公开(公告)号：US20130256893A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13435702

申请日：2012-03-30

申请人： Tsung-Han TSAI ,  Jung-Chi JENG ,  Yueh-Ching CHANG ,  Volume CHIEN ,  Huang-Ta HUANG ,  Chi-Cherng JENG

发明人： Tsung-Han TSAI ,  Jung-Chi JENG ,  Yueh-Ching CHANG ,  Volume CHIEN ,  Huang-Ta HUANG ,  Chi-Cherng JENG

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05086 ,  H01L2224/05087 ,  H01L2224/05088 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05098 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121

摘要： A bonding pad structure includes a substrate and a first conductive island formed in a first dielectric layer and disposed over the substrate. A first via array having a plurality of vias is formed in a second dielectric layer and disposed over the first conductive island. A second conductive island is formed in a third dielectric layer and disposed over the first via array. A bonding pad is disposed over the second conductive island. The first conductive island, the first via array, and the second conductive island are electrically connected to the bonding pad. The first via array is connected to no other conductive island in the first dielectric layer except the first conductive island. No other conductive island in the third dielectric layer is connected to the first via array except the second conductive island.

摘要翻译： 焊盘结构包括基板和形成在第一电介质层中并设置在基板上的第一导电岛。 具有多个通孔的第一通孔阵列形成在第二电介质层中并设置在第一导电岛上。 第二导电岛形成在第三电介质层中并且设置在第一通孔阵列上。 焊盘设置在第二导电岛上。 第一导电岛，第一通孔阵列和第二导电岛电连接到接合焊盘。 除了第一导电岛之外，第一通孔阵列连接到第一电介质层中没有其它导电岛。 除了第二导电岛之外，第三电介质层中没有其它导电岛连接到第一通孔阵列。

公开(公告)号：US09041204B2

公开(公告)日：2015-05-26

申请号：US13435702

申请日：2012-03-30

申请人： Tsung-Han Tsai ,  Jung-Chi Jeng ,  Yueh-Ching Chang ,  Volume Chien ,  Huang-Ta Huang ,  Chi-Cherng Jeng

发明人： Tsung-Han Tsai ,  Jung-Chi Jeng ,  Yueh-Ching Chang ,  Volume Chien ,  Huang-Ta Huang ,  Chi-Cherng Jeng

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05086 ,  H01L2224/05087 ,  H01L2224/05088 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05098 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121

摘要： A bonding pad structure includes a substrate and a first conductive island formed in a first dielectric layer and disposed over the substrate. A first via array having a plurality of vias is formed in a second dielectric layer and disposed over the first conductive island. A second conductive island is formed in a third dielectric layer and disposed over the first via array. A bonding pad is disposed over the second conductive island. The first conductive island, the first via array, and the second conductive island are electrically connected to the bonding pad. The first via array is connected to no other conductive island in the first dielectric layer except the first conductive island. No other conductive island in the third dielectric layer is connected to the first via array except the second conductive island.

摘要翻译： 焊盘结构包括基板和形成在第一电介质层中并设置在基板上的第一导电岛。 具有多个通孔的第一通孔阵列形成在第二电介质层中并设置在第一导电岛上。 第二导电岛形成在第三电介质层中并且设置在第一通孔阵列上。 焊盘设置在第二导电岛上。 第一导电岛，第一通孔阵列和第二导电岛电连接到接合焊盘。 除了第一导电岛之外，第一通孔阵列连接到第一电介质层中没有其它导电岛。 除了第二导电岛之外，第三电介质层中没有其它导电岛连接到第一通孔阵列。

公开(公告)号：US06822395B2

公开(公告)日：2004-11-23

申请号：US10233842

申请日：2002-09-03

申请人： Ming-Hsing Li ,  Min-Tsung Lee ,  Keneth Lin ,  Yow-Te Tsai ,  Huang-Ta Huang ,  Chao-Chun Chen ,  Huei-Mei Jao

发明人： Ming-Hsing Li ,  Min-Tsung Lee ,  Keneth Lin ,  Yow-Te Tsai ,  Huang-Ta Huang ,  Chao-Chun Chen ,  Huei-Mei Jao

IPC分类号： H01J724

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J2237/0041

摘要： A device for controlling emission of electrons from an arc chamber of a plasma flood system into an ion beam in an ion implanter for implanting ions into a substrate. In one embodiment, the invention comprises a mechanical shutter disposed in a discharge opening between the arc chamber and the plasma guide tube of the implanter. The bore size of the shutter can be selectively varied in order to control the emission of electrons from the arc chamber into the ion beam in the plasma guide tube. In another embodiment, the invention comprises an electron-attracting probe which is disposed in the discharge opening.

摘要翻译： 一种用于控制从等离子体放电系统的电弧室将电子发射到用于将离子注入到衬底中的离子注入机中的离子束的装置。 在一个实施例中，本发明包括设置在电弧室和注入机的等离子体引导管之间的排放口中的机械快门。 可以选择性地改变快门的孔尺寸，以便控制从电弧室到等离子体引导管中的离子束的电子的发射。 在另一个实施例中，本发明包括设置在排出口中的吸电子探针。