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    SEMICONDUCTOR FABRICATING APPARATUS AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
    2.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR FABRICATING APPARATUS AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME 审中-公开
    半导体制造装置及使用其制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20160064194A1

    公开(公告)日：2016-03-03

    申请号：US14844057

    申请日：2015-09-03

    申请人： KEN TOKASHIKI ,  Sungil CHO ,  Kyungho JANG

    发明人： KEN TOKASHIKI ,  Sungil CHO ,  Kyungho JANG

    IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67

    CPC分类号： H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32577 ,  H01L21/6831

    摘要： The disclosure provides a semiconductor fabricating apparatus and a method of fabricating a semiconductor device using the same. In some embodiments, the apparatus may synchronize low-frequency, high-frequency and direct current (DC) powers that are applied to an electrode. The low-frequency power may have a non-sinusoidal waveform. Thus, reliability and reproducibility of a semiconductor fabrication process may be improved. In other embodiments, the apparatus may include a first low-frequency power generator generating a first low-frequency power having a sinusoidal waveform and a second low-frequency power generator generating a second low-frequency power having a non-sinusoidal waveform.

    摘要翻译： 本发明提供半导体制造装置和使用其制造半导体器件的方法。 在一些实施例中，该装置可以同步施加到电极的低频，高频和直流（DC）功率。 低频功率可能具有非正弦波形。 因此，可以提高半导体制造工艺的可靠性和再现性。 在其他实施例中，该装置可以包括产生具有正弦波形的第一低频功率的第一低频功率发生器和产生具有非正弦波形的第二低频功率的第二低频功率发生器。

    Methods for forming a semiconductor device including fine patterns
    4.
    发明授权
    Methods for forming a semiconductor device including fine patterns 有权
    用于形成包括精细图案的半导体器件的方法

    公开(公告)号：US09099403B2

    公开(公告)日：2015-08-04

    申请号：US14098897

    申请日：2013-12-06

    申请人： Nam-Gun Kim ,  Kyungho Jang

    发明人： Nam-Gun Kim ,  Kyungho Jang

    IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/033 ,  H01L45/00 ,  H01L27/22 ,  H01L27/24 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115

    CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/10 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

    摘要： Methods for forming a semiconductor device including fine patterns are provided. The method may include forming a mask layer including first holes spaced apart from each other in a first direction and a second direction. The method may also include forming local mask patterns on the mask layer and forming a sacrificial layer on the mask layer filling the first holes and surrounding the local mask patterns. The local mask patterns may be offset from the first holes in the first direction and the second direction. The method may further include removing the local mask patterns to form openings in the sacrificial layer exposing the mask layer and etching the mask layer through the opening to form second holes in the mask layer.

    摘要翻译： 提供了形成包括精细图案的半导体器件的方法。 该方法可以包括形成包括在第一方向和第二方向上彼此间隔开的第一孔的掩模层。 该方法还可以包括在掩模层上形成局部掩模图案，并在掩模层上形成填充第一孔并围绕局部掩模图案的牺牲层。 局部掩模图案可以在第一方向和第二方向上偏离第一孔。 该方法可以进一步包括去除局部掩模图案以在牺牲层中形成暴露掩模层的开口并且通过开口蚀刻掩模层以在掩模层中形成第二孔。

    METHODS FOR FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FINE PATTERNS
    6.
    发明申请
    METHODS FOR FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FINE PATTERNS 有权
    用于形成包括精细图案的半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20140162461A1

    公开(公告)日：2014-06-12

    申请号：US14098897

    申请日：2013-12-06

    申请人： Nam-Gun KIM ,  Kyungho JANG

    发明人： Nam-Gun KIM ,  Kyungho JANG

    IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/311

    CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/10 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

    摘要： Methods for forming a semiconductor device including fine patterns are provided. The method may include forming a mask layer including first holes spaced apart from each other in a first direction and a second direction. The method may also include forming local mask patterns on the mask layer and forming a sacrificial layer on the mask layer filling the first holes and surrounding the local mask patterns. The local mask patterns may be offset from the first holes in the first direction and the second direction. The method may further include removing the local mask patterns to form openings in the sacrificial layer exposing the mask layer and etching the mask layer through the opening to form second holes in the mask layer.

    摘要翻译： 提供了形成包括精细图案的半导体器件的方法。 该方法可以包括形成包括在第一方向和第二方向上彼此间隔开的第一孔的掩模层。 该方法还可以包括在掩模层上形成局部掩模图案，并在掩模层上形成填充第一孔并围绕局部掩模图案的牺牲层。 局部掩模图案可以在第一方向和第二方向上偏离第一孔。 该方法可以进一步包括去除局部掩模图案以在牺牲层中形成暴露掩模层的开口并且通过开口蚀刻掩模层以在掩模层中形成第二孔。