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    Plasma deposition apparatus and method
    1.
    发明授权
    Plasma deposition apparatus and method 有权
    等离子体沉积装置及方法

    公开(公告)号：US08973526B2

    公开(公告)日：2015-03-10

    申请号：US11953348

    申请日：2007-12-10

    申请人： Wook Seong Lee ,  Young Joon BaiK ,  Jong-Keuk Park ,  Gyu Weon Hwang ,  Jeung-hyun Jeong

    发明人： Wook Seong Lee ,  Young Joon BaiK ,  Jong-Keuk Park ,  Gyu Weon Hwang ,  Jeung-hyun Jeong

    IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C16/00 ,  H01J37/34

    CPC分类号： H01J37/3497 ,  H01J37/3435

    摘要： A plasma deposition apparatus includes a cathode assembly including a cathode disk and a water-coolable cathode holder supporting the cathode disk, an anode assembly including a water-coolable anode holder, a substrate mounted on the anode holder to serve as an anode, and a substrate holder mounting and supporting the substrate, and a reactor for applying a potential difference between opposing surfaces of the cathode assembly and the anode assembly under a vacuum state to form plasma of a raw gas. The cathode disk comes into thermal contact with the cathode holder using at least one of a self weight and a vacuum absorption force so as to permit thermal expansion of the cathode disk.

    摘要翻译： 等离子体沉积装置包括阴极组件，其包括阴极盘和支撑阴极盘的水冷阴极保持器，阳极组件，其包括水冷阳极保持器，安装在阳极保持器上用作阳极的衬底和 安装和支撑基板的基板支架，以及用于在真空状态下在阴极组件和阳极组件的相对表面之间施加电位差以形成原始气体的等离子体的反应器。 阴极盘使用自重和真空吸收力中的至少一种与阴极保持器热接触，以允许阴极盘的热膨胀。

    Method of making packets of nanostructures
    8.
    发明授权
    Method of making packets of nanostructures 失效
    制造纳米结构包装的方法

    公开(公告)号：US07507987B2

    公开(公告)日：2009-03-24

    申请号：US10683511

    申请日：2003-10-09

    申请人： Sang-Gook Kim ,  Tarek A. El Aguizy ,  Jeung-hyun Jeong ,  Yongbae Jeon

    发明人： Sang-Gook Kim ,  Tarek A. El Aguizy ,  Jeung-hyun Jeong ,  Yongbae Jeon

    IPC分类号： H01L29/06 ,  D02G3/00

    CPC分类号： C30B29/605 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/939 ,  Y10S977/962 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/2938 ,  Y10T428/2964

    摘要： A method for making packets of nanostructures is presented. The method includes etching trenches in a silicon substrate. Nanostructures are grown in the trenches. The trenches are then filled with a filler material. Any filler and/or nanostructures material extending beyond the trench is removed. The silicon substrate is etched away, resulting in a nanopellet surrounding the nanostructures and wherein each nanostructures has a generally uniform length and direction. Nanostructures can comprise nanotubes, nanowires and nanofibers. The method eases the manipulation of nanostructures while providing geometrical uniformity.

    摘要翻译： 提出了一种制造纳米结构分组的方法。 该方法包括蚀刻硅衬底中的沟槽。 纳米结构生长在沟槽中。 然后用填充材料填充沟槽。 去除延伸超过沟槽的任何填料和/或纳米结构材料。 硅衬底被蚀刻掉，导致围绕纳米结构的纳米线，并且其中每个纳米结构具有大致均匀的长度和方向。 纳米结构可以包括纳米管，纳米线和纳米纤维。 该方法简化了纳米结构的操作，同时提供几何均匀性。

    Method for DC plasma assisted chemical vapor deposition in the absence of a positive column
    10.
    发明授权
    Method for DC plasma assisted chemical vapor deposition in the absence of a positive column 有权
    在没有正性柱的情况下进行直流等离子体辅助化学气相沉积的方法

    公开(公告)号：US08334027B2

    公开(公告)日：2012-12-18

    申请号：US11833679

    申请日：2007-08-03

    申请人： Wook-Seong Lee ,  Young-Joon Baik ,  Jeung-Hyun Jeong ,  Ki-Woong Chae

    发明人： Wook-Seong Lee ,  Young-Joon Baik ,  Jeung-Hyun Jeong ,  Ki-Woong Chae

    IPC分类号： H05H1/24

    CPC分类号： C23C16/503 ,  C23C16/272 ,  Y10T428/268

    摘要： In the method for depositing a material in the absence of a positive column, a discharge is generated between a cathode and an anode disposed to face each other in a reaction chamber by applying a DC voltage therebetween, and introducing reaction gas into the reaction chamber, thereby depositing a material on a substrate mounted on the anode and serving as a part of the anode, wherein the deposition of the material on the substrate is performed under a state that a cathode glow and an anode glow exist in a form of thin layers coating respectively the surfaces of the cathode and the substrate, while a positive column does not exist or is so small as to be negligible.

    摘要翻译： 在不存在正极柱时沉积材料的方法中，通过在反应室中施加直流电压，在反应室内彼此面对的阴极和阳极之间产生放电，并将反应气体引入反应室， 从而将材料沉积在安装在阳极上并用作阳极的一部分的衬底上，其中材料在衬底上的沉积在阴极辉光和阳极辉光以薄层涂层形式存在的状态下进行 分别是阴极和衬底的表面，而正柱不存在或太小以致可以忽略。