公开(公告)号：US08742599B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US13599388

申请日：2012-08-30

申请人： Colby G. Rampley ,  Lawrence S. Klingbeil

发明人： Colby G. Rampley ,  Lawrence S. Klingbeil

IPC分类号： H01L23/49

CPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/544 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06138 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A method and system for uniquely identifying each semiconductor device die from a wafer is provided. Identifying features are associated with device die bond pads. In one embodiment, one or more tab features are patterned and associated with each of one or more device die bond pads. These features can represent a code (e.g., binary or ternary) that uniquely identifies each device die on the wafer. Each tab feature can be the same shape or different shapes, depending upon the nature of coding desired. Alternatively, portions of the one or more device die bond pads can be omitted as a mechanism for providing coded information, rather than adding portions to the device die bond pads.

摘要翻译： 提供了用于从晶片唯一地识别每个半导体器件裸片的方法和系统。 识别特征与器件管芯接合焊盘相关联。 在一个实施例中，将一个或多个突片特征图案化并与一个或多个器件管芯接合焊盘中的每一个相关联。 这些特征可以表示唯一地识别晶片上的每个器件裸片的代码（例如，二进制或三进制）。 每个标签特征可以是相同的形状或不同的形状，这取决于所需编码的性质。 或者，可以省略一个或多个器件管芯接合焊盘的部分作为用于提供编码信息的机构，而不是将部分添加到器件管芯接合焊盘。

公开(公告)号：US06893947B2

公开(公告)日：2005-05-17

申请号：US10179769

申请日：2002-06-25

申请人： Marino J. Martinez ,  Ernest Schirmann ,  Olin L. Hartin ,  Colby G. Rampley ,  Mariam G. Sadaka ,  Charles E. Weitzel ,  Julio Costa

发明人： Marino J. Martinez ,  Ernest Schirmann ,  Olin L. Hartin ,  Colby G. Rampley ,  Mariam G. Sadaka ,  Charles E. Weitzel ,  Julio Costa

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/337 ,  H01L29/80 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L29/66924 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/802

摘要： A method for fabricating an RF enhancement mode FET (30) having improved gate properties is provided. The method comprises the steps of providing (131) a substrate (31) having a stack of semiconductor layers (32-35) formed thereon, the stack including a cap layer (35) and a central layer (33) defining a device channel, forming (103) a photoresist pattern (58) over the cap layer, thereby defining a masked region and an unmasked region, and, in any order, (a) creating (105) an implant region (36, 37) in the unmasked region, and (b) removing (107) the cap layer from the unmasked region. By forming the implant region and cap region with no overlap, a device with low current leakage may be achieved.

摘要翻译： 提供了一种制造具有改进的栅极特性的RF增强型FET（30）的方法。 该方法包括以下步骤：提供（131）具有形成在其上的半导体层（32-35）的堆叠的衬底（31），所述堆叠包括限定器件沟道的覆盖层（35）和中心层（33） 在所述盖层上形成（103）光致抗蚀剂图案（58），由此限定掩蔽区域和未掩蔽区域，并且以任何顺序，（a）在所述未掩蔽区域中产生（105）植入区域（36,37） ，和（b）从未掩蔽区域移除（107）盖层。 通过不重叠地形成注入区域和盖子区域，可以实现具有低电流泄漏的装置。

公开(公告)号：US08790947B2

公开(公告)日：2014-07-29

申请号：US13272285

申请日：2011-10-13

申请人： Colby G. Rampley ,  Frank T. Laver ,  Thomas E. Wood

发明人： Colby G. Rampley ,  Frank T. Laver ,  Thomas E. Wood

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/035281 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/543

摘要： A nano-scale tower structure array having increased surface area on each tower for gathering incident light is provided for use in three-dimensional solar cells. Embodiments enhance surface roughness of each tower structure to increase the surface area available for light gathering. Enhanced roughness can be provided by manipulating passivation layer etching parameters used during a formation process of the nano-scale tower structures, in order to affect surface roughness of a photoresist layer used for the etch. Manipulable etching parameters can include power, gas pressure, and etching compound chemistry.

摘要翻译： 提供用于三维太阳能电池的纳米级塔架结构阵列，其具有用于收集入射光的每个塔上具有增加的表面积。 实施例增强了每个塔结构的表面粗糙度，以增加可用于聚光的表面积。 可以通过操纵在纳米级塔结构的形成过程中使用的钝化层蚀刻参数来提供增强的粗糙度，以便影响用于蚀刻的光致抗蚀剂层的表面粗糙度。 可操作的蚀刻参数可以包括功率，气体压力和蚀刻化合物化学。

公开(公告)号：US06798064B1

公开(公告)日：2004-09-28

申请号：US09614794

申请日：2000-07-12

申请人： Haldane S. Henry ,  Darrell G. Hill ,  Colby G. Rampley

发明人： Haldane S. Henry ,  Darrell G. Hill ,  Colby G. Rampley

IPC分类号： H01L2348

CPC分类号： H01L23/5221 ,  H01L23/4821 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An electronic component includes a substrate (110) and an airbridge (890) located over the substrate. The airbridge has at least a first layer and a second layer over the first layer. The airbridge is electrically conductive where the first layer of the airbridge is less resistive than the second layer of the airbridge.

摘要翻译： 电子部件包括位于基板上方的基板（110）和空气桥（890）。 空中桥梁在第一层上具有至少第一层和第二层。 空中桥梁是导电的，其中空中桥梁的第一层比空中桥梁的第二层电阻较小。

公开(公告)号：US09111983B1

公开(公告)日：2015-08-18

申请号：US14448186

申请日：2014-07-31

申请人： Kevin P. Ginter ,  Colby G. Rampley ,  Jeffrey L. Weibrecht

发明人： Kevin P. Ginter ,  Colby G. Rampley ,  Jeffrey L. Weibrecht

IPC分类号： H01L21/46 ,  H01L21/30 ,  H01L21/78 ,  H01L21/683 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/768 ,  B32B43/00 ,  B32B38/10 ,  H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/6835 ,  B32B43/006 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/02 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/768 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381

摘要： Various embodiments of semiconductor manufacturing methods include releasing a transparent carrier from a semiconductor wafer assembly that includes a semiconductor wafer in which a plurality of semiconductor devices are formed, an adhesive layer coupled to the semiconductor wafer, a carrier release layer coupled to the adhesive layer, and the transparent carrier coupled to the carrier release layer. The method further includes controlling a laser system to emit a first beam characterized by first laser parameters toward the adhesive layer, where the first laser parameters are selected so that the first beam will compromise a physical integrity of the adhesive layer. The method further includes, after controlling the laser system to emit the first beam toward the adhesive layer, removing the adhesive layer from the semiconductor wafer.

摘要翻译： 半导体制造方法的各种实施例包括从半导体晶片组件释放透明载体，该半导体晶片组件包括其中形成有多个半导体器件的半导体晶片，耦合到半导体晶片的粘合层，耦合到粘合剂层的载体释放层， 以及耦合到载体释放层的透明载体。 该方法还包括控制激光系统发射第一光束，其特征在于朝向粘合剂层的第一激光参数，其中选择第一激光参数使得第一光束将危及粘合剂层的物理完整性。 该方法还包括在控制激光系统朝向粘合剂层发射第一光束之后，从半导体晶片去除粘合剂层。

公开(公告)号：US20140238483A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：US14270986

申请日：2014-05-06

申请人： COLBY G. RAMPLEY ,  Frank T. Laver ,  Thomas E. Wood

发明人： COLBY G. RAMPLEY ,  Frank T. Laver ,  Thomas E. Wood

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0236

CPC分类号： H01L31/035281 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/543

摘要： A nano-scale tower structure array having increased surface area on each tower for gathering incident light is provided for use in three-dimensional solar cells. Embodiments enhance surface roughness of each tower structure to increase the surface area available for light gathering. Enhanced roughness can be provided by manipulating passivation layer etching parameters used during a formation process of the nano-scale tower structures, in order to affect surface roughness of a photoresist layer used for the etch. Manipulable etching parameters can include power, gas pressure, and etching compound chemistry.

摘要翻译： 提供用于三维太阳能电池的纳米级塔架结构阵列，其具有用于收集入射光的每个塔上具有增加的表面积。 实施例增强了每个塔结构的表面粗糙度，以增加可用于聚光的表面积。 可以通过操纵在纳米级塔结构的形成过程中使用的钝化层蚀刻参数来提供增强的粗糙度，以便影响用于蚀刻的光致抗蚀剂层的表面粗糙度。 可操作的蚀刻参数可以包括功率，气体压力和蚀刻化合物化学。

公开(公告)号：US20140232017A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：US14263460

申请日：2014-04-28

申请人： COLBY G. RAMPLEY ,  LAWRENCE S. KLINGBEIL

发明人： COLBY G. RAMPLEY ,  LAWRENCE S. KLINGBEIL

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/544 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06138 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A method and system for uniquely identifying each semiconductor device die from a wafer is provided. Identifying features are associated with device die bond pads. In one embodiment, one or more tab features are patterned and associated with each of one or more device die bond pads. These features can represent a code (e.g., binary or ternary) that uniquely identifies each device die on the wafer. Each tab feature can be the same shape or different shapes, depending upon the nature of coding desired. Alternatively, portions of the one or more device die bond pads can be omitted as a mechanism for providing coded information, rather than adding portions to the device die bond pads.

摘要翻译： 提供了用于从晶片唯一地识别每个半导体器件裸片的方法和系统。 识别特征与器件管芯接合焊盘相关联。 在一个实施例中，将一个或多个突片特征图案化并与一个或多个器件管芯接合焊盘中的每一个相关联。 这些特征可以表示唯一地识别晶片上的每个器件裸片的代码（例如，二进制或三进制）。 每个标签特征可以是相同的形状或不同的形状，这取决于所需编码的性质。 或者，可以省略一个或多个器件管芯接合焊盘的部分作为用于提供编码信息的机构，而不是将部分添加到器件管芯接合焊盘。

公开(公告)号：US20140061952A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13599388

申请日：2012-08-30

申请人： Colby G. Rampley ,  Lawrence S. Klingbeil

发明人： Colby G. Rampley ,  Lawrence S. Klingbeil

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/544 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06138 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A method and system for uniquely identifying each semiconductor device die from a wafer is provided. Identifying features are associated with device die bond pads. In one embodiment, one or more tab features are patterned and associated with each of one or more device die bond pads. These features can represent a code (e.g., binary or ternary) that uniquely identifies each device die on the wafer. Each tab feature can be the same shape or different shapes, depending upon the nature of coding desired. Alternatively, portions of the one or more device die bond pads can be omitted as a mechanism for providing coded information, rather than adding portions to the device die bond pads.

公开(公告)号：US20130092223A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13272285

申请日：2011-10-13

申请人： Colby G. Rampley ,  Frank T. Laver ,  Thomas E. Wood

发明人： Colby G. Rampley ,  Frank T. Laver ,  Thomas E. Wood

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/035281 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/543

摘要： A nano-scale tower structure array having increased surface area on each tower for gathering incident light is provided for use in three-dimensional solar cells. Embodiments enhance surface roughness of each tower structure to increase the surface area available for light gathering. Enhanced roughness can be provided by manipulating passivation layer etching parameters used during a formation process of the nano-scale tower structures, in order to affect surface roughness of a photoresist layer used for the etch. Manipulable etching parameters can include power, gas pressure, and etching compound chemistry.

摘要翻译： 提供用于三维太阳能电池的纳米级塔架结构阵列，其具有用于收集入射光的每个塔上具有增加的表面积。 实施例增强了每个塔结构的表面粗糙度，以增加可用于聚光的表面积。 可以通过操纵在纳米级塔结构的形成过程中使用的钝化层蚀刻参数来提供增强的粗糙度，以便影响用于蚀刻的光致抗蚀剂层的表面粗糙度。 可操作的蚀刻参数可以包括功率，气体压力和蚀刻化合物化学。