公开(公告)号：US20080242097A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US11729360

申请日：2007-03-28

申请人： Tim Boescke ,  Annette Saenger ,  Stefan Jakschik ,  Christian Fachmann ,  Matthias Patz ,  Alejandro Avellan ,  Thomas Hecht ,  Jonas Sundqvist

发明人： Tim Boescke ,  Annette Saenger ,  Stefan Jakschik ,  Christian Fachmann ,  Matthias Patz ,  Alejandro Avellan ,  Thomas Hecht ,  Jonas Sundqvist

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/945 ,  C30B25/04 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645

摘要： The invention refers to a selective deposition method. A substrate comprising at least one structured surface is provided. The structured surface comprises a first area and a second area. The first area is selectively passivated regarding reactants of a first deposition technique and the second area is activated regarding the reactants the first deposition technique. A passivation layer on the second area is deposited via the first deposition technique. The passivation layer is inert regarding a precursors selected from a group of oxidizing reactants. A layer is deposited in the second area using a second atomic layer deposition technique as second deposition technique using the precursors selected form the group of oxidizing reactants.

摘要翻译： 本发明涉及选择性沉积方法。 提供了包括至少一个结构化表面的衬底。 结构化表面包括第一区域和第二区域。 对于第一沉积技术的反应物，第一区域被选择性地钝化，并且第二区域被激活关于第一沉积技术的反应物。 通过第一沉积技术沉积第二区域上的钝化层。 对于选自一组氧化反应物的前体，钝化层是惰性的。 使用第二原子层沉积技术将层沉积在第二区域中，作为使用从氧化反应物组中选择的前体的第二沉积技术。

公开(公告)号：US20140061935A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13598672

申请日：2012-08-30

申请人： Gopalakrishnan TRICHY RENGARAJAN ,  Christian FACHMANN

发明人： Gopalakrishnan TRICHY RENGARAJAN ,  Christian FACHMANN

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L29/0676 ,  H01L21/28506 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76882

摘要： A method for manufacturing a layer arrangement in accordance with various embodiments may include: providing a first layer having a side; forming one or more nanoholes in the first layer that are open towards the side of the first layer; depositing a second layer over the side of the first layer.

摘要翻译： 根据各种实施例的用于制造层布置的方法可以包括：提供具有侧面的第一层; 在第一层中形成朝向第一层侧面开放的一个或多个纳米孔; 在第一层的侧面上沉积第二层。

公开(公告)号：US08772948B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US13598672

申请日：2012-08-30

申请人： Gopalakrishnan Trichy Rengarajan ,  Christian Fachmann

发明人： Gopalakrishnan Trichy Rengarajan ,  Christian Fachmann

IPC分类号： H01L31/0232

CPC分类号： H01L29/0676 ,  H01L21/28506 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76882

摘要： A method for manufacturing a layer arrangement in accordance with various embodiments may include: providing a first layer having a side; forming one or more nanoholes in the first layer that are open towards the side of the first layer; depositing a second layer over the side of the first layer.

摘要翻译： 根据各种实施例的用于制造层布置的方法可以包括：提供具有侧面的第一层; 在第一层中形成朝向第一层侧面开放的一个或多个纳米孔; 在第一层的侧面上沉积第二层。

公开(公告)号：US20100276797A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12433429

申请日：2009-04-30

申请人： Stefan Landau ,  Ralf Otremba ,  Uwe Kirchner ,  Andreas Schloegl ,  Christian Fachmann ,  Joachim Mahler

发明人： Stefan Landau ,  Ralf Otremba ,  Uwe Kirchner ,  Andreas Schloegl ,  Christian Fachmann ,  Joachim Mahler

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/60 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L23/49548 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L24/32 ,  H01L24/40 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H05K3/32 ,  H05K3/3442 ,  H05K3/3447 ,  H05K3/3468 ,  H05K3/3473 ,  H05K2201/09472 ,  H05K2201/10303 ,  H05K2201/1059 ,  H05K2201/10727 ,  H05K2201/10962 ,  H05K2201/10984 ,  H05K2203/0455 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor device includes a substrate having a chip island, a chip attached to the chip island, and encapsulation material deposited on the chip and part of the chip island. The chip island includes a first main face to which the chip is attached opposite a second main face, with the second main face of the chip island defining at least one cavity.

摘要翻译： 半导体器件包括具有芯片岛的衬底，附接到芯片岛的芯片以及沉积在芯片岛和芯片岛的一部分上的封装材料。 芯片岛包括第一主面，芯片与第二主面相对，芯片岛的第二主面限定至少一个空腔。

公开(公告)号：US08097944B2

公开(公告)日：2012-01-17

申请号：US12433429

申请日：2009-04-30

申请人： Stefan Landau ,  Ralf Otremba ,  Uwe Kirchner ,  Andreas Schloegl ,  Christian Fachmann ,  Joachim Mahler

发明人： Stefan Landau ,  Ralf Otremba ,  Uwe Kirchner ,  Andreas Schloegl ,  Christian Fachmann ,  Joachim Mahler

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/49548 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L24/32 ,  H01L24/40 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H05K3/32 ,  H05K3/3442 ,  H05K3/3447 ,  H05K3/3468 ,  H05K3/3473 ,  H05K2201/09472 ,  H05K2201/10303 ,  H05K2201/1059 ,  H05K2201/10727 ,  H05K2201/10962 ,  H05K2201/10984 ,  H05K2203/0455 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor device includes a substrate having a chip island, a chip attached to the chip island, and encapsulation material deposited on the chip and part of the chip island. The chip island includes a first main face to which the chip is attached opposite a second main face, with the second main face of the chip island defining at least one cavity.

摘要翻译： 半导体器件包括具有芯片岛的衬底，附接到芯片岛的芯片以及沉积在芯片岛和芯片岛的一部分上的封装材料。 芯片岛包括第一主面，芯片与第二主面相对，芯片岛的第二主面限定至少一个空腔。

公开(公告)号：US20100007028A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：US12171799

申请日：2008-07-11

申请人： Christian Fachmann ,  Christoph Ungermanns ,  Stefan Gamerith ,  Michael Fuchs

发明人： Christian Fachmann ,  Christoph Ungermanns ,  Stefan Gamerith ,  Michael Fuchs

IPC分类号： H01L23/48 ,  B32B3/24 ,  B05D5/12 ,  H01L21/44 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01L23/3142 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3135 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24331 ,  H01L2924/00

摘要： A device including an imide layer with non-contact openings and the method for producing the device. One embodiment provides a substrate on a main surface of the substrate, an imide layer on the metallization layer, at least one contact opening through the imide layer and a plurality of non-contact openings in the imide layer. The non-contact openings are dimensioned to provide for an increased surface area of the imide layer or a surface area of the imide layer which is not reduced by more than 10 percent.

摘要翻译： 包括具有非接触开口的酰亚胺层的装置及其制造方法。 一个实施方案提供了在基材的主表面上的基材，金属化层上的酰亚胺层，通过酰亚胺层的至少一个接触开口和酰亚胺层中的多个非接触开口。 该非接触开口的尺寸被设计成提供了酰亚胺层的增加的表面积或不降低10％以上的酰亚胺层的表面积。