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    Etching method
    1.
    发明授权
    Etching method 失效
    蚀刻方法

    公开(公告)号：US06458494B2

    公开(公告)日：2002-10-01

    申请号：US09559079

    申请日：2000-04-27

    申请人： Ki Chang Song ,  Jong Uk Bu ,  Chil Keun Park

    发明人： Ki Chang Song ,  Jong Uk Bu ,  Chil Keun Park

    IPC分类号： H01L21302

    CPC分类号： H01L21/3085 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/0335

    摘要： Etching method applicable to a semiconductor device fabrication and an MEMS(Micro-Electro-Mechanical System) process, including the steps of forming an etching mask on a substrate, forming a plurality of patterns in the etching mask corresponding to depths of the plurality of trenches; and etching the substrate using the etching mask having the plurality of patterns formed therein, whereby eliminating an alignment error in respective photolithography, that permits to form a precise structure, simplify a fabrication process, and reduce a production cost.

    摘要翻译： 适用于半导体器件制造和MEMS（微电子机械系统）工艺的蚀刻方法，包括以下步骤：在衬底上形成蚀刻掩模，在对应于多个沟槽的深度的蚀刻掩模中形成多个图案 ; 并使用其中形成有多个图案的蚀刻掩模蚀刻基板，从而消除了可以形成精确结构的各个光刻中的对准误差，简化了制造工艺，并降低了生产成本。

    Light source module with two wavelength
    8.
    发明授权
    Light source module with two wavelength 有权
    光源模块有两个波长

    公开(公告)号：US06347103B1

    公开(公告)日：2002-02-12

    申请号：US09400291

    申请日：1999-09-21

    申请人： Ki Chang Song ,  Young Joo Yee ,  Jong Uk Bu

    发明人： Ki Chang Song ,  Young Joo Yee ,  Jong Uk Bu

    IPC分类号： H01S204

    CPC分类号： H01S5/4087 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/02292

    摘要： Light source module with two wavelengths including a first and a second laser diodes each for emitting a laser beam with a wavelength different from each other, and a submount formed between the first and second laser diodes having a vertical mirror surface vertical to bonding surfaces of the first and second laser diodes for reflecting laser beams from the first and second laser diodes in a same direction.

    摘要翻译： 具有两个波长的光源模块，包括用于发射彼此不同波长的激光束的第一和第二激光二极管，以及在第一和第二激光二极管之间形成的垂直于垂直于 第一和第二激光二极管，用于沿相同方向反射来自第一和第二激光二极管的激光束。

    OPTICAL DEVICE AND LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE USING THE SAME, AND BACKLIGHT APPARATUS
    9.
    发明申请
    OPTICAL DEVICE AND LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE USING THE SAME, AND BACKLIGHT APPARATUS 审中-公开
    光学装置和使用其的发光二极管封装和背光装置

    公开(公告)号：US20130016499A1

    公开(公告)日：2013-01-17

    申请号：US13634229

    申请日：2011-12-07

    申请人： Young Joo Yee ,  Ki Chang Song

    发明人： Young Joo Yee ,  Ki Chang Song

    IPC分类号： H01L33/06 ,  G09F13/04

    CPC分类号： H01L33/507 ,  G02F2001/133614 ,  G02F2202/36 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505

    摘要： An optical device and an LED package using the same, and a backlight apparatus are provided, the optical device including a substrate, a first transparent thin film layer formed at one surface of the substrate, a quantum dot layer formed at an upper surface of the first transparent thin film layer and made of quantum dot particles, a protective layer formed on at least one of an upper surface or a bottom surface of the quantum dot layer and formed with metallic oxide nano particles, and a barrier member formed on the upper surface of the first transparent thin film layer for establishing an area formed with the quantum dot layer and the protective layer.

    摘要翻译： 提供一种光学装置和使用其的LED封装件和背光装置，所述光学装置包括基板，形成在所述基板的一个表面处的第一透明薄膜层，形成在所述基板的上表面处的量子点层 第一透明薄膜层，由量子点颗粒制成，形成在量子点层的上表面或底表面中的至少一个上并形成有金属氧化物纳米颗粒的保护层，以及形成在上表面上的阻挡构件 的第一透明薄膜层，用于建立由量子点层和保护层形成的区域。

    Zener diode and methods for fabricating and packaging same
    10.
    发明授权
    Zener diode and methods for fabricating and packaging same 有权
    齐纳二极管及其制造和封装方法

    公开(公告)号：US07582537B2

    公开(公告)日：2009-09-01

    申请号：US11295453

    申请日：2005-12-07

    申请人： Ki Chang Song ,  Geun Ho Kim

    发明人： Ki Chang Song ,  Geun Ho Kim

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L29/866 ,  H01L25/167 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

    摘要： A zener diode and methods for fabricating and packaging same are disclosed, whereby contact hole forming process exposing a diffusion layer is removed to enable to simplify the fabricating process, and the diffusion length not contacting the electrode line is determined by the crosswise length toward which the impurity is diffused to enable to reduce the zener impedance value. Furthermore, wet etching is used following the diffusion to remove the diffusion masks such that no damage is given to the diffusion layers to thereby enable to improve the zener diode characteristics.

    摘要翻译： 公开了一种齐纳二极管及其制造和封装方法，其中去除暴露扩散层的接触孔形成工艺，以便简化制造工艺，并且不接触电极线的扩散长度由横向长度 杂质扩散以使齐纳阻抗值降低。 此外，在扩散之后使用湿蚀刻以去除扩散掩模，使得不会对扩散层造成损害，从而能够改善齐纳二极管特性。