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    Etching method
    2.
    发明授权
    Etching method 失效
    蚀刻方法

    公开(公告)号：US06458494B2

    公开(公告)日：2002-10-01

    申请号：US09559079

    申请日：2000-04-27

    申请人： Ki Chang Song ,  Jong Uk Bu ,  Chil Keun Park

    发明人： Ki Chang Song ,  Jong Uk Bu ,  Chil Keun Park

    IPC分类号： H01L21302

    CPC分类号： H01L21/3085 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/0335

    摘要： Etching method applicable to a semiconductor device fabrication and an MEMS(Micro-Electro-Mechanical System) process, including the steps of forming an etching mask on a substrate, forming a plurality of patterns in the etching mask corresponding to depths of the plurality of trenches; and etching the substrate using the etching mask having the plurality of patterns formed therein, whereby eliminating an alignment error in respective photolithography, that permits to form a precise structure, simplify a fabrication process, and reduce a production cost.

    摘要翻译： 适用于半导体器件制造和MEMS（微电子机械系统）工艺的蚀刻方法，包括以下步骤：在衬底上形成蚀刻掩模，在对应于多个沟槽的深度的蚀刻掩模中形成多个图案 ; 并使用其中形成有多个图案的蚀刻掩模蚀刻基板，从而消除了可以形成精确结构的各个光刻中的对准误差，简化了制造工艺，并降低了生产成本。

    Method of fabricating X-ray mask
    3.
    发明授权
    Method of fabricating X-ray mask 失效
    制作X光掩模的方法

    公开(公告)号：US5824440A

    公开(公告)日：1998-10-20

    申请号：US877657

    申请日：1997-06-17

    申请人： Ki-Chang Song ,  Don-Hee Lee ,  Young-Sam Jeon ,  Chil-Keun Park

    发明人： Ki-Chang Song ,  Don-Hee Lee ,  Young-Sam Jeon ,  Chil-Keun Park

    IPC分类号： G03F1/22 ,  H01L21/027 ,  G03F9/00

    CPC分类号： G03F1/22

    摘要： A method of fabricating an X-ray mask includes the steps of forming a membrane on a substrate, forming a first material on the membrane, implanting predetermined ions into the first material, planarizing the membrane by removing a part of the first material and membrane, forming an absorber on the membrane planarized and depositing a second material on the absorber, implanting predetermined ions into the second material, planarizing the absorber by removing a part of the second material and membrane, and patterning the absorber planarized to have a predetermined shape.

    摘要翻译： 制造X射线掩模的方法包括以下步骤：在衬底上形成膜，在膜上形成第一材料，将预定离子注入第一材料中，通过去除第一材料和膜的一部分来平坦化膜， 在所述膜上形成平坦化的吸收体并在所述吸收体上沉积第二材料，将预定离子注入到所述第二材料中，通过去除所述第二材料和膜的一部分来平坦化所述吸收体，以及使所述吸收体图形化以具有预定形状。

    X-ray mask and its fabrication method
    6.
    发明授权
    X-ray mask and its fabrication method 失效
    X射线掩模及其制造方法

    公开(公告)号：US5970114A

    公开(公告)日：1999-10-19

    申请号：US919812

    申请日：1997-08-29

    申请人： Don-Hee Lee ,  Ki-Chang Song ,  Young-Sam Jeon ,  Chil-Keun Park

    发明人： Don-Hee Lee ,  Ki-Chang Song ,  Young-Sam Jeon ,  Chil-Keun Park

    IPC分类号： G03F1/22 ,  H01L21/027 ,  G21K5/00

    CPC分类号： G03F1/22

    摘要： Disclosed are X-ray masks exhibiting improved stability and reliability of the X-ray masks, and methods of making these masks. The X-ray masks include a membrane, an X-ray absorber pattern on the membrane, which is formed on a top side of a substrate, or an oxide layer between the membrane and the X-ray absorber pattern.

    摘要翻译： 公开了显示出提高X射线掩模的稳定性和可靠性的X射线掩模以及制造这些掩模的方法。 X射线掩模包括膜，膜上的X射线吸收体图案，其形成在衬底的顶侧，或膜与X射线吸收体图案之间的氧化物层。