一和第二引导部分设置在基部构件中。 第一和第二引导部分接合第一和第二引导销，以通过引导第一引导销的线性运动来将文件夹的液晶显示部分放置在连接部件的中心，当旋转部件围绕第二铰链轴线旋转时 并且通过移动第二引导销，以倾斜的方式然后以弯曲的方式引导和移动第二铰链轴。

公开(公告)号：US20080137416A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US12000209

申请日：2007-12-11

申请人： Seung-Jae Lee

发明人： Seung-Jae Lee

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C16/06

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/3454 ,  G11C2211/5621

摘要： A method of programming a flash memory device may include dividing a plurality of memory cells into a plurality of groups according to a threshold voltage state, the memory cells configured to store multi bit data. The plurality of memory cells may be programmed with a program data. The memory cells of the divided groups may be respectively selected and programmed by divided group during the programming of the plurality of memory cells.

摘要翻译： 一种对闪速存储器件进行编程的方法可以包括根据阈值电压状态将多个存储器单元分成多个组，存储器单元被配置为存储多位数据。 多个存储器单元可以用程序数据编程。 在多个存储单元的编程期间，分割组的存储单元可以分别被分组选择和编程。

公开(公告)号：US20080092244A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11814776

申请日：2006-04-06

申请人： Seung-Jae Lee

发明人： Seung-Jae Lee

IPC分类号： H04L9/32

CPC分类号： H04L63/10 ,  G06F21/10 ,  G06F2221/2111

摘要： A method for restricting content usage in a digital rights management, in which in order to restrict or grant content usage in a certain geographic location, a geographic usage condition is additionally included in an RO of the content, and a terminal which downloads the RO checks the geographic usage condition to thus restrict or grant the using of the content in the corresponding location or area, wherein the geographic usage condition includes an item for restricting the protected using of the content and/or an item for granting the same, each item including information related to a location or area.

摘要翻译： 一种用于限制数字版权管理中的内容使用的方法，其中为了限制或授予特定地理位置中的内容使用，地理使用条件另外包括在内容的RO中，并且下载RO检查的终端 地理使用条件，从而限制或批准在相应位置或区域中的内容的使用，其中地理使用条件包括用于限制内容的受保护使用的项目和/或用于授予该内容的项目，每个项目包括 与位置或区域相关的信息。

公开(公告)号：US07163869B2

公开(公告)日：2007-01-16

申请号：US10947481

申请日：2004-09-22

申请人： Shin-Hye Kim ,  Min Kim ,  Seung-Jae Lee

发明人： Shin-Hye Kim ,  Min Kim ,  Seung-Jae Lee

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76224

摘要： A STI (shallow trench isolation) structure is formed with a liner layer that is converted from an initial material to a subsequent material. For example, the liner layer is initially comprised of nitride during wet etch-back of a dielectric fill material comprised of oxide to protect an oxide layer on a semiconductor substrate. Thereafter, an exposed portion of the liner layer is converted into the subsequent material of oxide to protect the dielectric fill material within the STI opening during etching away of masking layers to prevent formation of dents in the STI structure.

摘要翻译： STI（浅沟槽隔离）结构形成有从初始材料转换成后续材料的衬里层。 例如，在由氧化物构成的介电填充材料的湿法回蚀期间，衬垫层最初由氮化物组成，以保护半导体衬底上的氧化物层。 此后，衬里层的暴露部分被转换成随后的氧化物材料，以在蚀刻掉掩模层期间保护STI开口内的介电填充材料，以防止在STI结构中形成凹痕。

公开(公告)号：US20070002615A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：US11347216

申请日：2006-02-06

申请人： Seung-Jae Lee ,  Jin-Sung Park

发明人： Seung-Jae Lee ,  Jin-Sung Park

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/12 ,  G11C16/24 ,  G11C16/3459 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2216/14

摘要： A flash memory device is provided, and the flash memory device comprises memory cells, a sense node connected to a selected bit line, a load circuit connected to the sense node, and first and second sense and register circuits, each connected to the sense node. The first sense and register circuit is configured to store a first data value in accordance with the voltage level of the sense node during an initial read interval of a multi-bit program operation. The load circuit is configured to selectively pre-charge the sense node in accordance with the data value stored in the first sense and register circuit during a verify read interval of the multi-bit program operation. A multi-bit programming method for the flash memory device is also provided.

摘要翻译： 提供闪速存储器件，并且闪速存储器件包括存储器单元，连接到所选位线的感测节点，连接到感测节点的负载电路以及连接到感测节点的第一和第二感测和寄存器电路 。 第一感测和寄存器电路被配置为在多位程序操作的初始读取间隔期间根据感测节点的电压电平来存储第一数据值。 负载电路被配置为在多位程序操作的验证读取间隔期间根据存储在第一感测和寄存器电路中的数据值选择性地预充电感测节点。 还提供了一种用于闪速存储器件的多位编程方法。

公开(公告)号：US07125774B2

公开(公告)日：2006-10-24

申请号：US10937532

申请日：2004-09-08

申请人： Min Kim ,  Ju-Bum Lee ,  Hyeon-Deok Lee ,  Seung-Jae Lee

发明人： Min Kim ,  Ju-Bum Lee ,  Hyeon-Deok Lee ,  Seung-Jae Lee

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/66621 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7835

摘要： A method of fabricating a transistor with a recessed channel is provided. The method includes forming trenches for a recessed channel on a semiconductor substrate, depositing an isolation layer on the semiconductor substrate on which the trenches are formed, depositing a gate dielectric layer on the semiconductor substrate so that the gate dielectric layer can be extended to bottoms and sidewalls of the trenches, forming gates to fill the trenches, and forming source and drain regions in the semiconductor substrate adjacent to the gates.

摘要翻译： 提供一种制造具有凹槽的晶体管的方法。 该方法包括在半导体衬底上形成用于凹陷沟道的沟槽，在其上形成有沟槽的半导体衬底上沉积隔离层，在半导体衬底上沉积栅极电介质层，使得栅极电介质层可以延伸到底部， 沟槽的侧壁，形成用于填充沟槽的栅极，以及在与栅极相邻的半导体衬底中形成源区和漏区。