公开(公告)号：US08890230B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US13549510

申请日：2012-07-15

申请人： Cheng-Yuan Hsu ,  Chi Ren ,  Tzeng-Fei Wen

发明人： Cheng-Yuan Hsu ,  Chi Ren ,  Tzeng-Fei Wen

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L29/66825 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7882

摘要： A semiconductor device includes two floating gates, a control gate and a first dielectric layer. The floating gates are disposed on a semiconductor substrate. The control gate partially overlaps each of the floating gates, and a part of the control gate is disposed between the two floating gates. Furthermore, the first dielectric layer disposed between the two floating gates and the control gate has a fixed thickness.

摘要翻译： 半导体器件包括两个浮置栅极，控制栅极和第一介电层。 浮置栅极设置在半导体衬底上。 控制栅极部分地重叠每个浮置栅极，并且控制栅极的一部分设置在两个浮置栅极之间。 此外，设置在两个浮动栅极和控制栅极之间的第一介电层具有固定的厚度。

公开(公告)号：US07737479B2

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US12147481

申请日：2008-06-27

申请人： Tzeng-Fei Wen ,  Giuseppe Rossi ,  Ju-Hsin Yen ,  Chia-Huei Lin ,  Jhy-Jyi Sze ,  Chien-Yao Huang ,  Teng-Yuan Ko ,  Nien-Tsu Peng

发明人： Tzeng-Fei Wen ,  Giuseppe Rossi ,  Ju-Hsin Yen ,  Chia-Huei Lin ,  Jhy-Jyi Sze ,  Chien-Yao Huang ,  Teng-Yuan Ko ,  Nien-Tsu Peng

IPC分类号： H01L31/062

CPC分类号： H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

摘要： An image sensor, in which, a planarized layer is formed on a semiconductor substrate including a pixel array region, an optical black region, and a logic region to cover a photo sensing unit array in the pixel array region, a patterned metal layer is formed on the planarized layer corresponding to the pixel array region and the logic region, but not the optical black region. An optical black layer is formed in the optical black region after a passivation layer is formed and before a color filter array is formed at a temperature less than about 400° C., and preferably contains metal material.

摘要翻译： 一种图像传感器，其中在包括像素阵列区域，光学黑色区域和覆盖像素阵列区域中的感光单元阵列的逻辑区域的半导体衬底上形成平坦化层，形成图案化金属层 在对应于像素阵列区域和逻辑区域的平坦化层上，而不是光学黑色区域。 在钝化层形成之后并且在低于约400℃的温度下形成滤色器阵列之前，在光学黑色区域中形成光学黑色层，并且优选地包含金属材料。

公开(公告)号：US07035946B2

公开(公告)日：2006-04-25

申请号：US10647513

申请日：2003-08-26

申请人： Fei-Wen Song ,  Tien-Wei Lin

发明人： Fei-Wen Song ,  Tien-Wei Lin

IPC分类号： G06F3/00 ,  G06F13/00

CPC分类号： G06F1/324 ,  G06F1/3203 ,  Y02D10/126

摘要： A method for setting system working frequency includes the steps of: executing assert reset; modulating the system working frequency according to set values of BIOS through a jumper-free IC; deasserting reset and starting CPU; and proceeding and completing subsequent initialization process.

摘要翻译： 一种用于设置系统工作频率的方法包括以下步骤：执行断言复位; 通过无跳线IC根据BIOS的设定值调节系统工作频率; 解除复位并启动CPU; 并继续并完成后续的初始化过程。

公开(公告)号：US20060064708A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US11210790

申请日：2005-08-25

申请人： Chiy-Ferng Perng ,  Fei-Wen Sung

发明人： Chiy-Ferng Perng ,  Fei-Wen Sung

IPC分类号： G11B33/02

CPC分类号： G06F1/181 ,  G06F1/187 ,  G11B33/122

摘要： An electronic apparatus includes an optical drive and a second housing. In this case, the optical drive has a first housing, a circuit board, a first button, and a second button. The circuit board is disposed in the first housing. The first button is disposed on the first housing and the first button electrically connects with the circuit board. The optical drive is disposed in the second housing. The second button electrically connects with the circuit board with a wire. The second button, which controls the optical drive, is disposed on the second housing.

摘要翻译： 电子设备包括光驱动器和第二壳体。 在这种情况下，光驱具有第一壳体，电路板，第一按钮和第二按钮。 电路板设置在第一壳体中。 第一按钮设置在第一壳体上，并且第一按钮与电路板电连接。 光学驱动器设置在第二壳体中。 第二个按钮用电线与电路板电连接。 控制光驱的第二按钮设置在第二壳体上。

公开(公告)号：US20140112849A1

公开(公告)日：2014-04-24

申请号：US14128408

申请日：2012-06-14

申请人： Fei Wen ,  Barry W.L. Southward ,  Liesbet Jongen ,  Alexander Hoffmann ,  Juergen Gieshoff

发明人： Fei Wen ,  Barry W.L. Southward ,  Liesbet Jongen ,  Alexander Hoffmann ,  Juergen Gieshoff

IPC分类号： B01D53/86 ,  B01J23/44 ,  B01J23/63 ,  B01J23/83 ,  B01J23/89 ,  B01J23/50 ,  B01J23/72 ,  B01J23/42 ,  B01J23/46

CPC分类号： B01D53/86 ,  B01D53/9413 ,  B01D53/944 ,  B01J21/04 ,  B01J23/002 ,  B01J23/10 ,  B01J23/20 ,  B01J23/22 ,  B01J23/28 ,  B01J23/30 ,  B01J23/34 ,  B01J23/42 ,  B01J23/44 ,  B01J23/462 ,  B01J23/464 ,  B01J23/468 ,  B01J23/50 ,  B01J23/52 ,  B01J23/63 ,  B01J23/72 ,  B01J23/745 ,  B01J23/75 ,  B01J23/755 ,  B01J23/83 ,  B01J23/8906 ,  B01J35/006 ,  B01J35/04 ,  B01J35/1014 ,  B01J35/1019 ,  B01J37/0009 ,  B01J37/0036 ,  B01J37/038 ,  B01J37/04 ,  B01J37/18

摘要： The present invention is directed to a process for the production of supported transition metals with high dispersion. The latter are deposited onto refractory oxides without using a further liquid solvent. Hence, according to this dry procedure no solvent is involved which obviates certain drawbacks connected with wet ion exchange, impregnation or other metal addition processes known in the art.

摘要翻译： 本发明涉及制备高分散载体的过渡金属的方法。 后者沉积在耐火氧化物上，而不使用另外的液体溶剂。 因此，根据该干法，不涉及消除与本领域已知的湿离子交换，浸渍或其它金属添加方法相关的某些缺点的溶剂。

公开(公告)号：US20130334636A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：US13517858

申请日：2012-06-14

申请人： Tzeng-Fei WEN

发明人： Tzeng-Fei WEN

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L27/14685 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14698 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/18

摘要： A fabricating method of a back-illuminated image sensor includes the following steps. First, a silicon wafer having a first surface and a second surface is provided, wherein a number of trench isolations are formed in the first surface, and at least one image sensing member is formed between the trench isolations. Then, a first chemical mechanical polishing (CMP) process is performed to the second surface using the trench isolations as a polishing stop layer to thin the silicon wafer. Because the polishing rate of the silicon material in the silicon wafer is different with that of the isolation material of the trench isolations in the first CMP process, at least one dishing depression is formed in the second surface of the silicon wafer. Finally, a microlens is formed above the dishing depression, and a surface of the microlens facing the dishing depression is a curved surface.

摘要翻译： 背照式图像传感器的制造方法包括以下步骤。 首先，提供具有第一表面和第二表面的硅晶片，其中在第一表面中形成多个沟槽隔离，并且在沟槽隔离件之间形成至少一个图像感测构件。 然后，使用沟槽隔离作为抛光停止层对第二表面进行第一化学机械抛光（CMP）处理以使硅晶片变薄。 由于硅晶片中的硅材料的抛光速率与第一CMP工艺中的沟槽隔离物的隔离材料的抛光速率不同，所以在硅晶片的第二表面中形成至少一个凹陷凹陷。 最后，在凹陷凹陷之上形成微透镜，并且面对凹陷凹陷的微透镜的表面是曲面。

公开(公告)号：US20130251611A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13992025

申请日：2011-12-08

申请人： Fei Wen ,  Barry W.L. Southward ,  Liesbet Jongen ,  Alexander Hofmann ,  Daniel Herein

发明人： Fei Wen ,  Barry W.L. Southward ,  Liesbet Jongen ,  Alexander Hofmann ,  Daniel Herein

IPC分类号： B01J29/85 ,  B01J29/46 ,  B01D53/94 ,  B01J29/70

CPC分类号： B01J29/85 ,  B01D53/9413 ,  B01D53/9418 ,  B01D2251/2062 ,  B01D2251/2067 ,  B01D2255/104 ,  B01D2255/2065 ,  B01D2255/20738 ,  B01D2255/20746 ,  B01D2255/20761 ,  B01D2255/50 ,  B01D2255/9202 ,  B01D2255/9207 ,  B01D2258/012 ,  B01J29/46 ,  B01J29/7007 ,  B01J29/7615 ,  B01J35/04 ,  B01J37/0238 ,  B01J37/04

摘要： The present invention is directed to a process for the production of ion-exchanged (metal-doped, metal-exchanged) Zeolites and Zeotypes, In particular, the method applied uses a sublimation step to incorporate the ion within the channels of the Zeolitic material. Hence, according to this dry procedure no solvent is involved which obviates certain drawbacks connected with wet exchange processes known in the art.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于生产离子交换（金属掺杂，金属交换的）沸石和Zeotypes的方法。特别地，所采用的方法使用升华步骤将离子掺入到沸石材料的通道内。 因此，根据该干法，不涉及消除与本领域已知的湿交换方法相关的某些缺点的溶剂。

公开(公告)号：US07820510B2

公开(公告)日：2010-10-26

申请号：US12404349

申请日：2009-03-16

申请人： Shen-De Wang ,  Tzeng-Fei Wen

发明人： Shen-De Wang ,  Tzeng-Fei Wen

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/76232

摘要： A method of fabricating a flash memory and an isolating structure applied to a flash memory is provided. The feature of the method lies in a T-shaped shallow trench isolation (STI). The T-shaped STI has a widened cap covering on a substrate and a tapered bottom embedded in the substrate. The widened cap of the T-shaped STI can provide a high process widow when fabricating the floating gate wings, and the product yield will thereby be increased.

摘要翻译： 提供了制造闪速存储器的方法和应用于闪速存储器的隔离结构。 该方法的特征在于T形浅沟槽隔离（STI）。 T形STI具有覆盖在衬底上的加宽的帽和嵌入衬底中的锥形底部。 当制造浮动门翼时，T形STI的加宽帽可以提供高工艺的遗，，从而增加产品的产量。

公开(公告)号：US20100230778A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12404349

申请日：2009-03-16

申请人： Shen-De Wang ,  Tzeng-Fei Wen

发明人： Shen-De Wang ,  Tzeng-Fei Wen

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/76232

摘要： A method of fabricating a flash memory and an isolating structure applied to a flash memory is provided. The feature of the method lies in a T-shaped shallow trench isolation (STI). The T-shaped STI has a widened cap covering on a substrate and a tapered bottom embedded in the substrate. The widened cap of the T-shaped STI can provide a high process widow when fabricating the floating gate wings, and the product yield will thereby be increased.

摘要翻译： 提供了制造闪速存储器的方法和应用于闪速存储器的隔离结构。 该方法的特征在于T形浅沟槽隔离（STI）。 T形STI具有覆盖在衬底上的加宽的帽和嵌入衬底中的锥形底部。 当制造浮动门翼时，T形STI的加宽帽可以提供高工艺的遗，，从而增加产品的产量。

公开(公告)号：US07490336B2

公开(公告)日：2009-02-10

申请号：US11210790

申请日：2005-08-25

申请人： Chiy-Ferng Perng ,  Fei-Wen Sung

发明人： Chiy-Ferng Perng ,  Fei-Wen Sung

IPC分类号： G11B33/02

CPC分类号： G06F1/181 ,  G06F1/187 ,  G11B33/122

摘要： An electronic apparatus includes an optical drive and a second housing. In this case, the optical drive has a first housing, a circuit board, a first button, and a second button. The circuit board is disposed in the first housing. The first button is disposed on the first housing and the first button electrically connects with the circuit board. The optical drive is disposed in the second housing. The second button electrically connects with the circuit board with a wire. The second button, which controls the optical drive, is disposed on the second housing.

摘要翻译： 电子设备包括光驱动器和第二壳体。 在这种情况下，光驱具有第一壳体，电路板，第一按钮和第二按钮。 电路板设置在第一壳体中。 第一按钮设置在第一壳体上，第一按钮与电路板电连接。 光学驱动器设置在第二壳体中。 第二个按钮用电线与电路板电连接。 控制光驱的第二按钮设置在第二壳体上。