公开(公告)号：US20060226516A1

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：US11105036

申请日：2005-04-12

申请人： Michael Goodner ,  George Antonelli

发明人： Michael Goodner ,  George Antonelli

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/02167 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808

摘要： A silicone-doped carbon interlayer dielectric (ILD) and its method of formation are disclosed. The ILD's dielectric constant and/or its mechanical strength can be tailored by varying the ratio of carbon-to-silicon in the silicon-doped carbon matrix.

摘要翻译： 公开了硅氧烷掺杂碳层间电介质（ILD）及其形成方法。 ILD的介电常数和/或其机械强度可以通过改变硅掺杂碳基体中碳 - 硅的比例来定制。

公开(公告)号：US20070059913A1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：US11229131

申请日：2005-09-15

申请人： Sean King ,  George Antonelli ,  Tony Mule

发明人： Sean King ,  George Antonelli ,  Tony Mule

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01L21/76802

摘要： An apparatus for reducing amine poisoning of photoresist layers comprises a substrate, an etch stop layer containing amines formed over the substrate, and a dense capping layer formed directly on the etch stop layer, wherein the dense capping layer substantially prevents the amines from diffusing out of the etch stop layer and into a subsequently formed photoresist layer. The dense capping layer may comprise silicon carbide, silicon carboxide, or a combination of silicon carbide and silicon carboxide. The dense capping layer may have a density greater than or equal to 2 g/cm3 and a thickness that ranges from 10 Å to 200 Å.

摘要翻译： 用于还原光致抗蚀剂层的胺中毒的装置包括基底，含有形成在基底上的胺的蚀刻停止层，以及直接形成在蚀刻停止层上的致密覆盖层，其中致密覆盖层基本上防止胺扩散出 蚀刻停止层并进入随后形成的光致抗蚀剂层。 致密覆盖层可以包括碳化硅，硅化合物或碳化硅和硅化合物的组合。 致密的封盖层可以具有大于或等于2g / cm 3的密度，并且厚度范围为从10到200。

公开(公告)号：US20070054505A1

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：US11219249

申请日：2005-09-02

申请人： George Antonelli ,  Mandayam Sriram

发明人： George Antonelli ,  Mandayam Sriram

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/31612 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633

摘要： Embodiments of the present invention provide PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) processes that produce uniform, dense SiO2 (silicon dioxide) films having a high purity that are suitable for use in IC device fabrication. Advantageously, these processes do not require the use of a DC bias or dual frequency RF power and can use some of the same precursors used to make low-k ILD films.

摘要翻译： 本发明的实施方案提供了产生均匀的致密的SiO 2（二氧化硅）薄膜的PECVD（等离子体增强化学气相沉积）方法，其具有适用于IC器件制造的高纯度。 有利地，这些方法不需要使用DC偏压或双频RF功率，并且可以使用用于制备低k ILD膜的一些相同的前体。

公开(公告)号：US20060222864A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11096596

申请日：2005-03-31

申请人： George Antonelli ,  Mandayam Sriram ,  Michael Goodner

发明人： George Antonelli ,  Mandayam Sriram ,  Michael Goodner

IPC分类号： B32B9/04 ,  B32B13/04

CPC分类号： C23C16/401 ,  C09D4/00 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  C08G77/00

摘要： An embodiment of the invention is a method of forming a low-k carbon doped oxide dielectric material with improved mechanical properties. An embodiment incorporates a precursor containing a fluorinated organic silane, an alkylborane, or an alkoxyborane with a low-k carbon doped oxide dielectric material precursor during chemical vapor deposition to accomplish the mechanical improvement

摘要翻译： 本发明的一个实施方案是形成具有改进的机械性能的低k碳掺杂的氧化物介电材料的方法。 在化学气相沉积期间，一个实施例包含含有氟化有机硅烷，烷基硼烷或烷氧基硼烷与低k碳掺杂氧化物介电材料前体的前体，以实现机械改进

公开(公告)号：US20060105581A1

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：US10993325

申请日：2004-11-18

申请人： Jeffery Bielefeld ,  George Antonelli ,  Kevin Peterson

发明人： Jeffery Bielefeld ,  George Antonelli ,  Kevin Peterson

IPC分类号： H01L21/469

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31633

摘要： A method for forming a carbon doped oxide (CDO) film comprises doping an organosilane precursor material with a glycol material and using the doped organosilane precursor material in a deposition process to form the CDO film. The glycol material may be propylene glycol (PD). The PD-doped CDO films formed using the methods of the invention have been shown to have an increase in strength (e.g., an increase in Young's modulus) with a minimal effect on the dielectric constant of the PD-doped CDO film.

摘要翻译： 用于形成碳掺杂氧化物（CDO）膜的方法包括用二醇材料掺杂有机硅烷前体材料，并在沉积工艺中使用掺杂的有机硅烷前体材料以形成CDO膜。 二醇物质可以是丙二醇（PD）。 已经显示使用本发明的方法形成的PD掺杂的CDO膜的强度增加（例如，杨氏模量的增加），对PD掺杂的CDO膜的介电常数影响最小。

公开(公告)号：US20060072120A1

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：US10960351

申请日：2004-10-06

申请人： Sean Leary ,  Guray Tas ,  Christopher Morath ,  Michael Kotelyanskii ,  Tong Zheng ,  Guenadiy Lazarov ,  Andre Miller ,  George Antonelli ,  Jamie Ludke

发明人： Sean Leary ,  Guray Tas ,  Christopher Morath ,  Michael Kotelyanskii ,  Tong Zheng ,  Guenadiy Lazarov ,  Andre Miller ,  George Antonelli ,  Jamie Ludke

IPC分类号： G01B11/02

CPC分类号： G01N21/211 ,  G01N21/8422

摘要： An optical metrology system is provided with a data analysis method to determine the elastic moduli of optically transparent dielectric films such as silicon dioxide, other carbon doped oxides over metal or semiconductor substrates. An index of refraction is measured by an ellipsometer and a wavelength of a laser beam is measured using a laser spectrometer. The angle of refraction is determined by directing a light pulse focused onto a wafer surface, measuring a first set of x1, y1, and z1 coordinates, moving the wafer in the z direction, directing the light pulse onto the wafer surface and measuring a second set of x2, y2 and z2 coordinates, using the coordinates to calculate an angle of incidence, calculating an angle of refraction from the calculated angle of incidence, obtaining a sound velocity v, from the calculated angle of refraction and using the determined sound velocity v, to calculate a bulk modulus. Hardware calibration and adjustments for the optical metrology system are also provided in order to minimize the variation of the results from tool to tool down to about 0.5% or below.

摘要翻译： 光学测量系统具有数据分析方法，以确定光学透明介电膜的弹性模量，例如二氧化硅，金属或半导体衬底上的其他碳掺杂氧化物。 使用椭偏仪测量折射率，使用激光光谱仪测量激光束的波长。 通过将聚焦在晶片表面上的光脉冲引导，测量第一组x 1，y 1和z 1，确定折射角， SUB>坐标，沿z方向移动晶片，将光脉冲引导到晶片表面上并测量第二组x 2，y 2和z 2， 2坐标，使用坐标来计算入射角，从计算的入射角计算折射角，从计算的折射角获得声速v，并使用确定的声速v，到 计算体积模量。 还提供了光学测量系统的硬件校准和调整，以便将结果从工具到工具的降低最小化到约0.5％或更低。