公开(公告)号：US09041204B2

公开(公告)日：2015-05-26

申请号：US13435702

申请日：2012-03-30

申请人： Tsung-Han Tsai ,  Jung-Chi Jeng ,  Yueh-Ching Chang ,  Volume Chien ,  Huang-Ta Huang ,  Chi-Cherng Jeng

发明人： Tsung-Han Tsai ,  Jung-Chi Jeng ,  Yueh-Ching Chang ,  Volume Chien ,  Huang-Ta Huang ,  Chi-Cherng Jeng

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05086 ,  H01L2224/05087 ,  H01L2224/05088 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05098 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121

摘要： A bonding pad structure includes a substrate and a first conductive island formed in a first dielectric layer and disposed over the substrate. A first via array having a plurality of vias is formed in a second dielectric layer and disposed over the first conductive island. A second conductive island is formed in a third dielectric layer and disposed over the first via array. A bonding pad is disposed over the second conductive island. The first conductive island, the first via array, and the second conductive island are electrically connected to the bonding pad. The first via array is connected to no other conductive island in the first dielectric layer except the first conductive island. No other conductive island in the third dielectric layer is connected to the first via array except the second conductive island.

摘要翻译： 焊盘结构包括基板和形成在第一电介质层中并设置在基板上的第一导电岛。 具有多个通孔的第一通孔阵列形成在第二电介质层中并设置在第一导电岛上。 第二导电岛形成在第三电介质层中并且设置在第一通孔阵列上。 焊盘设置在第二导电岛上。 第一导电岛，第一通孔阵列和第二导电岛电连接到接合焊盘。 除了第一导电岛之外，第一通孔阵列连接到第一电介质层中没有其它导电岛。 除了第二导电岛之外，第三电介质层中没有其它导电岛连接到第一通孔阵列。

公开(公告)号：US08951826B2

公开(公告)日：2015-02-10

申请号：US13429002

申请日：2012-03-23

申请人： Jung-Chi Jeng ,  Chih-Cherng Jeng ,  Chih-Kang Chao ,  Ching-Hwanq Su ,  Yan-Hua Lin ,  Yu-Shen Shih

发明人： Jung-Chi Jeng ,  Chih-Cherng Jeng ,  Chih-Kang Chao ,  Ching-Hwanq Su ,  Yan-Hua Lin ,  Yu-Shen Shih

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/103 ,  Y02E10/547

摘要： A backside illuminated CMOS image sensor comprises an extended photo active region formed over a substrate using a first high energy ion implantation process and an isolation region formed over the substrate using a second high energy ion implantation process. The extended photo active region is enclosed by the isolation region, which has a same depth as the extended photo active region. The extended photo active region helps to increase the number of photons converted into electrons so as to improve quantum efficiency.

摘要翻译： 背面照明CMOS图像传感器包括使用第一高能离子注入工艺在衬底上形成的延伸的光有源区，以及使用第二高能离子注入工艺在衬底上形成的隔离区。 扩展的光有源区被隔离区包围，该隔离区具有与扩展的光活性区相同的深度。 扩展的光有源区域有助于增加转换成电子的光子数量，以提高量子效率。

公开(公告)号：US20130193539A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：US13429002

申请日：2012-03-23

申请人： Jung-Chi Jeng ,  Chih-Cherng Jeng ,  Chih-Kang Chao ,  Ching-Hwanq Su ,  Yan-Hua Lin ,  Yu-Shen Shih

发明人： Jung-Chi Jeng ,  Chih-Cherng Jeng ,  Chih-Kang Chao ,  Ching-Hwanq Su ,  Yan-Hua Lin ,  Yu-Shen Shih

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/103 ,  Y02E10/547

摘要： A backside illuminated CMOS image sensor comprises an extended photo active region formed over a substrate using a first high energy ion implantation process and an isolation region formed over the substrate using a second high energy ion implantation process. The extended photo active region is enclosed by the isolation region, which has a same depth as the extended photo active region. The extended photo active region helps to increase the number of photons converted into electrons so as to improve quantum efficiency.

摘要翻译： 背面照明CMOS图像传感器包括使用第一高能离子注入工艺在衬底上形成的延伸的光有源区，以及使用第二高能离子注入工艺在衬底上形成的隔离区。 扩展的光有源区被隔离区包围，该隔离区具有与扩展的光活性区相同的深度。 扩展的光有源区域有助于增加转换成电子的光子数量，以提高量子效率。