公开(公告)号：US08557685B2

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US12536463

申请日：2009-08-05

申请人： Huiwen Xu

发明人： Huiwen Xu

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L47/00

CPC分类号： H01L27/101 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/71 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/318 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675

摘要： Memory cells, and methods of forming such memory cells, are provided that include a carbon-based reversible resistivity switching material. In particular embodiments, methods in accordance with this invention form a memory cell by (a) depositing a layer of the carbon material above a substrate; (b) doping the deposited carbon layer with a dopant; (c) depositing a layer of the carbon material over the doped carbon layer; and (d) iteratively repeating steps (b) and (c) to form a stack of doped carbon layers having a desired thickness. Other aspects are also provided.

摘要翻译： 提供了存储单元和形成这种存储单元的方法，其包括碳基可逆电阻率切换材料。 在特定实施例中，根据本发明的方法通过以下步骤形成存储器单元：（a）在基底上沉积碳材料层; （b）用掺杂剂掺杂沉积的碳层; （c）在所述掺杂碳层上沉积所述碳材料层; 和（d）重复地重复步骤（b）和（c）以形成具有期望厚度的掺杂碳层的堆叠。 还提供其他方面。

公开(公告)号：US08445075B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US12975833

申请日：2010-12-22

申请人： Huiwen Xu ,  Mei-Yee Shek ,  Li-Qun Xia ,  Amir Al-Bayati ,  Derek Witty ,  Hichem M'Saad

发明人： Huiwen Xu ,  Mei-Yee Shek ,  Li-Qun Xia ,  Amir Al-Bayati ,  Derek Witty ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： B05D3/10

CPC分类号： C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834

摘要： Methods of processing films on substrates are provided. In one aspect, the methods comprise treating a patterned low dielectric constant film after a photoresist is removed from the film by depositing a thin layer comprising silicon, carbon, and optionally oxygen and/or nitrogen on the film. The thin layer provides a carbon-rich, hydrophobic surface for the patterned low dielectric constant film. The thin layer also protects the low dielectric constant film from subsequent wet cleaning processes and penetration by precursors for layers that are subsequently deposited on the low dielectric constant film.

摘要翻译： 提供了在基板上处理膜的方法。 在一个方面，所述方法包括在通过在膜上沉积包含硅，碳和任选的氧和/或氮的薄层来从膜去除光致抗蚀剂之后处理图案化的低介电常数膜。 薄层为图案化的低介电常数膜提供了富含碳的疏水性表面。 薄层还保护低介电常数膜免于随后的湿法清洗工艺和前体渗透，随后沉积在低介电常数膜上。

公开(公告)号：US20110278529A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：US12780564

申请日：2010-05-14

申请人： Huiwen Xu

发明人： Huiwen Xu

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L27/101 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

摘要： In a first aspect, a method of forming a memory cell having a diamond like carbon (DLC) resistivity-switching material is provided that includes (1) forming a metal-insulator-metal (MIM) stack that includes (a) a first conductive layer; (b) a DLC switching layer above the first conductive layer; and (c) a second conductive layer above the DLC switching layer; (2) forming a compressive dielectric liner along a sidewall of the MIM stack; and (3) forming a steering element coupled to the MIM stack. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在第一方面，提供了形成具有类金刚石（DLC）电阻率切换材料的存储单元的方法，其包括（1）形成金属绝缘体金属（MIM）堆叠，所述金属绝缘体金属（MIM）堆叠包括（a）第一导电 层; （b）在第一导电层之上的DLC切换层; 和（c）DLC开关层上方的第二导电层; （2）沿着MIM堆叠的侧壁形成压缩电介质衬垫; 和（3）形成耦合到所述MIM堆叠的操纵元件。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US20110204474A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US12711810

申请日：2010-02-24

申请人： Franz Kreupl ,  Jingyan Zhang ,  Huiwen Xu

发明人： Franz Kreupl ,  Jingyan Zhang ,  Huiwen Xu

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L45/149 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1675

摘要： In a first aspect, a method of forming a memory cell is provided that includes (1) forming a metal-insulator-metal (MIM) stack, the MIM stack including (a) a first conductive carbon layer; (b) a low-hydrogen, silicon-containing carbon layer above the first conductive carbon layer; and (c) a second conductive carbon layer above the low-hydrogen, silicon-containing carbon layer; and (2) forming a steering element coupled to the MIM stack. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在第一方面，提供一种形成存储单元的方法，其包括：（1）形成金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）堆叠，所述MIM堆叠包括（a）第一导电碳层; （b）在第一导电碳层之上的低氢含硅碳层; 和（c）低于含氢的碳层之上的第二导电碳层; 和（2）形成耦合到所述MIM堆叠的操纵元件。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US07955981B2

公开(公告)日：2011-06-07

申请号：US12458091

申请日：2009-06-30

申请人： Xiying Chen ,  Huiwen Xu ,  Chuanbin Pan

发明人： Xiying Chen ,  Huiwen Xu ,  Chuanbin Pan

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1675

摘要： A non-volatile memory device includes a plurality of pillars, where each of the plurality of pillars contains a non-volatile memory cell containing a steering element and a storage element and at least one of a top corner or a bottom corner of each of the plurality of pillars is rounded. A method of making non-volatile memory device includes forming a stack of device layers, and patterning the stack to form a plurality of pillars, where each of the plurality of pillars contains a non-volatile memory cell that contains a steering element and a storage element, and where at least one of top corner or bottom corner of each of the plurality of pillars is rounded.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括多个支柱，其中多个支柱中的每个支柱包含含有转向元件和存储元件的非易失性存储单元，并且每个的顶角或底角中的至少一个 多个柱子是圆形的。 制造非易失性存储器件的方法包括形成器件层堆叠，以及图案化堆叠以形成多个柱，其中多个柱中的每个柱包含含有转向元件和存储器的非易失性存储单元 并且其中所述多个柱中的每一个的顶角或底角中的至少一个是圆形的。

公开(公告)号：US20110092077A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：US12975833

申请日：2010-12-22

申请人： HUIWEN XU ,  MEI-YEE SHEK ,  LI-QUN XIA ,  AMIR AL-BAYATI ,  DEREK WITTY ,  HICHEM M'SAAD

发明人： HUIWEN XU ,  MEI-YEE SHEK ,  LI-QUN XIA ,  AMIR AL-BAYATI ,  DEREK WITTY ,  HICHEM M'SAAD

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834

摘要： Methods of processing films on substrates are provided. In one aspect, the methods comprise treating a patterned low dielectric constant film after a photoresist is removed form the film by depositing a thin layer comprising silicon, carbon, and optionally oxygen and/or nitrogen on the film. The thin layer provides a carbon-rich, hydrophobic surface for the patterned low dielectric constant film. The thin layer also protects the low dielectric constant film from subsequent wet cleaning processes and penetration by precursors for layers that are subsequently deposited on the low dielectric constant film.

摘要翻译： 提供了在基板上处理膜的方法。 在一个方面，所述方法包括在通过在膜上沉积包含硅，碳和任选的氧和/或氮的薄层，在从膜去除光致抗蚀剂之后处理图案化的低介电常数膜。 薄层为图案化的低介电常数膜提供了富含碳的疏水性表面。 薄层还保护低介电常数膜免于随后的湿法清洗工艺和前体渗透，随后沉积在低介电常数膜上。

公开(公告)号：US20100102291A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12604178

申请日：2009-10-22

申请人： Huiwen Xu

发明人： Huiwen Xu

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L45/149 ,  G11C13/02 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  H01L51/0591

摘要： A method of forming a reversible resistance-switching metal-insulator-metal (“MIM”) stack is provided, the method including forming a first conducting layer comprising a degenerately doped semiconductor material, and forming a carbon-based reversible resistance-switching material above the first conducting layer. Other aspects are also provided.

摘要翻译： 提供了一种形成可逆电阻切换金属 - 绝缘体 - 金属（“MIM”）堆叠的方法，该方法包括形成包含简并掺杂半导体材料的第一导电层，并形成上述碳基可逆电阻切换材料 第一导电层。 还提供其他方面。

公开(公告)号：US20100032640A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12536469

申请日：2009-08-05

申请人： Huiwen Xu

发明人： Huiwen Xu

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/149 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/71 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/318 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675

摘要： Memory cells, and methods of forming such memory cells, are provided that include a carbon-based reversible resistivity switching material. In particular embodiments, methods in accordance with this invention form a memory cell by forming a layer of carbon material above a substrate, forming a barrier layer above the carbon layer, forming a hardmask layer above the barrier layer, forming a photoresist layer above the hardmask layer, patterning and developing the photoresist layer to form a photoresist region, patterning and etching the hardmask layer to form a hardmask region, and using an ashing process to remove the photoresist region while the barrier layer remains above the carbon layer. Other aspects are also provided.

摘要翻译： 提供了存储单元和形成这种存储单元的方法，其包括碳基可逆电阻率切换材料。 在具体实施方案中，根据本发明的方法通过在基底上形成碳材料层形成存储单元，在碳层之上形成阻挡层，在阻挡层上方形成硬掩模层，在硬掩模之上形成光阻层 层，图案化和显影光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂区域，图案化和蚀刻硬掩模层以形成硬掩模区域，并且使用灰化工艺除去光致抗蚀剂区域，同时阻挡层保留在碳层上方。 还提供其他方面。

公开(公告)号：US20070287301A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11694856

申请日：2007-03-30

申请人： Huiwen Xu ,  Mei-Yee Shek ,  Li-Qun Xia ,  Amir Al-Bayati ,  Derek Witty ,  Hichem M'Saad

发明人： Huiwen Xu ,  Mei-Yee Shek ,  Li-Qun Xia ,  Amir Al-Bayati ,  Derek Witty ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/312

CPC分类号： C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834

摘要： Methods of processing films on substrates are provided. In one aspect, the methods comprise treating a patterned low dielectric constant film after a photoresist is removed form the film by depositing a thin layer comprising silicon, carbon, and optionally oxygen and/or nitrogen on the film. The thin layer provides a carbon-rich, hydrophobic surface for the patterned low dielectric constant film. The thin layer also protects the low dielectric constant film from subsequent wet cleaning processes and penetration by precursors for layers that are subsequently deposited on the low dielectric constant film.

摘要翻译： 提供了在基板上处理膜的方法。 在一个方面，所述方法包括在通过在膜上沉积包含硅，碳和任选的氧和/或氮的薄层，在从膜去除光致抗蚀剂之后处理图案化的低介电常数膜。 薄层为图案化的低介电常数膜提供了富含碳的疏水性表面。 薄层还保护低介电常数膜免于随后的湿法清洗工艺和前体渗透，随后沉积在低介电常数膜上。

公开(公告)号：US08481396B2

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：US12835236

申请日：2010-07-13

申请人： Huiwen Xu ,  Er-Xuan Ping ,  Xiying Costa ,  Thomas J. Kwon

发明人： Huiwen Xu ,  Er-Xuan Ping ,  Xiying Costa ,  Thomas J. Kwon

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L45/1273 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1691

摘要： Memory cells, and methods of forming such memory cells, are provided that include a steering element coupled to a carbon-based reversible resistivity switching material that has an increased resistivity, and a switching current that is less than a maximum current capability of the steering element used to control current flow through the carbon-based reversible resistivity switching material. In particular embodiments, methods and apparatus in accordance with this invention form a steering element, such as a diode, having a first cross-sectional area, coupled to a reversible resistivity switching material, such as aC, having a region that has a second cross-sectional area smaller than the first cross-sectional area.

摘要翻译： 提供了存储单元和形成这种存储单元的方法，其包括耦合到具有增加的电阻率的碳基可逆电阻率切换材料的转向元件和小于转向元件的最大电流能力的开关电流 用于控制通过碳基可逆电阻率开关材料的电流。 在具体实施例中，根据本发明的方法和装置形成具有第一横截面面积的转向元件，例如二极管，该第二横截面面积与可逆电阻率开关材料（例如aC）耦合，具有具有第二十字 切片面积小于第一横截面积。